刺梨果实品质与土壤养分的多元分析

研究刺梨果实品质与土壤养分的关系,筛选影响刺梨果实品质的主要土壤养分因子,为获得优质果实提供合理的配方施肥决策。结果发现:增加土壤有机质,减少全钾可以提高刺梨单果重;土壤碱解氮可以促进刺梨维生素C的合成;增加土壤全磷可提高刺梨可溶性总糖含量;提高土壤全磷含量和减少全钾含量可降低刺梨可滴定酸含量。说明有机肥、氮、磷、钾肥配施可以改善刺梨果实品质。     

发射光谱的低温等离子体诊断

采用发射光谱诊断技术研究功率对氩气和氧气激发态光强的影响,并结合光刻胶的刻蚀速率来论证这种光谱诊断的可行性,并应用该诊断方法研究极板间距及配置对等离子体放电的影响。结果表明:氩离子和氧原子激发态光强随着功率的增加呈线性增加,与电子密度和电子能量密度的相关性高达0.8 8以上,与光刻胶的刻蚀速率的相关性高达0.9 5以上;极板间距的增加可减弱发射光谱强度、降低等离子体密度,正负极板配置可增强发射光谱的强度、提高等离子体密度和光刻胶的刻蚀速率。     

工业化、城镇化与现代农业效率分析——基于江苏昆山水产养殖业的实证研究

江苏昆山在短短几十年间由一个长江下游的落后城镇发展成为一个高度工业化的现代城市,不仅创造了巨大的工业产值,在农业方面也取得了良好成绩,昆山的成功为农村三产融合和乡村振兴提供了有益的参考.本文选取农业中对需求波动和物流效率最为敏感的水产养殖业进行例证,通过研究昆山1978—2016年水产养殖业的投入产出数据,运用数据包络分析(DEA)从效率角度揭示昆山水产养殖业久负盛名的原因,进而运用Tobit模型对影响昆山水产养殖效率的社会因素进行检验,剖析影响昆山水产养殖效率的社会原因,从而为区域经济发展提供政策建议.     

合成气发酵梭菌C.autoethanogenum的生长特性与CO发酵性能

为探讨合成气发酵乙醇的新工艺,对梭菌C.autoethanogenum的生长特性及CO发酵性能进行了研究.考察了不同碳源对C.autoethanogenum生长的影响,发现木糖是其生长的最佳底物.对生长培养基进行了改良,使C.autoethanogenum的菌体质量浓度提高2倍以上,代谢产物以乙酸为主,只产生少量乙醇.利用1 L气体采样袋研究了C.autoethanogenum的CO发酵性能,在1.0 g/L酵母膏的发酵培养基中经过两次CO发酵后,乙醇质量浓度达3.464g/L,CO乙醇转化率达51.7%.研究表明:N2环境、180℃、4MPa下,20min高温液态水处理蔗渣得到的水解液可用于C.autoethanogenum的培养,培养液再进行CO发酵,经过一次发酵后得到的乙醇质量浓度为3.13g/L,CO乙醇转化率为46.9%,与之前两次发酵的结果接近,但是发酵时间大大缩短.     

安钢板坯一切车改造及系统优化

本文介绍了安钢板坯一切车系统改造的设计方案,阐述了一级自动控制系统和切割机电控制系统的配置和功能,对于系统中出现的问题,提出了改进的方案。     

小学教师反思性教学刍议

小学教师在长时间的教学活动中如何突破自身发展的瓶颈,这是一个值得深思的问题。笔者从一个寓言故事受到启发,在教学反思中总结经验,促进自己专业化成长。     

基于TS模糊模型的热工过程建模方法

热工过程对象通常具有复杂的动态特性和非线性、强耦合、不确定性等特征,从而使得常规建模方法难以取得满意的效果,因此提出一种改进型TS模糊模型在线建模方法。此建模方法基于以下思想,首先提出基于中心粒群算法的截集模糊C-均值聚类算法并对TS模糊模型进行模型结构离线辨识,确定模型的结构和前件部分参数的初始值;然后应用解耦扩展卡尔曼滤波算法进行后件参数在线辨识,同时对前件辨识结果进行精确修正。最后,对煤气炉、500MW机组及气化炉等热工过程进行仿真计算表明本方法具有精度高、计算量小等优点。     

自主创新背景下西部企业研发费用会计处理问题探讨

企业研发费用是自主创新活动顺利进行的必要保证。在自主创新背景下,改进和创新研发费用会计处理方式提高企业研发活动效率,促进自主创新有着特别重要的现实意义。西部企业研发费用会计处理要在借鉴国内外相关模式的基础上,根据西部企业现实情况,选择切合实际的处理方式。     

射频等离子体功率参数对硅基发光薄膜生长与结构的影响

采用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以SiH4和Ar的混合气体为源气体,在石英玻璃衬底上制备了硅基发光薄膜.利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和傅里叶红外光谱(FTIR)对薄膜的形貌、结构和性能进行了表征,并利用发射光谱(OES)对薄膜等离子体生长过程进行了分析.研究结果表明,随着射频功率的增加,等离子体发射光谱中Hβ谱线强度激增,薄膜的红外光谱中Si—O键在1095cm-1处振动吸收峰强度减小,Si—Si键在613cm-1处特征吸收峰强度增加,说明射频功率增加加剧了硅烷的裂解与氧化硅的还原,提高了薄膜结晶度和纳米晶粒的融合度,并降低了沉积薄膜的表面粗糙度.