非掺半绝缘InP材料的电子辐照缺陷研究

本文针对磷化铁(FeP_2)气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟(IP SI-InP)材料,应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况.研究发现,该材料经电子辐照后缺陷浓度在增大,且形成了复合体的缺陷结构.电子辐照后的正电子湮没平均寿命增加了18 ps,对应的热激电流谱(TSC)也出现了相应的缺陷峰.本文还对缺陷的特性、影响材料的性能等进行了简要的论述.     

非原生掺杂半绝缘磷化铟(InP)及其应用对比

过去的几年中,由于1.31和1.55 μm波长半导体激光器在光纤通信领域得到了广泛的应用。磷化锢(InP)衬底材料的研究和规模化生产因此受到了极大的推动,并已逐步成为继硅(Si)和砷化镓(GaAs)之后又一重要的化合物半导体材料.与GaAs相比,InP晶体具有高的饱和电场漂移速度、良好的导热性和较强     

a-Si:H/a-Si_(1-X)C_X:H 超晶格的光学性质

本文报导了未掺杂的 a—Si∶H/a-si_(1-x)C_x∶H 超晶格的 PPC 效应及光学带隙的兰移现象.通过红外测(?)发现:(Si—C)键的吸收强度随超晶格界面数的增加而增大.     

高温退火处理的磷化铟中的深能级缺陷

用深能级瞬态谱(DLTS)研究了高温退火处理后磷化铟中的深能级缺陷. 在退火前以及纯磷和磷化铁气氛下, 退火后低阻磷化铟中的深能级缺陷的数量和浓度明显不同, 磷化铁气氛下退火后的磷化铟中只有0.24和0.64 eV两个缺陷, 而纯磷气氛下退火后的磷化铟中可测到0.24, 0.42, 0.54和0.64 eV 4个缺陷, 退火前的原生磷化铟样品中有的只有0.49和0.64 eV两个缺陷, 有的只有0.13 eV一个缺陷. 根据这些结果, 讨论了退火气氛对缺陷的产生和抑制作用的物理机理.