45钢热处理的正电子寿命谱分析

我们测定了45钢从820℃淬火后分别在200℃、400℃、600℃回火及加热到740℃的正电子寿命谱;测定了经上述处理的试样的硬度和微观应力。结果表明,对于淬火试样,τ_1和τ_2的数值比较接近。随着回火温度的增加,τ_1减少I_1增加,τ_2增加I_2减少。这与位错密度和点阵静畸变减少、空位集中形成空位团相关。硬度和微观应力与正电子寿命τ_1之间有一定的对应关系。     

(VNi)_2O_3陶瓷的绝缘体-金属转变

(VNi)_2O_3陶瓷样品从液氮升温测量电阻率和正电子寿命谱。在-110℃附近出现绝缘体至金属转变。发现长寿命τ_2的I_2在低温下有12％的值,但在转变温度T_t上突增至26％,τ_2由388变至352ps;而短寿命τ_1却保持148ps不变。其结果可用Zeiger理论及对V_2O_3的绝缘体-金属转变二能带模型解释。τ_2可考虑为α_1能带上电子的贡献;τ_1的成份和晶体中e(π)能带有关。     

正电子谱学技术在功能材料微结构表征中的应用

特殊功能材料是一些具有优良电学、磁学、学、热学、学、力学、化学、物医学功能,在各类高科技领域到泛应用.正电子湮没技术是一种对材料微结构特别有效探测技术,特别是对各种缺陷、空位和微孔尤为灵敏,通过正电子湮没寿命谱、多普勒展宽谱和慢正电子束技术,通过分析正电子湮没参数可以获材料从表面到内部缺陷分布信息和随外部物理和化学条件变化、引起微结构变化.本文选取几种特殊材料正电子湮没实验结果来分析材料内部微结构,表明正电子湮没谱学是一种独特研究微观结构方法.     

6H-SiC γ辐照的正电子研究

用正电子湮没寿命谱(PALS)方法对经过不同剂量γ辐照的n型6H-SiC内的缺陷进行研究.实验表明,辐照可以使样品内部产生单空位缺陷Vc.对实验中得到的寿命谱的变化进行分析发现,低剂量的γ辐照对n型6H-SiC有类似退火效应的作用.这些研究结果可以为n型6H-SiC的生产及其可能的应用提供有效的参考价值.     

未掺杂SI-GaAs退火行为的正电子湮没研究

用正电子湮没技术,研究了未掺杂的SI-GaAs退火行为。结果表明,长寿命分量τ_2的变化不仅与镓空位而且和多镓空位络合物有关。本文还讨论了电子和中子辐照的影响。     

非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究

本文针对磷化铁(FeP_2)气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟(IP SI-InP)材料,应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况.研究发现,该材料经电子辐照后缺陷浓度在增大,且形成了复合体的缺陷结构.电子辐照后的正电子湮没平均寿命增加了18 ps,对应的热激电流谱(TSC)也出现了相应的缺陷峰.本文还对缺陷的特性、影响材料的性能等进行了简要的论述.     

基于正电子湮没寿命谱研究Fe-6.5wt.%Si合金中热空位的生成

正电子湮没技术（PAT）是一种无损伤的材料探测技术,它可以反映正电子所在处电子密度或电子动量分布的信息.由于正电子对原子尺度的缺陷非常敏感,所以正电子湮没技术（PAT）是研究纯金属及金属间化合物中热空位生成的有效工具.基于正电子寿命谱技术对金属间化合物Fe-6.5wt.%Si合金热轧板在不同温度退火后缺陷变化进行研究,发现了正电子平均寿命在673K左右迅速增加,673至1073K温度范围内平均正电子寿命的温度曲线为明显的S形状,1073K以上平均正电子寿命趋于常数,通过分析正电子平均寿命的温度变化曲线,得到了Fe-6.5wt.%Si合金中热空位生成的临界温度值,并计算得到了该合金的空位生成激活焓为HVF=0.54eV.     

掺杂SrTiO_3陶瓷的介电性及正电子湮没

本文应用正电子湮没寿命谱方法研究掺杂SrTiO_3陶瓷的介电性.通过对不同掺La量SrTiO_3的介电常数、损耗因子、正电子在样品中的湮没寿命的测量,发现介电常数、损耗因子随掺La量的变化与正电子寿命参量的变化存在着某种关系;文中用Sr空位及La离子与Sr空位缔合体模型解释了这些变化与关系.     

塑性形变p型GaAs中的缺陷特性研究

用正电子湮没命谱研究了塑性变形ｐ型砷化镓中的缺陷性质,样品原始载流子浓度为２．６３×１０＾１８ｃｍ＾－３,形变量分别为２．５％,５％,７．５％,１０％和１５％,室温正电子寿命测量结构显示,形变样品中有新的空间型缺陷产生,鉴定为空位团,根据塑性多变样品中空位团的正电捕获率的大小和寿命谱温度关系初步判断,在ｐ型ＧａＡｓ中,塑性形变产生的空位团的荷电性为正,正电子寿命温度实验显示,在低温下形变样品中还存     

金属中电子结构的密度泛函方法与正电子湮没技术

以密度泛函理论为基础,利用简化的胶体模型,在局域密度近似下研究金属中的空位型缺陷的电子结构和以正电子寿命为表征的缺陷谱.结果表明,随着空位尺度的增加,正电子寿命亦增加并直到饱和值.     

用正电子湮没技术研究Ⅰ型裂纹尖端附近的损伤区

用正电子湮没技术研究LY12CZ铝合金材料裂纹尖端附近的损伤区,采用正电子湮没寿命谱的两态捕获模型,将正电子在缺陷中湮没的平均寿命τ作为损伤变量的参量,得到裂纹尖端附近区域损伤值D的分布,并发现从裂尖到离裂尖大约1／2板厚处范围内具有三维效应。     

未掺杂SI—InP中缺陷的正电子寿命研究

在１０－３００Ｋ的温度范围内,测量了用液封直拉法（ＬＥＣ）生长的ｎ－ＩｎＰ经高温退火后形成的未掺杂ＳＩ－ＩｎＰ晶体的正电子寿命谱,用ＰＡＴＦＩＴ和ＭＥＬＴ两种技术分析了正电子寿命谱。常温下的结果表明,ＳＩ－ＩｎＰ中存在甸空位ＶＩｎ或与杂质的复合体缺陷。观察到在１０－２２０Ｋ之间正电子的平均寿命τｍ随温度的升高而减小,表明上述缺陷是带负电荷的铟空位ＶＩｎ的氢复合体;但是在低温下还存在正电子浅捕获态。     

KCl在NaY沸石中扩散的正电子谱学研究

用正电子湮没寿命谱学的方法研究微量水对KCl在NaY沸石中扩散的影响, 实验分别测量了有吸附水与脱水后担载量为10%的KCl/NaY寿命谱.所有寿命谱经4个寿命分量分解,其中三、四寿命分量分别对应β笼与超笼微环境状态.实验表明在无水常温条件下KCl不能自发地在NaY沸石中扩散,微量水对KCl在NaY沸石中扩散有非常明显的影响.     

用正电子湮没寿命谱法研究退火对镍镀层结构的影响

测量了四种典型镍镀层的采透火和退火试样的正电子湮没寿命谱。根据实验结果,观察到镀层渗氢,空位缺陷热迁移,镀层的化学聚团作用以及再结晶等重要现象,并对这些现象进行了分析。     

S异步恒延伸轧制产品B_2F钢的正电子湮没研究

本文用正电子湮没技术研究了PV-E轧制产品B_2F钢,测得了正电子寿命与轧制压力及机械性能间的对应关系,为PV-E轧制工艺提供了依据。实验表明,轧制过程中B_2F钢中存在大量位错和空位团缺陷,且正电子寿命与速比有一定对应关系,揭示了速比对机械性能的影响。     

W-K合金中空位型缺陷的浓度和尺寸研究

W-K合金具有熔点高,抗热冲击性能强,抗氢氦等离子辐照能力强等众多优点,特别是钾泡的形成能稳定晶界、充当钉扎点和细化晶粒的作用,从而改善了W-K合金材料的性能.由于正电子寿命谱分析技术对纳米尺度的空位型缺陷极为敏感,因此本文采用该方法测量了正电子在不同钾含量下W-K合金的寿命值大小和相应的强度,并依据正电子湮没的两态捕获模型,对拟合的正电子寿命成分进行数据处理,同时对钾泡浓度和尺寸的变化情况进行了分析和讨论.     

纳米SnO_2的氧缺陷研究──Mossbauer谱与PAT寿命谱

本文采用Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱和ＰＡＴ寿命谱对纳米ＳｎＯ_２进行研究。结果表明，纳米ＳｎＯ_２的界面相和在真空环境处理造成的氧缺陷，使Ｓｎ４＋的离子特征下降，改变了样品的超精细结构参数。根据正电子在表面缺陷湮没的两种不同机制，分析了捕获缺陷的类型及其浓度的变化情况。实验表明，纳米ＳｎＯ_２晶界缺陷处Ｓｎ原子附近的电子密度较大，结构中的氧缺陷使电子密度进一步增大。     

石墨晶体中电子动量分布的各向异性研究

测量了石墨和纳米碳样品沿不同方向的正电子湮没辐射Doppler展宽谱,研究样品中电子动量分布.结果表明,纳米碳样品的缺陷浓度高于石墨;石墨中自由电子的平均动量高于纳米碳.石墨晶体中的自由电子动量分布表现出显著的各向异性: 沿石墨晶体的[0001]方向的自由电子(即2Pz电子)的动量最大;偏离该方向越大,自由电子的动量越小;垂直于[0001]方向的自由电子的动量最小.而且,Doppler展宽谱的S参数与cos2θ呈线性关系(θ是石墨[0001] 晶向与探头方向的夹角);而纳米碳中自由电子动量的分布不存在明显的各向异性.     

La0.67Sr0.33MnO3体系的Mn位铁掺杂效应

采用固相反应方法制备了名义成分为La0.67Sr0.33Mn1-xFexO3(0≤x≤0.20)的系列样品.通过对La0.67Sr0.33MnO3系列样品的XRD曲线、R—T曲线的测量,研究了Fe掺杂对样品磁电性质的影响.室温下利用正电子湮没技术对样品进行了研究,根据正电子寿命谱参数的变化情况讨论了掺杂样品中缺陷及电子结构的变化.实验结果显示,该系列样品可以忽略氧空位缺陷的影响,样品中位错、微空洞和晶界等缺陷的存在、铁磁与反铁磁作用的相互竞争及样品内部电子局域化所形成的极化行为等因素导致了样品性质的变化.     

W-K合金的正电子湮没寿命谱研究

正电子湮没技术（PAT）是一种无损的材料探测技术,它可以反映正电子所在处电子密度信息,而电子密度信息能反映材料内部微尺寸变化,正电子对于纳米尺寸缺陷的变化非常敏感. 本文用正电子湮没技术中的正电子湮没寿命谱分析技术（PLAS）,对WK混合粉体在不同温度和压强条件下烧结后的微尺寸缺陷变化进行了分析,表明压强对于WK合金的缺陷变化没有明显的影响,而WK合金的微尺寸缺陷随温度有明显变化.