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氢化非晶硅薄膜光吸收谱的恒定光电流测量法
引用本文:林舜辉,林璇英.氢化非晶硅薄膜光吸收谱的恒定光电流测量法[J].汕头大学学报(自然科学版),1997,12(1):60-62.
作者姓名:林舜辉  林璇英
作者单位:香港城市大学电子工程系,汕头大学物理学系
摘    要:本文报道了光吸收谱的恒定光电流(ConstantPhotocurrentMethod)测量法,并用其测量了高速沉积的氢化非晶硅薄膜(a-Si:H)的光吸收谱,同时观测了StaeblerWronski(SW)效应中样品吸收系数的变化。

关 键 词:恒定光电流法,氢化非晶硅,吸收系数

Measurement of optical absorption coefficientby CPM in a-Si:H
Lin Shunhui,Y. C. Chan,Y. W. Lam.Measurement of optical absorption coefficientby CPM in a-Si:H[J].Journal of Shantou University(Natural Science Edition),1997,12(1):60-62.
Authors:Lin Shunhui  Y C Chan  Y W Lam
Abstract:In this paper , constant photocurrent method (CPM ) has been used to deter- mine the optical absorption coefficient a (E) of hydrogenated amorphous sillicon (a-Si : H) films fabricated at high deposition rate. CPM measurements were further extended to characterise Staebler-Wronski effect for observation of the changes in absorption coeffi- cient in our a-Si : H samples.
Keywords:constant photocurrent method : a-Si : H : absorption coefficient
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