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1.8 GHz宽带低相位噪声CMOS压控振荡器设计
引用本文:曾健平,章兢,谢海情,刘利辉,曾云.1.8 GHz宽带低相位噪声CMOS压控振荡器设计[J].湖南大学学报(自然科学版),2007,34(6):37-40.
作者姓名:曾健平  章兢  谢海情  刘利辉  曾云
作者单位:湖南大学,物理与微电子科学学院,湖南,长沙,410082
基金项目:湖南省自然科学基金资助项目(05JJ30115)
摘    要:采用一种基于开关电容阵列(SCA)和尾电流源处加入电感电容滤波相结合的电路结构,设计了一个1.8 GHz宽带分段线性压控振荡器.采用TSMC 0.18μm 1P6MCMOS RF工艺,利用Cadence SpectreRF完成对电路进行的仿真.结果显示,在电源电压VDD=1.8 V时,控制电压范围为0.6~1.8 V,频率的变化范围为1.43~2.13 GHz,达到39%,相位噪声为-131 dBc/Hz@1MHz,功耗为9.36 mW(1.8 V×5.2 mA).很好地解决了相位噪声与调谐范围之间的矛盾.

关 键 词:压控振荡器  开关电容阵列  电感电容滤波  相位噪声
文章编号:1000-2472(2007)03-0037-04
修稿时间:2006-05-03

Design of a 1.8 GHz Wide-Band,Low-Phase-Noise CMOS VCO
ZENG Jian-ping,ZHANG Jing,XIE Hai-qing,LIU Li-hui,ZENG Yun.Design of a 1.8 GHz Wide-Band,Low-Phase-Noise CMOS VCO[J].Journal of Hunan University(Naturnal Science),2007,34(6):37-40.
Authors:ZENG Jian-ping  ZHANG Jing  XIE Hai-qing  LIU Li-hui  ZENG Yun
Institution:College of Physics and Microelectronics Science, Hunan Univ, Changsha, Hunan 410082, China
Abstract:
Keywords:VCO  switching-capacitance array  LC noise filter  phase noise
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