一种低温漂高电源电压抑制比带隙基准电压源设计

通过将具有高阶温度项的MOS管亚阈值区漏电流转换为电压,并与一阶温度补偿电压进行加权叠加,实现二阶温度补偿.采用高增益的运放和负反馈回路提高电源抑制能力,设计一种低温漂高电源电压抑制比带隙基准电压源.基于0.18μm CMOS工艺,完成电路设计与仿真、版图设计与后仿真.结果表明,在1.8 V的电源电压下,电路输出电压为1.22 V;在温度变化为-40～110℃时,温度系数为3.3 ppm/℃;低频电源电压抑制比为-96 dB@100 Hz;静态电流仅为33μA.     

一种改进的SRAM故障内建自检测算法

面向March C+算法故障覆盖率的问题,本文提出一种改进的March CS算法来完成存储器SRAM的内建自测试.通过增加原算法元素的读写操作来敏化存储单元的故障,检测原算法不能敏化的静态故障和动态故障,从而提高故障覆盖率.最后,通过对1 024*32位静态随机存储器进行故障仿真验证,以及FPGA对SRAM芯片的应用性测试,March CS算法检测静态故障和动态故障的覆盖率分别达到91.67%和76.93%.     

三阶电荷泵锁相环的改进型事件驱动模型

在分析电荷泵锁相环结构和原理的基础上,采用符号函数sign()来描述状态变化,建立一个输入参考频率为50 MHz,输出频率为900 MHz的三阶电荷泵锁相环的事件驱动模型,通过设定模型中的参数,应用Matlab对模型进行仿真.结果表明:当输入频率为50 MHz时,此三阶电荷泵锁相环完全能够锁定,并且在锁定时,输出频率为900 MHz,达到设计目的,并且该事件驱动模型大大提高了效率.     

开关稳压电源性能的改进

详细分析了开关稳压电源的工作过程，并针对功率晶体管的二次击穿，提出了RC吸收网络，并通过优化基极驱动减少晶体管的开关损耗，从而提高开关稳压电源的性能。     

氢化碳膜的胺掺杂及其对甲酸蒸气的质量传感特性

通过将其他元素或原子基团掺入氢化非晶碳膜网结构中的方法,可以实现对α－Ｃ：Ｈ薄膜的改性,赋予α－Ｃ：Ｈ膜新的特性,从而满足某些特殊应用的需要,用含胺基的碳氢化合物正丁胺作为碳源,用等离子体增强化学气相沉积方法制备α－Ｃ：Ｈ膜．薄膜的红外光分析表明胺基团已掺入薄膜的网络结构中,喇曼光谱分析表明薄膜具有无序态碳、三配位碳和四配位碳原子的混合结构,但主要成份为无序态碳,将掺胺的α－Ｃ：Ｈ薄膜作为质量传     

Windows 2000环境下的一种SCSI冗余路径驱动程序

为提高存储系统的可用性 ,在 Windows2 0 0 0系统中实现了SCSI冗余路径驱动程序 RDP。在路径发生故障时由 RDP将 I/ O切换到其他路径。通过将 I/ O负载均衡分布在各 SCSI路径 ,能增加系统 I/ O处理能力     

一种低噪声交叉耦合结构集成石英晶体振荡器

通过改进电路结构,采用CMOS交叉耦合结构提供负阻,设计一种20 MHz的集成石英晶体振荡器.在该振荡器中,采用共模反馈使其输出稳定的直流电平,并增加RC高通滤波器和预抑制电路降低其相位噪声.基于NUVOTON 0.35μm CMOS工艺,利用Cadence Spectre对电路进行仿真,结果表明,在电源电压为3.3V,偏置电流约400μA时,该振荡器的起振时间约为1.5ms,输出波形峰-峰值为1.08V,输出直流电平约为801.6mV.输出信号频率为19.95 MHz,相位噪声分别可以达到-155dBc/Hz@1kHz,-164dBc/Hz@10kHz.     

应用于眼压信号检测的低噪声前置放大器设计

基于SMIC 180nm CMOS工艺,设计并实现了一款应用于眼压信号检测系统的低噪声前置放大器.该放大器使用二极管连接的MOS管实现GΩ级别的大电阻,在反馈回路中该伪电阻与反馈电容并联在低频段产生高通截止点以抑制直流失调电压和低频噪声,达到较好的噪声性能.后仿真结果显示:低噪声前置放大器的直流增益为40dB,有效带宽从0.25Hz到46kHz,在低频频率100Hz处的等效输入噪声为197.3nVrms,采用1.8V的电压供电,核心电路功耗为32.4μW,芯片面积为0.75mm×0.62mm.     

100MHz低噪声恒温石英晶体振荡器研制

为满足振荡器高频低噪声的要求,设计了一种100 MHz低噪声恒温石英晶体振荡器.该振荡器选用AT切型高Q值无谐波石英谐振器;主振电路采用并联型电路结构;主振管采用Rbb′小,fT高和NF小的低噪声管以达到降噪目的;主振级与输出级之间加入T型匹配网络以增大主振级输出功率;输出级采用并联谐振电路以提高频谱纯度.样品通过测试,其相位噪声为-165 dB/Hz@10 kHz.     

光敏BJMOSFET的物理模型及数值模拟

基于SOI薄膜,提出一种引入P^＋N注入结的光敏BJMOSFET（Bipolar Junction Metal—Oxide—Semiconductor Field Effect Transistor）结构．在此光敏器件中,栅电压使薄膜耗尽但不反型,光生载流子的复合可以忽略．根据基本的半导体方程,建立该器件的物理模型．数值模拟结果显示：在光敏BJMOSFET中,光生电子和空穴都参与导电,和传统的MOS管相比具有较高的灵敏度．此外,它能消除CMOS工艺下PN结大的暗电流,完全与CMOS工艺兼容．