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观察了样品几何尺寸、表面复合速度及光的贯穿程度,对半导体少数载流子光电导衰退中高次模的影响。在测量时使用贯穿光、大尺寸样品、及使样品表面复合速度较低时,高次模的作用可以减少,因而能准确测得体寿命。 相似文献
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本文研究电子辐照硅p~+-n结的缺陷退火特性及少子寿命控制.在双空位的退火过程中存在两种退火机理,分别在较低温度下及在较高温区内起主要作用.得出缺陷E_3的激活能为1.7eV,频率因子为2.8×10~9S~(-1).控制少子寿命的中心是双空位及E_3. 相似文献
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已发表的双脉冲方法的理论分析,都假设样品的表面复合速度s为很小。本文对样品的表面复合速度s→∞时的双脉冲方法作了理论分析,得到的寿命的计算公式亦很简单,并从实验上对这方法进行了验证。对一组不同电阻率,不同导电类型的锗硅样品进行了寿命的测量。在同一块样品上,当样品表面的s→0及s→∞时,分别用双脉冲法进行了测量,得到的结果符合很好。将本方法与光电导衰退法进行比较,两者亦符合很好。最后对本方法的测准条件进行了详细分析,并列出本方法所要求的实验条件。 相似文献
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目前,深能级瞬态谱仪DLTS(Deep Level Transient Spectrcopy)已广泛应用于研究半导体中深能级中心以及界面态的各种性质.本文介绍用计算机控制DLTS的测试,并同时进行数据处理,使得只需一次温度扫描,便可完成对每个深能级中心的能级位置、浓度及其俘获截面的测试,并立即得到计算结果.这样不仅缩短了实验时间,同时也 相似文献
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采用流动重量色谱法,测试了n-C°_5~/C°_6二元组分和n-C°_5/C°_6/C°_7三元组分在无粘结剂的小球型5A分子筛上的吸附平衡数据。吸附的温度范围为533～653K。以统计热力学模型,对纯组分吸附实验结果进行回归,得到了模型参数,据此,对n-C°_5/C°_6二元组分和n-C°_5/C°_6/C°_7三元组分的吸附平衡进行了数学描述。理论计算结果与实验结果一致。对二元组分的吸附平衡作出了相应的应用图表。 相似文献
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磷化铟和与它有关的三元四元合金是目前认为作光电及微波器件比较有前途的材料.上述一些器件的制备工艺虽尚未成熟,但已发现材料的质量与光电及微波器件的性能有很大的影响,因此研究磷化铟体单晶的性质很重要.本文用深能级瞬态谱仪来研究磷化铟的深能级缺陷的性质.采用化学处理方法可以较方便地制备Au-InP的肖脱基势垒二极管,电学特性和稳定性较好,适合于深能级瞬态谱的测量.在测量时发现磷化铟体单晶中有可能存在缺陷团,除此之外还可以测量到浓度较低的另外两个深能级缺陷,它们的能级参数分别为(E_c-0.15eV,σ_n~A=1.2×10~(-18)cm~2)及(E_c-0.40eV,σ_∞~B=1.8×10~(-14)cm~2). 相似文献
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