AlGaAs混晶中的Sn施主深能级

用DLTS(深能级瞬态谱)及光照DLTS方法研究了不同组分(x=0.26、0.40、0.53)的 Al_xGa_(1-x)As:Sn材料。所有实验样品的DLTS谱都出现两个多子谱峰A和B。在光照下,低温处的A峰更为明显。实验分别测量了A、B能级的发射及俘获的瞬态过程,用混晶无序引起能级展宽模型拟合了实验数据,得到它们的发射激活能,俘获势垒及其组分关系。分析表明,A 及B能级同属于Sn替位施主杂质,并证明DX中心深能级的复杂性。     

膜片钳放大器瞬态电流伪差的自动补偿

论述了膜片钳放大器中快、慢电容瞬态电流产生的原因和补偿原理，并采用了迭代算法，通过程序控制实现对快、慢电容所引起的瞬态电流伪差进行自动补偿．实验结果表明，该方法能快速有效地补偿快、慢电容瞬态电流，简化了实验操作，提高了实验效率。     

硅烯电极材料的第一性原理计算

用第一性原理计算硅烯在N和S原子共掺杂时的能带及电子态密度, 并研究硅烯量子电容与不同掺杂构型间的关系. 结果表明: 引入N/S和N/B共掺杂原子可导致Fermi能级处产生局域态; 在-0.6~0.6 V内, 用NSS,NS,NBB,NNB和NB掺杂硅烯的量子电容均增加, 其中NSS掺杂单空位硅烯在Fermi能级附近, 其量子电容为43.9 μF/cm2, 量子电容增加明显.     

离子注入MOS结构少子产生寿命的确定

本文分析了非均匀掺杂衬底ＭＯＳ结构的电流和电容对线性扫描电压的瞬态响应，采用较精确的产生区模型，提出了瞬态电流和瞬态电容联合技术测量非均匀掺杂衬底ＭＯＳ结构电容少子产生寿命的方法，本方法无需计算图形积分和衬底的杂质分布，因而简单实用。     

一种高压、低功耗、瞬态响应增强型CMOS线性稳压器

提出了一种用于电源管理系统的高电压、低功耗CMOS线性稳压器。通过使用所提出超级源极跟随器,位于功率管栅极的内部非主极点能够很容易地被推到单位增益带宽以外而不消耗大的静态电流,因此,有效减小了内部补偿电容;通过使用动态频率补偿技术,稳压器能在整个负载电流范围内稳定。提出的超级源极跟随器通过在功率管栅极处增加充电通道和放电通道改善了瞬态响应。该方法在降低功耗的同时,得到了快速且安全的上电瞬态响应和快速的负载变化瞬态响应.使用0.5μm高压n阱CMOS工艺,外接R_(ESR)为10 mΩ的0.47μF负载电容时,仿真发现,该稳压器表现出良好的稳定性和瞬态响应,而仅消耗10μA的静态电流.     

单片集成低静态电流低压差线性稳压器设计

设计了一款静态电流小、驱动能力大、环路响应快的单片集成低压差线性稳压器,重点介绍了误差放大器、补偿电路和瞬态响应增强电路的设计方法.误差放大器的输入管采用共源共栅结构,输出级采用推挽电路,可提高放大器的驱动能力;补偿电路使用共源共栅补偿方法,补偿电容约1pF,环路相位裕度大于60°;瞬态响应增强电路采用动态偏置结构,使稳压器输出电压的上过冲有明显改善,提高了瞬态响应性能.稳压器的输出不用接片外电容,在片内集成50-100pF的电容即可稳定工作.     

SiO_2/6H-SiC界面的物理性质及其辐照特性的研究

在p型及n型 6H -SiC外延衬底上成功地制备了MOS电容 ,通过高频C～V测试 ,研究了SiO2 /SiC系统的物理性质和电学性质 .发现在SiO2 /p -SiC界面存在大量的施主型界面态 ,在p -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的正电荷中心 ,而在n -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的负电荷中心 .对n -SiC和SiMOS电容进行了γ辐照对比实验 ,证实了n -SiCMOS电容器具有优异的抗辐照性能 .     

基于超级电容的动态测试系统电源设计

动态信号具有突发性和瞬态性的特征,针对测试中系统遭受振动、冲击等原因造成电源抖动或意外掉电而导致测试失败的问题,设计并制作了基于锂电池和超级电容混合储能的电源。大容量的电池作为测试系统的常用电源,而高密度的超级电容作为备份电源以满足恶劣环境下瞬态信号的测试需求。实验结果表明,混合储能的方式能应对冲击造成的电源抖动和断电问题,提高动态测试的可靠性。     

SiO_2-InP MIS结构的界面态和体深能级的研究

本文用恒定电容深能级瞬态谱(CC—DLTS)方法研究了SiO_2—InP MIS结构的界面态和体深能级。结果表明在价带顶附近界面态密度最高,可达9×10~(12)ev~(-1)·cm~(-2)以上,随着离开E_v指向E_i迅速降低。在E_v 0.41ev和E_v 0.55ev处各测得一个深能级。文中测量了淀积前InP表面四种不同处理的样品,发现界面态密度依賴于表面处理的方法,但其分布是相似的。文中还对InP MIS结构样品的CC—DLTS测量方法和测试条件作了探索与分析。最后,对SiO_2—InP MIS结构的界面态和体深能级分布作了讨论分析。     

非对称性隧穿电容单电子器件模型与模拟

在基于单电子晶体管的半经典理论和主方程模型的基础上,提出了一种采用非对称隧穿电容设计的单电子晶体管,并用计算机模拟了对称结构的单电子晶体管和非对称隧穿电容(电阻)结构单电子晶体管的特性.模拟结果表明,用主方程法模拟非对称隧穿电容(电阻)结构设计的晶体管,其伏安特性曲线除仍保留对称结构具有的周期性以外,还具有正弦态、电阻态、方波态、截止态四种形态.其性能也有差异.     

GSM/EDGE射频芯片内数控晶体振荡器的设计

运用等效小信号模型分析石英晶体振荡器,设计实现了一种适用于GSM/EDGE手持式射频收发芯片的数控晶体振荡器(DCXO).该振荡器采用Colpitts结构,利用自动增益负反馈控制电路幅度,并利用数控电容阵列来调整瞬态频率稳定度.电路采用TSMC0.18 μm CMOS工艺实现,中心频率为26MHz.在1.8V电源电压下...     

Smith单相电容电动机电容器故障运行的建模

建立了Smith单相电动机电容器故障运行时在α - β - 0坐标系下的瞬态数学模型.此模型适用于任何接线方式的对称三绕组单相电容电动机电容器故障的瞬态分析,尤其便于计算机编程.通过实例进行仿真和试验,验证了该模型的正确性.研究表明,Smith单相电容电动机运行中电容器短路是一种较为严重的故障,有可能产生很大的冲击转矩,造成强烈的机械振动;电容器开路故障有可能使定子三相电流严重不平衡,致使某相绕组烧毁.     

基于电子粒子性的分子能量算法讨论

基于电子的粒子性特征提出了"瞬态"的概念,并认为瞬态出现的频次正比于瞬态寿命,且分子稳定状态的电子密度分布是各种瞬态按照各自的瞬态寿命叠加的体现.依据瞬态寿命正比于瞬态出现频次的构想,把势能看成各种不同瞬态寿命的函数,给出了在已知的电子密度分布和原子核坐标数据限制下通过调整瞬态寿命参数获得势能极值的方法.这一方法可为分子体系能量极值的计算提供新的启示.     

金属／非晶硅势垒低频电容中等价的隙态密度分布

本文证明:在一定条件下,描述非晶硅隙态密度分布的三种基本函数,即均匀分布、指数分布和双曲分布,在计算金属/非晶硅势垒低频电容时也是等价的.并通过测量室温时低频势垒电容,得到了隙态密度分布函数模型等价的标准.     

三角形接法三绕组单相电容电动机瞬态分析

对三角形接法的三绕组单相电容感应电动机的瞬态过程进行仿真分析．为了得到瞬态特性，建立了三角形(△)接法的三绕组单相电容感应电动机在αβ坐标系下的瞬态数学模型，编写计算机仿真程序，通过实例对三角形接法的三绕组单相电容感应电动机的瞬态过程进行仿真计算；用对称分量法分析了三绕组单相电容感应电动机最小不对称运行时需要满足的条件，并由此初步计算电容的数值，然后通过计算机仿真加以确定．对仿真结果进行分析．仿真结果表明：三角形接法三绕组单相电容运转电动机起动转矩较小，适合于对起动要求不高的风机泵类负载；对于起动要求较高或较大的恒转矩负载，可采用双值电容来实现．三角形接法三绕组单相电容电动机带负载的能力约为三相感应电动机在额定电压下对称运行时的0．7倍左右．     

一种新的复杂性的信息度量

提出一种新的复杂性度量,其特点是:第一,强调对系统演化瞬态复杂性描述的重要性,并且建议用系统对微扰反应的丰富程度来刻画瞬态复杂性;第二,基于目前的知识,建议把系统演化的终态分为6种(稳定平衡态、稳定周期态、稳定准周期态、随机态、混沌态、复杂态),并且用周期运动"等效"地对这6种终态进行描述,以刻画它们的复杂性.     

介电常数法在墙体水管探测中的应用

文中利用水与建筑材料介电常数差异很大的特点,设计了一款电容传感器用于墙体水管探测.基于空间静态电场的拉普拉斯方程建立了电容传感器的探测模型,通过松弛迭代进行解算,得到了传感器输出电容随被测水管位置的变化规律.文中还基于脉宽调制法设计电容传感器的测量电路,并利用模糊PID控制单元调节电路激励电压,以保证测量电路快速进入工作状态.针对该传感单元,设计了墙体中水管的中心检测算法.测量结果表明,PID控制单元可以迅速、准确地完成测量电路激励电压调节,以使传感器适应不同的工作环境,系统能在120mm厚度墙体内完成水管探测,并在70mm厚度墙体内可以完成中心定位.     

一种高精度低功耗流水线ADC开关电容电路

提出一种新的电容失配校正方案及功耗驱动的OTA设计思路,通过对虚地电容的修正,将电容失配因子在取样保持系统中去除,达到提高电容匹配程度,降低OTA增益误差的要求,使开关电容部分的瞬态功耗下降.本文采用TSMC 0.18μm工艺设计了一个8位,取样速率为200MHz的流水线结构模数转换器作为验证电路,仿真结果说明此优化结构符合高精度和低功耗要求,可应用到流水线等高速模数转换电路中作为信号前端处理模块使用.     

气液混输管线系统严重段塞流理论模型

针对管线与垂直立管系统内严重段塞流的流动特性,建立了一种高效的不完全依赖于实验参数的一维瞬态理论预测模型.该模型不仅能够预测不同类型严重段塞流的发生范围,还能得到压力、周期、流量、气液速度、含气率和折算速度等严重段塞流特性参数,并可对管道系统内气液流态的变化进行实时判别.理论模型预测结果与实验吻合较好.     

微处理机在深能级瞬态谱测试中的应用

目前,深能级瞬态谱仪DLTS(Deep Level Transient Spectrcopy)已广泛应用于研究半导体中深能级中心以及界面态的各种性质.本文介绍用计算机控制DLTS的测试,并同时进行数据处理,使得只需一次温度扫描,便可完成对每个深能级中心的能级位置、浓度及其俘获截面的测试,并立即得到计算结果.这样不仅缩短了实验时间,同时也