非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究

本文针对磷化铁(FeP_2)气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟(IP SI-InP)材料,应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况.研究发现,该材料经电子辐照后缺陷浓度在增大,且形成了复合体的缺陷结构.电子辐照后的正电子湮没平均寿命增加了18 ps,对应的热激电流谱(TSC)也出现了相应的缺陷峰.本文还对缺陷的特性、影响材料的性能等进行了简要的论述.     

磁控溅射制备的含He纳米晶铜膜的微结构分析

采用直流磁控溅射法,在不同的He/Ar混合气氛下,制备了不同He含量的铜膜.利用弹性反冲探测（ERD）方法探测了铜膜中氦的含量和深度分布,实验发现引入铜膜中的氦深度分布较均匀;并本文采用X射线衍射（XRD）分析了铜膜中氦的微结构,实验结果表明随着铜膜中氦含量的逐渐增加,对应Cu（111）晶面的峰强也有所增强;最后应用了慢正电子束分析（SPBA）技术测量了不同含氦铜膜的缺陷结构,随着铜膜中氦的增加,S参数会发生相应的变化.