聚硅烷用作紫外亚微米光刻胶

讨论了用醇酸树脂或聚氨脂树脂为平坦层，几种不同的枝状和线状聚硅烷为抗蚀层，在玻璃基片上的XeCl准分子激光光刻效果。由于聚硅烷与其它树脂相容性不好，作者将含氟聚硅烷作为添加剂添加到枝状聚硅烷中进行光刻实验，获得最小分辨率为0．5μm的明暗线条等宽图形，对以不同聚硅烷相互作为添加剂，将其配方性能优化进行了有益的尝试。对多种影响图形转移质量 的因素进行了一些定性的讨论。     

甲基苯基聚硅烷的合成及氯甲基化

以甲基苯基二氯硅烷为原料,使用Wurtz偶联法和低价钛试剂法合成了甲基苯基聚硅烷.低价钛试剂法可以得到产率较高的、分子量分布较窄的甲基苯基聚硅烷(Mn=16 860,分散系数Mw/Mn=1.6).在氯仿中以四氯化锡为催化荆,甲基苯基聚硅烷与甲基氯甲基醚反应得到氯甲基苯基甲基聚硅烷,Mn=5 630,只有前者的1/3,且反应收率只有12%.     

含氯聚硅烷的合成与表征

将光敏基团C1直接键连在聚硅烷大分子上，用3种方法合成了含氯聚硅烷：①用硅氢化反应将氯丙烯加成到聚硅烷上；②用含苯基聚硅烷中的苯环进行氯甲基化反应；②在Wurtz缩合反应完成后直接从反应体系中将端基含氯的聚硅烷分离出来．对产物分别进行了^1HNMR、FT-IR、GPC和XPS表征．     

聚硅烷的光化学过程研究

研究了在空气中经紫外光辐照前后的聚（甲基环己基硅烷）简记为：PMCS）溶液和甲基环己基硅烷－甲基苯乙基硅烷共聚物（简记为：Copolymer)溶液的荧光光谱，结果表明，随着紫外光光照时间的增加，这两种聚硅烷溶液的荧光光谱峰位依次蓝移，荧光强度依次降低，并用UV光谱，GPC，XPS及IR光谱 在空气中经紫外光辐照前后的PMCS和Copolymer溶液，结果表明，这两种聚硅烷溶液的荧光光谱峰位蓝移及荧光强度降低，与聚硅烷发生了光降解和光氧化过程有关。     

带二茂铁基聚有机硅烷的研究

合成了一系列新的二茂铁在侧基、端基和嵌入主链三种类型的聚硅烷,测定了它们的虹外,紫外可见光谱,分子量和电阻率;讨论了二茂铁在聚硅烷的不同位置上对聚硅烷紫外光谱和导电性的影响。同时,测定了聚硅烷与某些电子受体形成CT络合物的紫外可见光谱和导电性,聚硅烷与某些电子受体络合可显著提高导电性。     

聚硅烷共聚物的合成及表征的研究

采用二甘醇二甲醚和１５－冠－５为螯合剂，根据Ｗｕｒｔｚ还原反应合成了多种聚硅烷共聚物，进行了ＧＰＣ，ＵＶ，＾１Ｈ－ＮＭＲ和ＦＴ－ＩＲ表征。发现在聚硅烷共聚物的合成中单体的投料比与产物中相应链节的共聚比相近，并对这一现象进行了初步解释；在ＦＴ－ＩＲ谱中观察到含有与硅链直接相连的侧苯基的聚硅烷的苯环骨架，在１６００ｃｍ＾－１附近的特征振动峰收缩到极弱强度，甚至消除。     

含(β-三烷基硅乙基)侧基新型聚硅烷的合成与表征

合成了三种新的甲基(β-三烷基硅乙基)二氯硅烷,以新的二氯硅烷和甲基苯基二氯硅烷为原料,用在甲苯中以金属钠共缩合的方法,通过均聚和共聚反应,合成了8种新型聚硅烷.测定了这些聚硅烷的分子量,讨论了它们的红外、紫外和核磁共振光谱吸收性质.     

陶瓷先驱体聚硅烷的合成与表征

以甲基氢二氯硅烷为单体,利用超声波条件下Wurtz聚合的方法,合成了可溶性聚硅烷,研究了对二溴苯和萘对反应的影响,并用红外光谱(IR)、凝胶渗透色谱(GPC)、X射线衍射(XRD)对产物进行了表征.结果表明:对二溴苯和萘均能使聚合反应平稳进行;在含有对二溴苯的反应体系中,所得聚硅烷的分子量较大,聚硅烷的陶瓷产率较高.对聚合机理作了初步探讨.     

几种甲基/苯基聚硅烷的光谱性能

为了改善聚硅烷的发光性能,找到紫外区上聚硅烷吸收光和发射光的规律以及与其结构的关系,用二甲基二氯硅烷、二苯基二氯硅烷和甲基苯基二氯硅烷合成了几种不同组成及结构的甲基/苯基共聚物聚硅烷,并研究了其红外光谱(IR)、紫外光谱(UV)、荧光光谱(FL)性质.探讨了聚硅烷组成和结构对紫外光谱和荧光光谱性质的影响.研究发现,随着取代基中苯基的含量逐渐增加,其紫外吸收光谱和荧光发射光谱峰位置都呈波长逐渐增加的红移趋势.聚硅烷链的侧链组成对光谱性能起决定性影响,增加侧链中苯基的含量可以增加主链电子离域范围,从而使聚硅烷的紫外吸收和荧光发射光谱峰向长波移动.     

聚(甲基)(对甲氧基苯基)硅烷及其共聚物的合成与荧光性质

用钠缩合法合成了(甲基)(对甲氧基苯基)二氯硅烷均聚及分别与二甲基二氯硅烷、甲基苯基二氯硅烷、二苯基二氯硅烷共聚的四种聚硅烷．用IR、H^1 NMR、GPC作了结构表征．从组成、链长和分子链对称性等方面讨论了其荧光性质有较大差异的原因．结果表明。苯基对位甲氧基的给电子效应使最大荧光发射波长λmax略有红移，但影响并不显著；聚硅烷链长和分子链对称性对荧光强度的影响比较显著，Si-Si链较长或分子链对称性较好的聚硅烷荧光强度较大。     

压印光刻对准中阻蚀胶层的设计及优化

针对高速旋涂造成标记区阻蚀胶薄膜覆盖不对称和压印曝光造成标记区薄膜聚合的问题，利用压印光刻压印曝光固化脱模的工艺原理，提出了用压印预处理标记表面薄膜来优化阻蚀胶层厚度和形貌的工艺方法．该方法采用下压力约束薄膜，使阻蚀胶在标记区的栅格间重新分布，从而削弱了覆盖膜的不对称性，获得了相应的薄膜厚度．采用旋涂厚度为1．1μm的覆盖膜对压印预处理工艺方法进行了试验，发现下压力大于0．48MPa时，薄膜结构具有较好的对称性，下压力为1．12MPa时，对准信号的对比度达到最大．试验结果表明，压印预处理对于压印光刻系统具有较好的工艺适应性，利用该方法优化标记区的阻蚀胶层不仅能够有效削弱覆盖膜不对称和压印曝光的影响，而且对准精度可满足100nm压印光刻的要求．     

枝状聚硅烷的合成与表征

用“顺点滴式”方法改进了单体合成,较原“全混式”提高了产率,降低了消耗;用Wurtz法以二氯硅烷和三氯硅烷为原料,经“预聚”和“混聚”二种方式合成了枝状聚硅烷。     

PI电容湿度传感器的研制

采用集成电路光刻工艺在玻璃衬底上制成了以聚酰亚胺（ＰＩ）为介质膜，以铬，金为电极的电容式湿度传感器，给出了传感器的制造工艺，湿敏特性和工作原理，测试结果表明，在相对湿度ＲＨ为０￣９６％范围内Ｃ￣ＲＨ曲线线性度良好，灵敏度为ＲＨ变化１％，电容变化０．１５￣０．１７ｐＦ，该种湿度传感器的ＲＨ长期稳定性为３％ａ。     

晶闸管阴极面光刻版图的CAD

论述晶闸管阴极面光刻版图的计算机辅助设计问题，以短路点的弧状排列为例，讨论了绘制版图的基本思想和方法，提出了优化图形排列、例版图面积最动态方法和“穿针引线”法，在讨论三管芯图形的基础上，成功地推广到多管芯版图设计与绘制。     

聚甲基硅氮烷作为耐热材料的研究

在甲苯中，甲基二氯硅烷与氨气反应，生成甲基硅氨烷，它在氨基基钠催化下，聚合成聚硅烷。１２００℃下将聚硅氮烷进行高温热裂解，生成了以Ｓｉ３Ｎ４为主的材料。材料在９５０℃热失重分析中失重０．０６９％，呈现很好的耐热性，还用ＩＲ、ＵＶ和＾１ｈ－ｎｍｒ对基硅氮烷作了分析。     

电子束纳米分辨率分刻

本文侧重分析电子束纳光刻中的若干限制因素，包括电子光学系统中的象差、电子束与抗蚀剂的相互作用（散射与二次电子效应）、衬底条件等，并对已用于进行纳米分辨率电子束刻中的一些方法进行了归纳，讨论了其应用前景。     

一种新型多官能度乙烯基醚树脂的制备及在光刻负胶中的应用

以苯乙烯,2-异氰酸甲基丙烯酸酯(IEMA),以及乙二醇单乙烯基醚(EGME)等为原料,分两步合成了一种主链为聚苯乙烯结构的多乙烯基醚(VEs)树脂(PSIM-VE).通过测定该树脂的红外光谱、核磁氢谱及核磁碳谱,确定了其分子结构式.测定了该树脂的紫外透光性,并且研究了基于该树脂的紫外光刻负胶以甲苯及四氢呋喃为溶剂时的成膜性及紫外光固化性能.通过接触式光刻工艺,在光刻胶膜层上得到了4μm周期的光栅结构.     

压印工作台的纳米级自找准定位研究

针对分步压印光刻工艺超高精度的对准要求,论述了一套由光栅、驱动器及激光干涉仪构成的闭环超高精度自对准定位系统．为了消除外界干扰引起的激光干涉仪误差对整个系统精度的影响,系统采用粗精两组光栅和相应两组光强传感器来实现工作台三维位置度的检测．驱动环节采用宏微两级,相对于粗精两组光栅检测进行驱动,实现了分步式压印光刻的多点定位找准和多层压印的对准要求．为了提高在驱动过程中的定位精度和抗干扰能力,系统采用了精确模型匹配(EMM)算法,最终实现了在压印光刻工艺中,步进精度小于10nm、多层压印重复对准精度小于20nm的超高定位精度要求,使系统的整体定位找准精度控制在8nm以内。     

利用Langmuir技术构筑的光抗蚀剂聚合物纳米薄膜的表面微观结构及在光刻蚀方面的应用（Ⅱ）：用深紫外诱导的含缩酮共聚物的光刻和光化学反应

用AFM、UVvis、FTrIR、GPC和石英晶体微天平（QCM）对以十二烷基甲基丙烯酰胺（DDMA）为成膜物质,以1,4-二嗯螺环[4,4]壬烷-2-亚甲基甲基丙烯酸酯（DNMMA）为光敏感物质的共聚物（pDDMA—DNMMA）LB膜的光刻过程及光分解机理进行了初步探讨。实验结果表明,在深紫外光源照射下,聚合物分子的主链和侧链发生分解反应,生成能挥发、易溶解的链碎片,用碱溶液显影后,可得到分辨率为0．75μm（所用掩膜所能达到的最大分辨率）的抗蚀剂LB膜正型图形。以这种共聚物LB膜图形为抗蚀层,经湿法腐蚀、除去抗蚀层等工序,可将抗蚀剂图形较好地转移到金薄膜上,得到具有相同分辨率的金属金的转移图形。     

厚层抗蚀剂光刻技术研究进展

厚层抗蚀剂光刻是一种制作深浮雕结构的微细加工技术。综述了近年来厚层抗蚀剂光刻技术的最新进展,从厚层抗蚀剂光刻工艺原理以及计算机模拟诸方面分析了该技术区别与传统光刻的一些特点,并对其应用的研究现状进行了总结,最后指出了进一步发展厚层抗蚀剂光刻技术的关键问题。