一种利用体偏置改善温度特性的电流源 |
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引用本文: | 张仁梓,陈迪平,陈卓俊.一种利用体偏置改善温度特性的电流源[J].重庆工商大学学报(自然科学版),2020,37(6):7-12. |
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作者姓名: | 张仁梓 陈迪平 陈卓俊 |
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作者单位: | 湖南大学 物理与微电子科学学院,湖南 长沙 410082 |
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摘 要: | 基于130 nm绝缘体上硅工艺技术,针对工艺偏差对器件特性带来的影响,提出了一种可跟随工艺偏差自动调整温度系数的电流源;针对交叉耦合电流镜,引入自适应体偏置电路来改善电路在不同工艺角下的温度系数;仿真结果表明:-40~85℃温度范围内,工艺偏差使得所提电流源温度系数偏离典型工艺角下的值为22%,而无体偏置电流源偏离达100%之多,所提电流源在不同工艺角下平均温度系数为91 ppm/℃,比无体偏置电流源温度系数降低50%。
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关 键 词: | 绝缘体上硅 电流源 体偏置 温度系数 |
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