首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   2篇
  免费   0篇
  国内免费   20篇
综合类   22篇
  2020年   1篇
  2018年   1篇
  2016年   1篇
  2015年   1篇
  2013年   2篇
  2012年   1篇
  2010年   1篇
  2005年   1篇
  2004年   2篇
  2003年   1篇
  2000年   2篇
  1999年   1篇
  1998年   2篇
  1995年   2篇
  1994年   3篇
排序方式: 共有22条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
(d,p)核反应广泛地应用于轻元素无损分析中,特别是深度分布分析。但当样品中存在着多种轻元素或者在厚样品的情况下,对应于各种核素甚至同一核素不同能级的带电粒子峰将会相互重叠和干扰,以至于不能进行可靠的分析。作者利用(d,pγ)核反应p-γ符合技术,通过测量与伴随γ射线相符合的带电粒子谱(质子谱),进行深度分布分析。结果表明,此符合技术能极大地降低本底,排除干扰,得到满意的结果。  相似文献   
2.
粮食作物提供的植物蛋白是人体所需要的蛋白质中最基本、最重要的来源 ,提高粮食作物中的蛋白质含量 ,对改善食品质量、提高营养水平有着重要意义 ,国际上一直把改善谷物蛋白质含量作为重要研究课题 .测定植物样品中蛋白质含量的传统方法是K氏 (Kjeldahl)化学分析法 ,但K氏法是破坏性的 ,同时又很费时 ,难以满足在选种培育计划中对大批量样品进行快速分析的需要 .因此由基于对氮元素成分的分析出发 ,从而促进了确定蛋白质含量的核技术在这一需求下得到迅速的发展[1] ,如快中子活化法、热中子活化法、光子活化分析法和由质子、α粒…  相似文献   
3.
作者用Si(Li)探测器测量了能量为5~2keV的电子碰撞Ag的L壳总平均电离截面;用Monte Carlo方法计算的电子反射能谱,修正了来自衬底的反射电子对测量结果的影响.作者对实验结果与Cryzinski的理论计算结果进了比较.  相似文献   
4.
5.
作者使用^241Amα标准源与卢瑟福背散射相结合的方法,对四川大学原子核科学技术研究所的2.5MeV静电加速器进行了能量刻度,并利用卢瑟福背散射方法测量了一系列A1衬底金属薄靶的厚度,所测结果与称重法进行了比较,作者将卢瑟福背散射方法所测厚度值运用到电子碰撞引起原子内壳层电离截面的测量工作中,取得了满意的结果。  相似文献   
6.
利用低能区(不大于80MeV0中的^12C(p,p’),^12C(p,n)及^40(p,p‘)实验数据,在DWBA理论框架下,检验了由Halderson提出的一种新的低能区核子-核子有效相互作用,分析了此种核子-核子有效相互作用与M3Y核子-核子有效相互作用的相似性及其差异,并采用不同方法对其张量力成分进行了修正 。  相似文献   
7.
质子非弹性散射中跃迁密度的壳模型计算安竹(原子核科学技术研究所)采用Brown等人的sd壳模型,针对 ̄(28)Si的和态讨论了在有效相互作用研究中,有关自旋和流跃迁密度与质量跃迁密度等问题。1计算方法Brown,Radhi和Wildenthal用壳模...  相似文献   
8.
近年来,我们致力于将氚$衰变诱发X射线谱分析(BIXS)方法发展成为一种准确测量含氚薄膜中氚量及分布的常规方法.该方法结合了蒙特卡罗模拟与Tikhonov正则法,近期已用于一系列氚化钛薄膜样品总氚量、深度分布的分析.增强质子背散射分析(EPBS)方法作为一种快速、无损的杂质成分含量及深度分布的分析手段,在本文中被用于该系列氚化钛薄膜样品的分析,并与相应的BIXS结果进行了比较,对分析中的有关问题也进行了讨论.  相似文献   
9.
本文使用EPBS方法分析了含氚及含氘与氚钛膜样品中氚及氘的含量与深度分布,并将氚的分析结果与PVT方法所给出的结果进行了比较.实验所使用的Ti膜衬底是Mo,在EPBS能谱的低能端, Mo元素的模拟谱与实验谱偏差较大,会导致分析结果不准确.为消除EPBS实验谱中的Mo谱对分析的影响,本文使用了一个Mo衬底的TiH_(1.81)样品成功扣除了EPBS实验谱中的Mo本底,扣除Mo本底后可以直接模拟样品中氘与氚的能谱,使得分析结果更为精确可靠.  相似文献   
10.
正电子湮没技术(PAT)是一种无损的材料探测技术,它可以反映正电子所在处电子密度信息,而电子密度信息能反映材料内部微尺寸变化,正电子对于纳米尺寸缺陷的变化非常敏感. 本文用正电子湮没技术中的正电子湮没寿命谱分析技术(PLAS),对WK混合粉体在不同温度和压强条件下烧结后的微尺寸缺陷变化进行了分析,表明压强对于WK合金的缺陷变化没有明显的影响,而WK合金的微尺寸缺陷随温度有明显变化.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号