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基于130 nm绝缘体上硅工艺技术,针对工艺偏差对器件特性带来的影响,提出了一种可跟随工艺偏差自动调整温度系数的电流源;针对交叉耦合电流镜,引入自适应体偏置电路来改善电路在不同工艺角下的温度系数;仿真结果表明:-40~85℃温度范围内,工艺偏差使得所提电流源温度系数偏离典型工艺角下的值为22%,而无体偏置电流源偏离达100%之多,所提电流源在不同工艺角下平均温度系数为91 ppm/℃,比无体偏置电流源温度系数降低50%。 相似文献
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ATM是具有QoS保证的一种传输方式 ,无线ATM作为ATM技术的延伸 ,也应具有QoS保证 .但无线信道资源非常有限 ,且具有时变性、差错率高等特点 ,因此 ,在无线ATM中如何保证QoS是人们非常关注的问题 .文章提出了一种基于QoS的MAC层调度策略和预约模型 ,通过仿真可以看出 ,它可以更好的满足各种不同业务的QoS需求 . 相似文献
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SRAM的一种可测性设计 总被引:1,自引:1,他引:1
用ETCO算法对SRAM进行了内建自测试设计.首先说明了设计的原理,进而对电路中所用的各个单元电路进行了设计,主要包括地址计数器、数据计数器和BIST控制器等.设计出的电路可针对具体的故障模型设置相应的测试长度,从而获得预期的故障覆盖率.测试时不需存储正确响应,并可通过一个响应标志位表示检测的结果.可测性部分对电路硬件的开销较小,所设计的电路在工作站上已成功通过仿真,此电路可广泛应用于嵌入式SRAM,以降低电路的测试难度. 相似文献
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为了降低流水线模数转换器功耗与提升输入信号范围,设计了一种无采样保持运放前端电路. 移除采样保持运放降低了功耗,并改进开关时序进一步降低电路功耗;同时改进传统开关电容比较器输入,使得模数转换器可达到0 ~ 3.3 V满电源电压的量化范围. 将设计的无采样保持运放前端电路应用在一款低功耗12位50 MS/s流水线模数转换器进行验证,采用0.18 μm 1P6M工艺进行流片,芯片面积为1.95 mm2. 测试结果表明:3.3 V电压下,采样率为50 MS/s、输入信号频率为5.03 MHz时,信噪失真比(SNDR)为64.67 dB,无杂散动态范围(SFDR)为72.9 dB,功耗为65 mW. 相似文献
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为消除运算放大器失调电压对带隙电压精度的影响,采用NPN型三极管产生ΔVbe,并设计全新的反馈环路结构产生了低压带隙电压.电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现,该新型低压带隙基准源设计输出电压为0.5V,温度系数为8ppm/℃,电源抑制比达到-130dB,并成功运用于16位高速ADC芯片中. 相似文献
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采用中芯国际180 nm混合信号工艺,设计了一种新型低压低功耗环形振荡器.基于反馈理论,采用放大器完成从电源电压到环振工作电压的降压稳压转换,实现环振工作电压稳定性优化,同时降低其功耗;环振输出经幅度变换电路,实现高摆幅振荡信号输出;振荡器工作频率电流受控,抑制了电源噪声,降低了电源电压波动对输出频率的影响.结果表明,1 V电源电压下,输出频率2.737 MHz,功耗约0.8μW,1 MHz频点处相位噪声-108.7 dB;0.9~2.1 V电压范围内,输出频率波动小于0.23%,适于无源芯片设计. 相似文献
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设计了一个基于工作在线性区的MOSFET的新型宽带混频器.此混频器以标准CMOS工艺和简单的电路实现了现代无线通讯系统高线性度、低压和低功耗的要求,工作频带宽,且只需单端本振输入,解决了本振信号的单双端变换问题.由仿真结果可知:电路工作电压为1.2 V,功耗3.8 mW,增益为13.8 dB,P-1 dB为-4 dBm,噪声为12 dB. 相似文献
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给出了一种适用于无源RFID的低静态电流密度LDO稳压器电路设计,主要提出了一种新的基准电压源电路和一种利用输出电压为基准电压源电路供电的方式,使得该LDO稳压器具有低静态电流、输出电压稳定的优点.基于CSMC0.5μm模型库对其进行了仿真,初始电压在3.4~9V的变化范围内,该电路输出电压仅变化0.535mV,电路自身的静态电流仅为5.79μA. 相似文献
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一种多通道数据采集电路的设计 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了一种由AT89C51单片机控制的八通道数据采集电路的设计,解决了数据采集分时选通、眚自动触发、程控放大及程控滤波等数据采集中的常见问题,为各种瞬态信号的测试提供了一种切实可行的电路。 相似文献