电子束纳米分辨率光刻

本文侧重分析电子束纳米光刻中的若干限制因素，包括电子光学系统中的象差、电子束与抗蚀剂的相互作用（散射与二次电子效应）、衬底条件等，并对已用于进行纳米分辨率电子束光刻中的一些方法进行了归纳，讨论了其应用前景．     

大有前途的电子束光刻技术

本文介绍了电子束光刻技术的基本原理及发展情况,对电子束光刻技术在现代高技术产业中的重要作用进行了论述,并对比其他微细加工技术,提出要大力发展我国的电子束光刻技术与设备。     

电子束光刻“自主可控”EDA软件HNU-EBL

为模拟和优化电子束光刻（Electron Beam Lithography,EBL）工艺过程,提高电子束光刻版图加工质量,依托湖南大学（Hunan University,HNU）开发了一套电子束光刻的“自主可控”国产电子设计自动化（Electronic Design Automation,EDA）软件HNU-EBL.该软件实现了以下主要功能：1）基于Monte Carlo方法计算电子束在光刻胶和衬底中的散射过程与运动轨迹;2）基于多高斯加指数函数模型计算拟合出电子束散射的点扩散函数;3）基于GDSII光刻版图文件矩阵化,进行邻近效应、雾效应等校正计算,优化电子束曝光剂量;4）基于卷积计算,计算出给定曝光剂量下的能量沉积密度,并计算出边缘放置误差等光刻加工质量关键指标.基于该软件,通过异或门（Exclusive OR,XOR）集成电路的光刻版图算例,计算在聚甲基丙烯酸甲酯（Polymethyl Methacrylate,PMMA）光刻胶和硅衬底中10 kV电子束的光刻工艺过程.通过对比电子束邻近效应校正前后的显影版图,验证了该软件的有效性.在完全相同的计算硬件和算例条件下,与主流同类进口EDA软件进行了对比,证实了在同等精度下,本软件具有更高的计算效率.已建立http：//www.ebeam.com.cn网站,将HNU-EBL软件免费授权给EBL用户使用.     

单晶样品材料的生长与纳米量级光刻工艺探索

基于电子束直写技术在纳米尺度刻蚀的标准过程,探索适用于单晶样品的刻蚀工艺,在微米尺度上建立一套方案,给出各步骤条件参量,以期进一步应用到单晶样品的纳米尺度光刻。     

n型Si接触电极系统研究

用电子束蒸发方法，在ｎ型硅上制作不同的复合金属－ｎ型硅接触系统。对接触系统的接触电阻、机械牢固度、稳定性进行了试验，实验结果表明，Ｍｇ／Ａｌ－ｎＳｉ接触系统具有很低的接触电阻，其比电阻为１．４×１０－６Ω·ｃｍ￣２，并且有良好的机械牢固度，耐高温冲击和高温环境的侵蚀。     

钛酸钠纳米线的电传输特性研究

利用电子束光刻技术制作了基于钛酸钠纳米线的纳米器件。分别在大气和真空两种环境下测量了该器件的电学特性,发现器件所处的气体环境可以影响其电传输特性,这可能是由于纳米线表面的氧分子吸附造成的。另外,还研究了紫外光（UV）照射纳米线对器件电学特性的影响,发现紫外光可以使纳米线产生很大的光电导。研究表明上述纳米器件可用作气体探测器和光电探测器。     

电子束光刻设备发展现状及展望

 电子束光刻设备在高精度掩模制备、原型器件开发、小批量生产以及基础研究中有着不可替代的作用。在国外高端电子束光刻设备禁运的条件下,中国迫切需要实现高端国产化设备的突破。介绍了电子束光刻设备发展历程,列举了当前活跃在科研和产业界的3种设备（高斯束、变形束、多束）的主要厂商及其最新设备性能,并概括了国产化电子束光刻设备发展现状。通过国内外电子束光刻设备性能的对比,总结了国产化研发需要解决的关键性难题。其中,着重介绍了高端高斯电子束光刻设备国产化需要面临的技术挑战：热场发射电子枪、高加速电压、高频图形发生器、极高精度的激光干涉仪检测技术及高精度电子束偏转补偿技术。     

原子光刻技术

针对原子光刻技术在纳米计量及传递作用中的特殊地位,介绍了该技术的基本原理、方案、刻及Cr原子光刻实验.通过与其他微刻印方法的比较,展望了其应用于微电子学等领域的前景。     

四大公司联手研发纳米光刻技术目标为线宽22纳米

著名的四大计算机芯片制造商将与纽约州合作，在今后5年内出资5亿美元，联合开发下一代计算机芯片光刻技术，研究线宽只有人头发丝10万分之一的集成电路。IBM、超微（AMD）、美光（Mi鄄cron）及德国英飞凌四家公司与纽约州日前宣布了这一计划。纽约州计划出资18亿美元，上述四家公司各出5000万美元，另外几家提供原料和设备的公司出资2亿美元。     

电子束直写模版电沉积制备图案化磁记录介质

以电子束直写光刻图形为模版,采用直流电沉积和数值模拟的方法,研究了镍纳米柱阵列图案化磁记录介质的制备工艺和模版电沉积过程中的沉积不均匀问题.研究结果表明,在加速电压、曝光电流确定的条件下,电子束直写光刻模版孔径由曝光时间决定,模版的孔径和孔距在10 nm量级精确可调.在纳米孔阵列模版中进行电沉积时,适当增大孔距,降低阴极电解电势,可以减小电沉积过程中相邻孔之间的相互干扰,提高电沉积的均匀性,从而为图案化磁记录介质的电沉积制备提供了一种新的方法.     

低能电子束光刻的Monte Carlo模拟

利用Mott截面和介电函数模型,借助Monte Carlo方法模拟了电子在光刻胶PMMA和衬底中的弹性散射和非弹性散射.通过统计电子的能量沉积分布,发现低能电子的大部分能量沉积在光刻胶中而非衬底,所以在电子束光刻中有着更高的效率.并且还得到了在不同的入射电子能量下,光刻胶完全曝光所对应的的最佳厚度.     

浅析光刻设备与技术的发展

阐述了光刻设备技术的的发展,描述了浸没式光刻技术、纳米压印光刻工艺设备基本原理、技术优势,并展望几种光刻技术的前景。     

纳米晶铜中离子注入碳后的组织结构研究

对纯铜进行表面机械研磨处理（SMAT）,获得纳米晶表层,且晶粒尺寸沿深度方向逐渐增大。采用离子注入技术在纳米晶纯铜中注入碳,利用透射电子显微镜（TEM）与高分辨电子显微镜（HRTEM）进行原位动态观察。结果表明,碳在基体的表面析出,形成无定形碳膜,在电子束的照射下形成洋葱状富勒烯。同时讨论了离子注入、电子束照射、纳米晶结构及碳原子与铜原子的相互作用对碳洋葱状富勒烯形成的影响。     

融合顶帽和Canny算子的电子束斑图像特征分析

电子束技术在切割和表面融合方面得到了广泛应用.为了更好地检测电子束技术在实际应用中的效果,基于OpenCV对电子束斑图像进行处理分析,提出了电子束斑图像处理算法.该算法融合顶帽和Canny算子进行边缘检测,同时计算得到轮廓的圆度参数与宽度参数,并进行双阈值提取,成功得到清晰的目标轮廓;基于网格计数法提出的电子束斑图像专...     

美开发出热蘸笔纳朱光刻技术

据美国物理学家组织网2011年11月7日报道，美国科学家首次厘清了温度在蘸笔纳米光刻技术中的作用，据此研制出的热蘸笔纳米光刻技术能在物质表面构造大小为20纳米的结构。     

纳米压印光刻中的多步定位研究

在步进重复式压印光刻中，为了避免承片台支撑绞链结构间隙及微观姿态调整往返运动导致的表面材料不规则形变，建立了单调、无振荡、多步逼近目标位置的宏微两级驱动系统，并提出了径向基函数一比例、积分、微分（RBF-PID）及单调位置控制算法．控制结果证明，使用具有强鲁棒性的RBF-PID非线性控制模式，使得驱动过程呈现无超调、无振荡的单调过程，因此避免了由于系统微观振荡调节而引入的间隙误差和材料表面形变误差．此控制方式可使步进重复式压印系统的定位精唐左满足100mm行程驱动的前提下，达到小干10nm的定位枝术指标．     

借助光刻成像仿真软件的μDBO穿线套刻标记

在光刻机的对准、曝光和量测等过程中，存在量程范围小，测量精度要求极高的套刻标记。这些套刻标记在实现特定功能的同时，会受到多种误差的影响，比如标记线宽与设计差异、标记线条边缘粗糙度、标记边缘效应等。该文旨在解决光刻套刻量测领域中的问题，特别是针对业界常用的微型衍射套刻(micro diffraction-based overlay,μDBO)标记，通过对穿线套刻情形进行量测过程的仿真研究，提出了一种借助光刻成像仿真软件进行标记量测结果仿真的方法。该文运用自制代码的DrM软件和商业仿真软件HyperLith作为工具，两者的仿真结果均定性还原了实验中探测到的特殊亮暗线现象，验证了该方法用于量测仿真的可行性。此外，该文还对匹配实验仪器的穿线套刻μDBO标记设计、照明波长、照明配置和待测信号区域等参数进行仿真优化，输出了基于目前实验配置的优化标记与方案。     

纳米TiO2薄膜紫外-可见透射光谱研究

对于采用溶胶-凝胶法和电子束蒸发在普通载玻片上制备的均匀透明纳米TiO2薄膜，通过观测薄膜的紫外-可见光透射率光谱，对其光谱特性和吸收边缘进行了研究，同时测算了TiO2薄膜的光学禁带宽度．     

纳米结构与纳米材料：合成、性质与应用

本书介绍了纳米结构和纳米材料的合成与制造，包括性质与应用，特别是无机物纳米材料。对于零维、一维和二维的纳米结构以及特殊的纳米材料（碳纳米管、有序中间多孔氧化物），以及在化学工艺和光刻技术这两个方面的应用作了介绍。     

低气压气体放电电子束机理的探讨

本文在实验研究的基础上，对气体放电电子束的形成机理和物理模型提出了的见解，并以此为依据对电子束的能谱进行了模拟，实验结果与理论符合很好。