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在4.2至300K的低温范围内对组分邻近于准同型相界的纯钛锆酸铅压电陶瓷(PZT)的介电性质和压电性质进行了实验研究.结果表明,组分紧靠准同型相界的PZT具有最大的介电和压电活性.结果还表明,至少有两个弛豫过程对纯PZT的介电性质和压电性质有所影响.文中指出了导致这些弛豫过程的可能机制,讨论了50/50组分在其ε_(33)~T-T曲线上于150K附近出现的拐变现象. 相似文献
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本文研制了n型半导化的施主掺杂PbTiO_3陶瓷,对其n型化机理进行了探讨,测量了不同温度下铅空位的扩散系数,文中还报道了n型化PbTiO_3陶瓷阻温双峰异常现象。 相似文献
3.
本文应用正电子湮没寿命谱方法研究掺杂SrTiO_3陶瓷的介电性.通过对不同掺La量SrTiO_3的介电常数、损耗因子、正电子在样品中的湮没寿命的测量,发现介电常数、损耗因子随掺La量的变化与正电子寿命参量的变化存在着某种关系;文中用Sr空位及La离子与Sr空位缔合体模型解释了这些变化与关系. 相似文献
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微波介质陶瓷的低频介电特性 总被引：4，自引：0，他引：4
通过对一系列ＢＬＴ系陶瓷材料的低频介电频谱和介电温谱的测试和分析,不仅为在低频下测试介电常数ε和介电常数的温度系数τ,来估计其微波性能提供理论依据,也为检验微波介质陶瓷工艺完善性提供一种方法。 相似文献
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通过对一系列BLT系陶瓷材料的低频（103～107Hz）介电频谱和介电温谱的测试和分析,不仅为在低频下测试介电常数ε和介电常数的温度系数。来估计其微波性能提供理论依据,也为检验微波介质陶瓷工艺完善性提供一种方法． 相似文献
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80年代初,氧化钒系大功率PTC陶瓷热敏电阻出现了,关于这种材料的PTC效应的机理尚处在研究中。本文首次用正电子湮没技术研究这种材料随温度发生的金属-绝缘体(M-I)相变,讨论了正电子湮没参量与材料微观结构变化之间的关系。1.样品制备及实验 相似文献
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本文分析了(Ba-Pb)TiO_3系半导瓷材料中载流子浓度与铅含量之间的关系,针对这类高含铅的PTC材料中载流子浓度小的特点,重点讨论了掺杂元素锰对其室温电阻率和PTC效应的影响,并且指出,制备高含铅PTC半导瓷材料可以不掺或少掺锰。 相似文献
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陶瓷烧结的关键问题,是原子的扩散和迁移,适当的掺杂物在陶瓷烧结过程中能促进缺陷的形成.本文报导以MgO为矿化剂掺杂KTaO_3陶瓷的研究结果.用常规的烧结方法获得了良好的晶粒生长及微结构.在4.2—540K的温度范围内测量了介电系数及介电损耗,发现了一些不同于纯KTaO_3陶瓷的结果. 相似文献
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