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配合时域介电谱方法用正电子湮没技术对硫酸三甘肽（ＴＧＳ）的铁电相变过程进行了测量，发现正电子寿命谱有两个较强的成份和一个很弱的成份，后者相应于正电子偶素，各分量在相变点附近很窄的温区出现奇异性质，对其起因作了解释 相似文献
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ＺｎＯ压敏陶瓷在工作电压长期作用下，会产生电流蠕变现象，使Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒不稳定．用正电子湮没技术（ＰＡＴ）证实：ＺｎＯ在适当温度下的氧化热处理，使氧离子Ｏ－或Ｏ２－吸附于晶界层内并有利于提高ＺｎＯ性能稳定性 相似文献
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铌酸锂单晶的内旋转和电子态 总被引：1，自引：0，他引：1
将铌酸锂单晶在各种温度下出现的结构参数和物性参数异常现象同氧八面体内旋转理论进行了对比,单纯从晶格动力学角度不足以解释实验现象.用正电子湮灭寿命谱技术在20—85℃范围对晶体中的电子态探测的结果表明,存在着自由态和捕获态两种湮灭机构.捕获态的长寿命和相对成份在75℃附近出现异常,可以解释为价电子态在转变过程中的弛豫效应. 相似文献
4.
ＣｕＺｎＡｌ形状记忆材料（或记忆合金元件）随着热循环反复相变周数增加，相变温度往低温漂移，相变速率与相变热滞减小而记忆性能无大的变化，正电子寿命谱测量表明这些现象主要与空位聚集形成空位团有密切关系。 相似文献
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(VNi)_2O_3陶瓷样品从液氮升温测量电阻率和正电子寿命谱。在-110℃附近出现绝缘体至金属转变。发现长寿命τ_2的I_2在低温下有12％的值,但在转变温度T_t上突增至26％,τ_2由388变至352ps;而短寿命τ_1却保持148ps不变。其结果可用Zeiger理论及对V_2O_3的绝缘体-金属转变二能带模型解释。τ_2可考虑为α_1能带上电子的贡献;τ_1的成份和晶体中e(π)能带有关。 相似文献
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利用正电子湮灭技术研究了氧化锌的非线性电阻效应。由短寿命τ_1及其成份I_1随电流i变化曲线同压降曲线的相似性证明该成份属于传导电子和正电子的湮灭。实验结果支持Schot-tky势垒模型对晶粒间界提供的压敏效应的解释。 相似文献
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从简单的正电子物理图像出发，引入正电子在陷阱中湮没竞争机制，提出了一个新的陷阱湮没模型，并采用这个模型分析了多陷阱的高温超导材料中的正电子湮没特征，此模型可用于探索非平衡缺陷问题的普遍情况． 相似文献
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