a—Si：H和a—SiC：H薄膜掺杂效率的研究

本文通过测量掺杂ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－ＳｉＣ＂ｈ薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明（１）杂质激活过程中伸展指数形式，（２）在低温区掺杂效率正比于ｅ＾－Ｒｋ／ＫＴ，（３）在高温区掺杂效率达到－饱和值。通过一个与氢运动有关的杂质激活模型，我们解释了上述实验结果。     

A—Si：H磷掺杂固相效率

证明了ａ－Ｓｉ：Ｈ磷掺杂固相效率η可表示成磷气相浓度的解析函数，其系数可由磷掺杂饱和极限，悬挂键密度和带尾态电子密度等的实验值决定。     

a－Si：H和a－SiC：H薄膜掺杂效率的研究

本文通过测量掺杂ａ－Ｓｉ：Ｈ和ａ－Ｓｉｃ：Ｈ薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明，（１）杂质激活过程是伸展指数形式，（２）在低温区掺杂效率正比于，（３）在高温区掺杂效率达到一饱和值。通过一个与氢运动有关的杂质激活模型，我们解释了上述实验结果。     

A-Si∶H磷掺杂固相效率

证明了ａ－ＳｉＨ磷掺杂固相效率η可表示成磷气相浓度的解析函数，其系数可由磷掺杂饱和极限、悬挂键密度和带尾态电子密度等的实验值决定     

a-Si/CuInSe2叠层太阳能电池中的空间电荷效应

基于ｐｉｎ结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳能电池中的空间电荷效应，讨论了ａ－Ｓｉ／ＣｕＩｎＳｅ２叠层太阳能电池的稳定性。采用计算机数值模拟方法，得出由光生空穴俘获产生的ａ－Ｓｉ：Ｈ层中正空间电荷密度的增加，改变了电池内部的电场分布，普遍抬高了ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中的电场强度；在当照射下，空间电荷效应不会给ａ－Ｓｉ／ＣｕＩｎＳｅ２叠层结构中的ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中的场强度；在光照射下，空间电荷效应不绘给ａ－Ｓｉ／Ｃｕ     

a—Si／c—Si异质结太阳能电池制造中的技术分析

应用数值模拟方法计算ｐ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）异质结和ｐ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｉ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）／ｎ（ｃ－Ｓｉ）结－异质结太阳能电池的电场强度分布，指出异质结电池制造中对ａ－Ｓｉ：Ｈ膜厚的选择，进而对嵌入本征ｉ（ａ－Ｓｉ：Ｈ）层的结－异质结太阳能电池设计进行分析并讨论其稳定性     

Sol—gel法合成Bi1.6Pb0.3Sb0.1Sr2Ca2Cu3Ox体系的超…

本文用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法合成了Ｂｉ１．６Ｐｂ０．３Ｓｂ０．１Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ体系的高Ｔｃ超导原粉，对于不同的烧结时间，材料的超导性有不同程度的差异，并与同种方法合成的Ｂｉ１．７Ｐｂ０．３Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ体系进行了比较。用Ｓｏｌ－ｇｅｌ法，在Ｂｉ系中掺杂Ｐｂ，同样会缩短烧结时间，促进高温相的形成，同时掺杂Ｐｂ，Ｓｂ，形成超导材料所需的烧结时间进一步缩短。     

CaO—Al2O3—SiO2熔渣的作用浓度计算模型

根据相图和炉渣结构的共存理论，推导了ＣａＯ－Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＯ２渣系作用浓度的计算模型，计算的ＮＣａＯ和ＮＳｉＯ２与相应的实测αＣａＯ和αＳｉＯ２基本符合，从而证明所得模型可以反映本渣系的结构本持。与此同时，还发现生成正硅酸盐（２ＣａＯ．ＳｉＯ２）的碱度因Ａｌ２Ｏ３的增加而变大的事实和本渣系有Σｎ较小的活跃部分。     

a-Si/Ti叠层膜的相互扩散和光电特性

本文研究了ａ－Ｓｉ／Ｔｉ叠层膜在１８０℃温度下的互扩散，利用ＸＰＳ分析发现Ｔｉ、Ｓｉ原子具有相等的原子浓度，生成物为ＴｉＳｉ；利用ＵＳ／ＶＩＳ分光光度计测试了生成物的透过率，发现其透过率在紫外较ＩＴＯ膜提高，测量了ａ－Ｓｉ／Ｔｉ界面特性近似为欧姆接触。该生成物可作为一种光电薄膜。     

射频反应溅射非晶硅基薄膜的红外谱

本文研究了用射频反溅射法制备的非晶硅基系列薄膜（ａ－Ｓｉ：Ｈ，ａ－ＳｉＣｘ：Ｈ，ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ和ａ－ＳｉＣｘＮｙ：Ｈ）的红外吸收谱，对其中的主要吸收区进行了分析和讨论。     

非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结

通过对非晶硅/晶体硅(a-Si/c-Si)异质结能带不连续、发射结掺杂以及界面态密度进行分析,研究它们对a-Si/c-Si异质结的界面特性,以及a-Si(N+)/c-Si(P)结构电池性能的影响.研究发现,能带不连续以及a-Si发射结高掺杂有利于实现界面复合机制由以悬挂键复合主导的复合机制向由少数载流子复合占主导的SRH(Shockly Read-Hall)复合机制转变,有效降低界面复合速率.AFORS-HET软件模拟显示：在c-Si(P)衬底掺杂浓度为1.6×1016 cm-3时,a-Si(N+)发射结掺杂浓度大于1.5×1020 cm-3是获得高电池效率的必要条件;与短路电流密度相比,开路电压受a-Si/c-Si界面态密度影响更明显.     

a-Si:H叠层太阳电池的设计与实验

本文提出一种廉价高效非晶硅叠层电池的基本设计方法,给出一系列有关电池参数最佳化的技术数据.文中讨论了该设计方法在a-Si/poly Si叠层太阳电池方面的应用.计算和实验结果表明,a-Si/poly Si叠层电池的光电流主要受顶部的a-Si:H nip电池的限制.     

衬底掺杂浓度对p-i-n结构电致发光的增强作用

采用等离子体增强化学气相淀积系统,应用原位氧化和原位掺杂技术制备出了以非晶硅/二氧化硅多层膜结构为本征i层、分别以磷和硼掺杂的非晶硅作为n型和p型区的p-i-n结构。经过三步后退火处理,i层晶化得到纳米硅/二氧化硅多层膜结构,磷和硼掺杂的非晶硅结晶形成多晶硅结构。衬底采用轻和重掺杂两种不同浓度的p型单晶硅。重掺杂衬底上的p-i-n结构的电致发光特性比轻掺杂的具有更低的开启电压和更高的发光强度和效率。根据载流子的输运机制分析,重掺杂的p+硅衬底一方面有效的降低了载流子的隧穿势垒,提高了载流子的有效注入效率,进而提高了电致发光强度和效率;另一方面,重掺杂衬底也降低了器件的总串联电阻,是器件开启电压降低的主要原因。     

P型微晶硅及其在柔性衬底太阳电池中的应用

本文以B（CH3）3（TMB）为掺杂剂,通过射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）技术,对P型微晶硅（c-Si：H）薄膜材料进行了研究.通过测试材料电学、光学及微结构特性等,研究了硅烷浓度与掺杂浓度对薄膜性能的影响.将上述材料分别应用于PEN/ZnO柔性衬底及SnO2玻璃衬底的非晶硅薄膜太阳电池中,PEN柔性衬底的非晶硅太阳电池得到了4.63%的光电转换效率,玻璃衬底非晶硅太阳电池得到了5.72%的光电转换效率.     

非晶硅氢薄膜材料光稳定性的研究

研究a Si:H薄膜样品在长时间强光照后会引起光、暗电导率的降低 (S W效应 )及薄膜的光转换效率 实验表明 ,随着光照时间增加 ,薄膜的光接受灵敏度下降 ,光电转换效率也相应降低 ,就此提出了S W效应发生的微观模型     

a-St:H FET特性的研究

本文从理论和实验两方面对a-Si:H FET的特性进行分析研究。给出了一种关于a-Si:H FET新的理论分析方法,假设a-Si:H能隙中深局域态密度和带尾局域态密度均为指数分布,并且考虑到漏源电压对沟道表面势的影响,采用简便的方法和合理的近似推导出了较全面反映a-Si:H FET特性的解析表达式。同时在实验中,研制了用SiO_2或Si_3N_4作为栅绝缘层的a-Si:H FET,测量得到了不同绝缘层和不同沟道长度的各a-Si:H FET的直流特性。当栅压变化20V时,漏源电流可以变化10~4。最后,对理论计算及实验结果进行了分析和比较。     

改善a-Si太阳电池界面特性的新方法

本文介绍一种用非晶金属硅化物改善a—Sipin太阳电池TCO/p界面特性的新方法.文章中详细讨论了载流子的传输模型并给出了一系列的实验数据.利用这种方法,用单反应室等离子体CVD装置使a—Si电池的短路电流提高了10%以上,并已获得10.6%的转换效率.     

氢化非晶硅薄膜光吸收谱的恒定光电流测量法

本文报道了光吸收谱的恒定光电流（ＣｏｎｓｔａｎｔＰｈｏｔｏｃｕｒｒｅｎｔＭｅｔｈｏｄ）测量法，并用其测量了高速沉积的氢化非晶硅薄膜（ａ－Ｓｉ：Ｈ）的光吸收谱，同时观测了ＳｔａｅｂｌｅｒＷｒｏｎｓｋｉ（ＳＷ）效应中样品吸收系数的变化。     

Fe3 掺杂对纳米TiO2薄膜光催化降解苯酚活性的影响

通过溶胶-凝胶法制备纳米TiO2薄膜,在制备过程中分别掺杂一定量的Fe3 .以高压汞灯做光源,用制得的纳米TiO2薄膜对苯酚作光催化降解实验,结果表明:掺杂Fe3 的纳米TiO2催化剂光催化性能明显提高.并探讨了Fe3 掺杂浓度和pH值对光催化的影响.     

铂修饰C-TiO2复合催化剂光催化染料废水

通过溶胶-凝胶法制备纳米二氧化钛，在制备过程中分别掺杂一定量的Pt^4 离子和碳黑,以高压汞灯做光源，用制得的TiO2薄膜对染料作光催化降解实验，结果表明：Pt^4 修饰C-TiO2复合催化剂光催化性能明显提高。并探讨了制备条件和反应条件对光催化的影响。