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介绍一种分析a-Si掺杂效率的新方法。该法能够很好地解决a-Si全掺杂范围内掺杂浓度和掺杂效率的计算问题,简便易行,为a-Si掺杂性能研究和器件设计制造提供可靠的掺杂浓度和掺杂效率值。 相似文献
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采用增量调制、移频键控、频分复用等技术实现地震波信号的采集、传输和数据处理。其电路结构简单,工作可靠,信噪比高,抗干扰能力强,测量精确。 相似文献
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基于55nm CMOS工艺设计并制造了一款小数分频锁相环低相噪10GHz扩频时钟发生器(SSCG).该SSCG采用带有开关电容阵列的压控振荡器实现宽频和低增益,利用3阶MASHΔΣ调制技术对电路噪声整形降低带内噪声,使用三角波调制改变分频系数使扩频时钟达到5 000×10~(-6).测试结果表明:时钟发生器的中心工作频率为10GHz,扩频模式下峰值降落达到16.46dB;在1 MHz频偏处的相位噪声为-106.93dBc/Hz.芯片面积为0.7mm×0.7mm,采用1.2V的电源供电,核心电路功耗为17.4mW. 相似文献
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提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOSFET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法对。BJMOSFET的频率特性进行了模拟仿真,与相同结构参数和同等外界条件的传统MOSFET比较,BJMOSFET具有较小的总电容、较宽的通频带、良好的小信号瞬态特性和很小的大信号失真,证明了BJMOSFE比MOSFET具有更好的频率响应特性。 相似文献
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设计了基于TFT-LCD显示的库仑计,利用基于上华0.5μ m 工艺模型设计的 CMOS 库仑计芯片检测电池当前电压,将电池电压转化为相对应的 5 位二进制代码。这 5 位二进制代码(对应数值为 00000~11111)通过单片机处理转化为十进制输出信号(对应数值为 0~31),作为 TFT 的输入信号,并最终显示到 TFT-LCD 上,进而反映应当前的电量剩余量,由于库仑计模块的输出为 5 位二进制,从而使得 TFT 显示的分辨率为 32 位,能够很精确地反映电池剩余量。
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以舍勒的代表作《伦理学中的形式主义与质料的价值伦理学》为分析文本,阐释了他的"质料先天"的价值内涵及其现象学的理论基础,揭示了他与康德和胡塞尔的复杂关系。"本质直观"是舍勒的质料价值伦理学的理论基石,这不仅反映在他对"质料先天"价值及其秩序的理解上,也体现在他的"人格"概念中。 相似文献
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分析水轮机能量损失的构成,定义了流道水力损失和撞击损失两种新的能量损失,并将水轮机内部能量损失分解为4种类型,定义相应的损失系数.给出了各项损失的表达式或特征描述以及损失系数的率定方法,进而建立了包含内部能量损失特性的水轮机力矩计算模型.利用所建立的模型可计算提取水力机组旋转的机械摩擦损失功率,解决了机械摩擦损失无法测量的困难;撞击损失的定义对空载损失过大的现象给出了合理的解释.采用额定工况下的特征参数来定义一组折算系数,将水轮机力矩模型中的参数转化为便于测量的参数,并进一步转化为关于主接力器位移的单变量函数,使得所导出的力矩模型应用方便.最后以电站实测效率试验数据对本文提出的方法进行了验证,结果表明,本文提出的方法能较好的反映水轮机内部损失特性,计算结果与实测数据吻合较好,精度高. 相似文献
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通过丝束电极测试电阻分布,研究了水基防锈液的防锈性能.测试结果表明,水基防锈液的电阻分布在一定范围,相邻区域的电阻存在差异.表明水基防锈液对金属的防锈性能存在一定的不均匀性.根据丝束电极的电阻分布可判别防锈液的防锈能力:在较低阻区出现的电极数越多,则防锈液防护金属的能力越弱,反之则越强.丝束电极评价防锈液的防锈性能结果和经典试验结果有较好的对应性,且具有所需时间短,结果定量的优势.丝束电极电化学法为快速、准确判别防锈液防锈性能提供了一种新型的方法. 相似文献
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提出一种基于CMOS图像器件的超分辨率图像合成算法,该方法将4幅沿水平、垂直及对角线方向错位获取的CMOS图像重新组合,得到一幅重建的新图像.对重建图像的像素灰度进行了理论分析和计算,求出了重建超分辨率图像的算法.结果表明,在不提高CMOS工艺水平的条件下,该算法能将重建的CMOS图像的分辨率提高到原图像的2×2倍.实现了CMOS图像器件的超分辨率图像合成算法.对该算法进行了计算机仿真,结果同理论分析计算的结果完全一致,证明了所提出的CMOS图像器件超分辨率算法是正确的. 相似文献
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采用一种基于开关电容阵列(SCA)和尾电流源处加入电感电容滤波相结合的电路结构,设计了一个1.8 GHz宽带分段线性压控振荡器.采用TSMC 0.18μm 1P6MCMOS RF工艺,利用Cadence SpectreRF完成对电路进行的仿真.结果显示,在电源电压VDD=1.8 V时,控制电压范围为0.6~1.8 V,频率的变化范围为1.43~2.13 GHz,达到39%,相位噪声为-131 dBc/Hz@1MHz,功耗为9.36 mW(1.8 V×5.2 mA).很好地解决了相位噪声与调谐范围之间的矛盾. 相似文献