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相似文献
 共查询到10条相似文献,搜索用时 703 毫秒
1.
CO气体敏感元件的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了作者当前CO敏元件的研究进展,采用SnO2材料和γ-Fe2O3材料研制的旁热式CO气敏元件的基本特性,以及用SnO2.lnO3材料制作的常温电阻型和振荡型气敏元件的特点。  相似文献   

2.
本文讨论了具有Ni—Si接触的丝网印刷绒面硅太阳电池的工作原理、制造方法及光电特性。利用电阻率为1Ωcm左右的P型[100]复拉单晶硅制成的φ75mm圆形电池,在AM1.5条件下,开路电压560~580mv,效率9~11%。通过烧结改善了Ni-Si接触,解决了Ni-Si接触电极的牢固度问题。丝网印刷绒面电池的试制成功,为进一步降低地面应用硅太阳电池成本,扩大批量生产能力,提供了新方法。  相似文献   

3.
介绍了作者当前CO敏元件的研究进展,采用SnO_2材料和y-Fe_2O_3材料研制的旁热式CO气敏元件的基本特性,以及用SnO_2Fe_2O_3材料制作的常温电阻型和振荡型气敏元件的特点。  相似文献   

4.
铁基形状记忆合金热塑性   总被引:2,自引:1,他引:2  
研究了Fe-Mn-Si形状记忆合金热塑性。结果表明:合金中硅含量的增加可提高合金的记忆效应,却严重损害合金热塑性;微量元素Mg的加入可大大改善合金的热塑性,而不降低记忆效应。由于Mg元素的加入,含Si量达4%的Fe-Mn-Si形状记忆合金也能顺利地热轧成无缝管,提高了Fe-Mn-Si形状记忆合金实用性。  相似文献   

5.
n连通图的可收缩边,人们分别在图中无三角形及图G的最小度≥3/2n-1时等情况中,给出了边数下界,利用边断片给出了n连通图在边原子阶≥n/2时可收缩边的下界,进而给出在最小度≥4/3n-1时的边数下界。  相似文献   

6.
研究了利用VETO技术获得的一种新的Sn-SnOx电阻式薄膜湿度传感器;湿敏薄膜包含β-Sn、SnO和SnO2态,SEM观察表明,孔尺寸在0.1~0.5μm之间的表面结构对应着高性能的湿度传感器,环境湿度从11%~97%RH的变化过程中,传感器阻抗变化约三个量级,传感器具有小子30s的恢复时间。  相似文献   

7.
我们用正交表研究GaAs的欧姆接触工艺.实验结果表明, p-GaAs用 Au—Cr 金、n-GaAs用 Ag—Sn合金的欧姆接触工艺.比接触电阻率 Rc<10-4(欧姆)(厘 米)3应用于 GaAs—Ga1-xAlxAs双异质结激光器.得到良好的效果。  相似文献   

8.
将电触头弹跳现象作为自由振动碰撞的强非线性或突变问题处理,应用计算机数值模拟获得该问题的理论解,由此发现弹跳过程是无序运动,从理论上揭示了非线性动态接触电阻产生的动力学根源,数值模拟结果表明电接触系统机械设计参数对接触的动态过程有显著的影响.提出机械参数良好的匹配是改善和提高电接触元器件性能指标的经济、有效的方法.文中也给出可供工程设计应用的系统机械参数匹配曲线  相似文献   

9.
用理论分析方法研究了硅微悬臂梁的电热激振机理,得到了微机械悬臂梁电热激励下的温度场分布,并推导出了镀膜双层硅微悬臂梁的电热激励热力矩。利用硅微机械加工工艺制作了双层结构硅微悬臂梁谐振器,通过在硅微悬臂梁上制作的热激励电阻,用电热方法对硅微谐振器实现了激振。设计了光纤传感检测系统用于硅微谐振器微弱谐振信号的拾取,并成功检测到了硅微谐振器的前3阶谐振信号。  相似文献   

10.
谭智平 《衡阳师专学报》1996,14(6):21-24,49
对只有一个变点模型x(i/n)=f(i/n)+α(i/n),其中,f(ft)=「J1+S1(t-t0),0〈t≤t0,J2+S2(t-t0),t0〈t≤1,ε(n/n),…,ε(n/n)独立同分布,J1,J2,S1,S2,t0为未知参数,讨论了变点t0处,跳变度(J2-J1)和坡变度(S2-S1)的联合分布。  相似文献   

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