高温热解聚硅烷制备SiC薄膜初探

用组合成的可溶性聚硅烷１７１０Ａ作涂膜材料,进行不同温度的真空热解或高纯氮下热解实验。通过ＩＲ谱和ＸＰＳ谱分析,在７９０－８１０ｃｍ＾－１和１２７０ｃｍ＾－１红外吸收特征峰分别对应Ｓｉ－ＣＨ３摇摆振动和伸缩振动吸收峰,ＸＰ－Ｓｉ谱给出Ｓｉ（２Ｐ）结合能力为１０１．６ｅＶ,ＣＩＳ为２８４．３ｅＶ,证明有α－ＳｉＣ：Ｈ生成。     

用激光化学反应制备非晶态TiO2及其性质初探

用ＴＥＡ ＣＯ２中激光聚焦辐照ＴｉＣｌ４＋Ｏ２体系，制得了非晶态ＴｉＯ２粉末。对粉末作了ＸＲＤ，ＸＰＳ，ＴＧＡ，ＤＴＡ和ＴＥＭ分析。并研究了制得非晶态ＴｉＯ２的微观过程，讨论了它的一些特殊性质。     

聚硅烷用作紫外亚微米光刻胶

讨论了用醇酸树脂或聚氨脂树脂为平坦层，几种不同的枝状和线状聚硅烷为抗蚀层，在玻璃基片上的XeCl准分子激光光刻效果。由于聚硅烷与其它树脂相容性不好，作者将含氟聚硅烷作为添加剂添加到枝状聚硅烷中进行光刻实验，获得最小分辨率为0．5μm的明暗线条等宽图形，对以不同聚硅烷相互作为添加剂，将其配方性能优化进行了有益的尝试。对多种影响图形转移质量 的因素进行了一些定性的讨论。     

一种制备SiO2膜的方法——氧等离子体处理聚硅烷涂层

作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层，成功地制备了SiO2膜．由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数，随氧等离子体处理时间的不同在1065～1088cm-1范围变化；XPS谱给出Si2p的结合能为103．3～103．5eV，硅氧原子比为1：1．99；激光椭园偏振仪测得折射率在1．30～1．55范围；MOS电容的高频C-V特性曲线表明，平带电压为正，计算得氧化物电荷的电性为负，密度为6．6×1010～8．8×1011cm-2，其大小可以通过改变处理条件进行控制；BT实验表明，可动电荷密度为(3～6)×1010cm-2，这种新型的SiO2膜可望在微电子器工艺中得到应用．     

含氯聚硅烷的合成与表征

将光敏基团C1直接键连在聚硅烷大分子上，用3种方法合成了含氯聚硅烷：①用硅氢化反应将氯丙烯加成到聚硅烷上；②用含苯基聚硅烷中的苯环进行氯甲基化反应；②在Wurtz缩合反应完成后直接从反应体系中将端基含氯的聚硅烷分离出来．对产物分别进行了^1HNMR、FT-IR、GPC和XPS表征．     

聚硅烷在XeCl准分子激光作用下光降解及亚微米光刻的研究

采用３０８ｎｍＸｅＣｌ准分子激光研究了聚硅烷溶液和聚硅烷薄膜的光降解反应，利用玻璃片为基底，旋转涂布，分别以酚醛树脂和聚氨酯为平坦层，以聚硅烷为成像层和阻挡层，构成双层工艺，进行接近式曝光，用混合溶剂显影，并通过Ｏ２－ＲＩＥ处理，最终得到了亚微米的光刻图形。     

综合利用清平磷矿废料的一种简单可行的办法

介绍了综合利用高Ａｌ低Ｐ含量的清平磷矿废料的一种简单可行的办法．在焙烧清平磷矿废料的硫酸浸取液中加入硫酸铵，在酸性条件下，在常压及５℃的低温下，使铝铵钒（ＮＨ４Ａｌ（ＳＯ４）２·１２Ｈ２Ｏ）大量结晶，从而导致Ｐ和Ａｌ分离．到目前为止，Ａｌ２Ｏ３的总浸取率在８０％以上，其回收率在９０％以上．最后，从残余Ｆｅ３＋、Ａｌ３＋和部分ＳＯ２－４被除去的滤液中，通过石灰水分步中和、沉淀，能得到合格的饲料磷酸氢钙和磷肥．     

枝状聚硅烷的合成与表征

用“顺点滴式”方法改进了单体合成,较原“全混式”提高了产率,降低了消耗;用Wurtz法以二氯硅烷和三氯硅烷为原料,经“预聚”和“混聚”二种方式合成了枝状聚硅烷。     

环境友好的镍、锌分离技术

合成氨生产中要用到大量的ＮｉＯ催化剂 ,由于生产工艺的限制 ,在生产中 ,该催化剂要受到ＺｎＯ的污染 ,当其报废后 ,直接回收制取硝酸镍时 ,产品中的锌含量达 4 0 0 ｐｐｍ ,大大超过硝酸镍工业纯产品标准 10 0 ｐｐｍ .由于化肥工业规模巨大 ,每年需回收处理的ＮｉＯ废催化剂量也很大 .上述Ｚｎ含量超标的问题使回收过程不能顺利进行 ,既造成环境污染 ,又使稀贵金属镍资源不能及时有效回收利用 .显然寻找一种实用、低成本又不造成二次污染的方法来解决这个问题 ,既有显著的经济效益 ,也有好的社会环境效益 .文献报道有在非氧化性稀酸介质…     

一种制备SiO2膜的方法 ——氧等离子体处理聚硅烷涂层

作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层,成功地制备了SiO2膜．由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数,随氧等离子体处理时间的不同在1065～1088cm-1范围变化;XPS谱给出Si2p的结合能为103．3～103．5eV,硅氧原子比为11．99;激光椭园偏振仪测得折射率在1．30～1．55范围;MOS电容的高频C-V特性曲线表明,平带电压为正,计算得氧化物电荷的电性为负,密度为6．6×1010～8．8×1011cm-2,其大小可以通过改变处理条件进行控制;BT实验表明,可动电荷密度为(3～6)×1010cm-2,这种新型的SiO2膜可望在微电子器工艺中得到应用．