| BJMOSFET频率特性的模拟分析 |
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| 引用本文： | 曾云,尚玉全,晏敏,盛霞,滕涛,高云.BJMOSFET频率特性的模拟分析[J].湖南大学学报(自然科学版),2005,32(1):33-36. |
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| 作者姓名： | 曾云 尚玉全 晏敏 盛霞 滕涛 高云 |
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| 作者单位： | 湖南大学,微电子研究所,湖南,长沙,410082;湖南大学,微电子研究所,湖南,长沙,410082;湖南大学,微电子研究所,湖南,长沙,410082;湖南大学,微电子研究所,湖南,长沙,410082;湖南大学,微电子研究所,湖南,长沙,410082;湖南大学,微电子研究所,湖南,长沙,410082 |
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| 摘 要： | 提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型，定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响，利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOSFET频率特性模拟分析的等效电路，通过提取模型参数，运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法对。BJMOSFET的频率特性进行了模拟仿真，与相同结构参数和同等外界条件的传统MOSFET比较，BJMOSFET具有较小的总电容、较宽的通频带、良好的小信号瞬态特性和很小的大信号失真，证明了BJMOSFE比MOSFET具有更好的频率响应特性。
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| 关 键 词： | 双极MOS场效应晶体管 频率特性 模拟分析 |
| 文章编号： | 1000-2472(2005)01-0033-04 |
Simulated Analysis of BJMOSFET Frequency Characteristics |
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| ZENG Yun,SHANG Yu-quan,YAN Min,SHENG Xi,TENG Tao,GAO Yun.Simulated Analysis of BJMOSFET Frequency Characteristics[J].Journal of Hunan University(Naturnal Science),2005,32(1):33-36. |
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| Authors: | ZENG Yun SHANG Yu-quan YAN Min SHENG Xi TENG Tao GAO Yun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | BJMOSFET frequency characteristics simulated analysis |
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