薄发射区晶闸管结构及特性的研究

在晶闸管的ｐｉｎ二极管模型基础上，提出了薄发射区晶闸管新结构，分析Ｐ发射区杂质总量ＱＥ对晶闸管通态压降Ｖｒ的影响，导出ＱＥ与Ｖｒ的关系式。分析计算表明，对一确定的宽度ＷＢ和厚度ＷＰ小于等于０．１μｍ时，随着ＱＥ的减小，Ｖｒ单调下降并趋于一几乎不变的值，当ＱＥ大于某一值时，Ｖｒ与ＷＰ无关，而是随基区宽度及发射层杂质总量的增加而增加，实验结果还表明，用ＬＰＣＶＤ原位掺杂制作的薄发射区晶闸管芯片样品，与     

过压自保护晶闸管二维电场分析

应用有限元法,对两种不同门极结构的过压自保护光控晶闸管的电场分布进行计算机模拟,讨论了电场分布与结构参数的关系及其对过压自保护特性的影响.计算表明,无P~-层晶闸管的穴区最大电场同时受到穴径和穴深的制约,而有p~+层的晶闸管穴径对电场的影响可以忽略,穴区最大电场主要由穴深确定.理论和实验均表明,控制门极的穴径和穴深可以达到控制门极自保护特性的目的.     

峰值电流升压型PWM变换器内部补偿网络设计

分析了峰值电流升压型PWM变换器环路中极零点补偿对稳定性的影响.根据补偿原则,采用电容等效乘法电路,设计了一种应用于峰值电流升压型PWM变换器的内部补偿网络.利用模拟乘法电路的等效倍增功能,实现了补偿电容的最小化,使内部补偿成为可能.仿真结果表明:该补偿网络使变换器具有高稳定性,补偿后,输出电压的波纹很小,输出纹波电压仅在±8 mV范围内抖动,满足电压稳定输出的性能要求.     

N2O氮化n—MOSFET‘s低温可靠性研究

通过与热氧化ｎ－ＭＯＳＦＥＴ’ｓ比较,调查了Ｎ２Ｏ氮化（Ｎ２ＯＮ）ｎ＝－ＭＯＳＦＥＴ‘ｓ在最大衬底电流ＩＢｍａｘ和最大栅电流ＩＧｍａｘ应力下的低温热载流子效应,结果表明,Ｎ２ＯＮ器件在低温就在室温一样呈现出大大抑制的热载流子应力感应退化的特性;低温下产生的浅能级陷阱增强了器件的退化,Ｎ２Ｏ的氮化也大大减少了浅能级陷阱的产生。     

重新氧化氮化n-MOSFET''''s断态栅电流的温度特性

对采用迅速热处理方法制备的重新氧化氮化ｎ－ＭＯＳＦＥＴ’ｓ 的断态栅电流Ｉｇ 的温度特性进行了实验研究和理论分析．研究表明,在合适的氮化和重新氧化条件下,Ｉｇ 随温度增加可保持几乎不变．这归因于重新氧化部分恢复了Ｓｉ／ＳｉＯ２ 界面处相应于空穴发射的氮化感应致使势垒高度的降低,从而使得在升高的温度下,热空穴注入的增加几乎抵消了雪崩区空穴产生的减小．     

GaN LED量子阱光发射模型

在分析GaN LED量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制Stark效应和Franz-Kddysh效应,提出了一种基于InGaN有源区的载流子复合及光发射模型.模拟结果表明LED的光发射效率和波长依赖于有源区In组分变化引起的势能涨落和阱尺寸,并得到LED发光波长红移的原因为：非故意掺杂引入新的施主能级和受主能级,新能级之间以小于带隙的能量跃迁;Franz-Keldysh效应随阱厚的增加而加强;压电极化和自发极化形成的内电场在空间上将电子和空穴隔开,但电子和空穴波函数的交叠允许它们在较低的能级上辐射复合;以及带边吸收的影响.     

利用脉冲激光剥蚀技术制备PZT铁电薄膜

利用脉冲激光剥蚀技术在抛光的硅片上制备出了Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３铁电薄膜．经过淀积后的激光退火工艺，大大改善了这种膜的铁电性．研究了影响薄膜性能的多种因素，利用Ｘ射线衍射，分析了薄膜的结构．测量了薄膜的居里温度和电滞回线     

晶闸管电路分岔,混沌行为研究

对包含晶闸管这一双稳负阻器件非线性电路交流响应的研究发现，在这一定的工作条件下，电路出现倍周期分岔和混沌以及间歇混沌现象，对实验结果进行了理论验证和分析，从而建立了简洁的理论模型，较好地模拟了实验结果。