用场效应法研究GD-a-Si_xC_(1-x)∶H薄膜的隙态密度

利用场效应法测得了 GD—a—SixCl一x∶H 膜的 ID～VG 曲线,得到了 N(E)～E 关系,对这些实验结果进行了初步的讨论.     

空间环境下Insb晶体的生长

最近,我国首次利用返回式卫星进行太空微重力环境下的材料加工技术试验,我们进行了掺 Zn 的 Insb 晶体的重熔和再结晶的试验,取得了初步结果,现作一简单的报告。首先把掺 Zn 的 Iasb 切出5cm长,在10~(-5)托真空度下封入石英管内,然后装在多用途炉内,在太空中沿晶体<111>方向进行重熔。经0.5小时升温达到 Insb 熔点,在熔点持     

对硫系玻璃Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2中掺Mn特性的研究

本文对掺Mn的硫系玻璃Ge_(15)Te_(81)S_2Sb_2样品,进行了电导率与温度关系、ESR信号和X衍射强度曲线的测量,并研究了Mn杂质对非晶态半导体导电和结构的影响。     

Mn杂质在非晶半导体As_(35)Te_(55)Si_(10)中引起的缺陷态及对电导特性的影响

本文主要研究了Mn杂质在非晶半导体As_(35)Te_(55)Si_(10)中引起的缺陷态及对电导特性的影响。实验结果表明:在所有掺Mn的样品中,均显示出低温变程跳跃电导;随掺Mn量的增大变程跳跃电导更加明显,而且使变程跳跃电导向更低的温度方向推移。这些结果同Hauser等人在a-(As_2Te_3)_(1-x)Mn_x薄膜样品中所观测的结果几乎完全一致,文中对这种观象作了初步的讨论。     

GD-a-SiC∶H薄膜光诱导电导变化

本文主要介绍了 GD—a—SiC∶H 薄膜长时间光照前后暗电导、光电导、缴活能的变化,并介绍了光照前后光电流与光强的关系.实验表明这种变化与样品的费米能级位置有关,电导激活能小的样品呈现正常的 S—W 效应.电导激活能大的样品呈现反常的 S—W 效应。