测量半导体少数载流子寿命的双脉冲方法的改进

本文的目的在于改进测量半导体少数载流子寿命的双脉冲方法,使其能准确地测量少数载流子的体复合寿命。文中分析了双脉冲方法存在的主要问题,指出为了准确地测量少数载流子的体复合寿命,必须消除表面复合效应的影响。我们提出用在样品阻挡层的通向上,附加一弱恒直流电场的方法,来消除在接触区域的表面复合的影响。并对这一方法进行了一定的讨论,得到了消除接触区域表面复合影响的条件。N和P型错样品的实验结果,有力地证实了这一方法的可靠性、有效性、以及方便性。     

由MOS结构的瞬态响应确定少数载流子体产生寿命和表面产生速度的新方法

在将表面产生速度看作常数的条件下,本文导出了MOS结构对阶跃电压瞬态响应曲线的解析表达式。从而提出了一种无需Zerbst图而能同时确定少数载流子体产生寿命和表面产生速度的新方法。对一些样品进行了测量。计算结果表明本方法较之其它方法更为简便。     

光致开路电压衰减法测量少数载流子的寿命

本文提出了一种测量少数载流子寿命的方法。先将样品做成p~+nn~+或n~+pp~+结,测量光致开路电压的衰减速率,然后用文中导出的理论公式计算少数载流子的寿命。实验结果表明,这种方法能有效地避免表面复合的影响。     

高次模在半导体少数載流子光电导衰退中的作用

观察了样品几何尺寸、表面复合速度及光的贯穿程度,对半导体少数载流子光电导衰退中高次模的影响。在测量时使用贯穿光、大尺寸样品、及使样品表面复合速度较低时,高次模的作用可以减少,因而能准确测得体寿命。     

锗中少數載流子壽命測量方法的比較

引言我們在进行锗中少数载流子~*寿命的测量工作中,共采用了四种測量方法:“光电导衰退法”“双脉冲法”“曼納电桥法”“光磁效应法”。这些测量寿命的基本方法,不但适用于锗,也适用于其它半导体材料。利用光电导衰法”“双脉冲法”可以测量硅中少子的寿命。用“光磁效应”可以测量小于0.1微秒的短寿命,比較适用于     

激光熔覆-激光气体氮化方法制取TiCN-TiN复合熔覆层

采用500W YAG脉冲激光作为辐射源,TiCN粉末为熔覆材料,高纯N2气作为氮化元素和保护气体,利用激光熔覆-激光气体氮化(LC-LGN)方法,在钛合金(Ti-6Al-4V)表面制备了以TiCN和TiN为主的复合熔覆层.研究了激光工艺参数对TiCN-TiN复合熔覆层成分的影响.对熔覆样品进行了XRD物相分析和显微硬度测试.结果表明:在激光功率和脉冲宽度一定的条件下,脉冲频率、扫描速度是影响TiCN-TiN复合层形成的主要因素.合适的工艺参数组合为:脉冲频率为15 Hz,脉宽为3.0 ms,扫描速度为2.0 mm/s.扫描速度小于2.0 mm/s时,熔覆过程中氧化现象严重,而高于2.0 mm/...     

用薄型金-硅面垒探测器测定硅的表面复合速度

§1.引言表面复合速度是研究半导体非平衡载流子性质的一个重要参量.借助于表面复合速度的测量可以对半导体表面的基本性质有所了解.而且表面复合速度还直接影响半导体内非平衡载流子的复合,从而影响少数载流子的有效寿命.而半导体两极管的反向饱和电流,击穿电压,三极管的电流放大系数以及噪声水平亦都与表面复合速度有关.测出经各种表面处理后的表面复合速度,并找出减小表面复合速度的途径,对改善器件的性能是很重要的工作.     

P型掺金锗的制备及其电学性质研究

本文叙述了如何用切克劳斯基法来制备P型掺金锗单晶。根据卅多次拉晶实验,我们总结得到制备时的要求:①金的加料要适当偏高,②锗料要过熔。给出了掺入金浓度沿锭长的分布,金浓度由首端至尾端逐渐升高。制备过程中观察到了一些异常现象。如①颗粒状悬浮物的析出。②单晶尾部有金的富集。③单晶表面有“沟渠”。对这些现象我们进行了讨论。在77°K—400°K范围内测量了P型掺金锗的电阻率及霍尔系数。所得曲线与敦莱普的实验作了比较。定性地解释了这些曲线,并根据霍尔系数确定了各样品的金原子浓度。由陷阱比γ=2的曲线算出了金的电离能为0.15电子伏特。用光磁法及补偿法测量了样品的寿命。实验是在77°K—400°K范围内进行。按多荷电中心复合理论对实验结果作了讨论,认为我们所测寿命确实是由金原子复合作用所决定,并受到表面复合的影响。由掺金浓度为2×10~(-14)cm~(-3)的样品之寿命值,估计出一次负电中心对电子的俘获截面是～8×10~(-17)cm~2。     

飞秒Z—scan法测量有机溶液的双光子吸收截面

按照单光束Z—scan法,利用飞秒激光脉冲对Rb甲醇溶液进行了测量研究,详细研究了光强大小对实验结果的影响,通过对样品池和溶剂进行Z扫描,排除了样品池和溶剂发生非线性吸收带来的误差,利用薄样品理论对测量数据进行计算处理,所得结果与其他方法测得的结果相吻合,证明了此实验方法对有机溶液的测量和处理方法的合理性和有效性．     

脉冲电压下介质膜的击穿寿命

该文测量了电应力作用下栅介质膜中陷阱电荷积累、以及在撤除应力后陷阱电荷减少的规律，在此基础上提出了解释脉冲应力下栅介质膜击穿寿命的模型。并对样品在直流电压与脉冲电压下的击穿寿命进行测量比较，发现随着脉冲频率的增加，栅介质膜击穿寿命增加，实验结果与模型预期的相符     

闪光法测量半透明材料热扩散率的理论研究

建立了闪光法测量半透明材料热扩散率的一维瞬态导热-辐射耦合换热数学模型,采用基于控制容积的离散坐标法分析求解激光脉冲在半透明材料内的温度响应,并与由热四端网络法得到的半解析解进行了对比和验证.研究结果表明:两种计算方法在各种计算条件下得到的结果吻合很好.数值方法更灵活,可以处理物性非线性问题,但计算时间较长;半解析法的计算速度非常快,但只能处理常物性问题.此外,本文对试样吸收系数、辐射边界、厚度及试样表面的热损失等因素对温度响应的影响进行了对比分析.     

脉冲电压下介质膜的击寿命

该文测量了电应力作用下栅介质膜中陷阱电荷积累、以及在撤除应力后陷阱电荷减少的规律,在此基础上提出了解释脉冲应力下栅介质膜击穿寿命的模型。并对样品的直流电压与脉冲电压下的击筹命进行测量比较,发现随着脉冲频率的增加,栅介质膜击寿命增加,实验结果与模型预期的相符。     

在扫描电镜中用x射线荧光法(SEM-EDXRF)测硅衬底上铝膜厚度

在以前的工作中,我们实现了扫描电镜中的x射线荧光分析(SEM-EDXRF),得到了较理想的原级x射线束。现在,我们又利用SEM-EDXRF方法测量了硅片上的铝膜厚度,其原理是测量由衬底发出的x射线荧光强度。对硅片上有不同厚度铝膜样品测量结果表明,衬底的x射线荧光强度的对数与膜厚成线性关系,并与理论符合很好。本实验预示了在扫描电镜中利用EDXRF方法测微区膜厚的可能性。     

电化学沉积法制备Cu2S薄膜及EPIR效应

以Na2S溶液为沉积液,在一定的温度、pH值、电压和时间下,采用电化学沉积的方法,在铜衬底上生长出一层质地均匀的蓝色Cu：s薄膜．通过XRD及SEM对样品的化学成分及表面与截面形貌进行表征,对G/Cu2S/Cu/Ag结构进行直流I-V及电脉冲诱导电阻转变（EPIR）效应测试．结果表明Ag/Cu2S/Cu/Ag结构的Ag/Cu2s结点处存在明显的EPIR效应,而且相对于单个Ag/cu2s结点而言,Ag/cu2S双结点具有更大的结点电阻且EPIR效应更明显．另外,Ag/Cu2S/Cu/Ag结构的EPIR效应还与测量的脉冲参数和测量温度有关．对于本样品而言,最佳测量温度为室温,脉冲宽度t0为0．00018．     

划痕对压杆压力传感器影响的数值模拟

应变式压杆压力传感器是测量空气冲击波反射超压的一种比较简单有效的方法。本文用数值模拟的方法对应变式压杆压力传感器系统测试过程进行模拟研究,并与理论结果进行比较,分析压杆表面划痕在不同特征压力脉冲下对测试结果的影响;得到了不同上升前沿的梯形脉冲及三角形脉冲条件下压杆的响应误差,定性或半定量得到压杆表面划痕对测试结果的影响形态及范围。研究表明:压杆的表面划痕对测试结果的影响很大,并且脉冲上升前沿越小,对测试结果的峰值影响就越大;另外,划痕对梯形脉冲的幅值影响大,而对三角形脉冲的震荡频率影响不大。模拟结果对实验测试结果的分析解读有一定参考价值。     

透镜到样品表面距离对LIBS测量的影响

采用Nd:YAG激光器产生的脉冲激光诱导击穿铜片形成等离子体,研究了透镜到样品表面距离的不同对激光诱导击穿光谱(LIBS)测量的影响.实验选择合适的延迟时间和采样门宽,并选用元素谱线λ(Cu)为324.8 nm和327.4 nm,λ(Zn)为330.3 nm和334.5 nm进行分析.实验结果表明,透镜到样品表面的距离对LIBS测量确实有很大的影响,谱线强度以及其相对标准偏差均与透镜到样品表面距离密切相关.透镜到样品表面的距离大于焦距时,空气击穿现象严重,不宜用于LIBS测量.激光脉冲能量大,透镜到样品表面距离对LIBS测量的影响大,激光脉冲能量小则相反.     

脉冲水射流冲击起爆氯酸钾炸药的实验研究

利用实验的方法对高压脉冲水射流冲击起爆氯酸钾炸药进行了研究,通过设计一系列不同速度、不同直径的高压脉冲水射流冲击氯酸钾炸药试件,得到了高压脉冲水射流冲击起爆不同配方的氯酸钾炸药的临界速度和冲击起爆判据. 实验结果表明,高压脉冲水射流冲击氯酸钾炸药符合无约束凝聚炸药的冲击起爆判据.     

用光探针法测量表面复合速率

通过系统的研究分析,建立了应用光探针的光电（ＰＣ）测量方法,应用镜像法和点源产生近似原理建立了物理模型,并进行了系统的理论分析．导出了光电流与表面复合速率相应关系的计算公式,确定了可进行电量测量的实验装置．采用此方法,测量了台面型高压硅半导体器件的无机钝化和有机保护界面的表面复合速率．通过测量结果和计算结果的归一化比较,获得了其表面复合速率．     

采用有限元仿真研究TiN和Ti-Si-N的力学性能特点

利用有限元的非线性算法对一个TiN表面和一个Ti-Si-N纳米复合表面的压痕测量实验曲线进行仿真拟合,并对它们的力学性能进行比较分析.论文介绍该三维有限元仿真过程的各个步骤,重点说明如何通过计算求取与实验的载荷-位移曲线相对应的应力-应变关系,以及通过有限元仿真得到TiN样品和Ti-Si-N样品的屈服极限.经过仿真得到TiN表面和Ti-Si-N表面的硬度分别为21.319GPa和39.874GPa,与实测值21.4GPa和41.8GPa很接近.该研究结果证明此计算材料应力-应变关系和求取屈服极限的方法是可行的.通过仿真得到Ti-Si-N纳米复合表面的屈服强度为24GPa、TiN表面的屈服强度为12GPa.     

Ti~(21+)和Ti~(20+)离子双电子复合过程的理论研究

利用多组态Dirac-Fock(MCDF)方法和密度矩阵理论,系统计算了类氢Ti~(21+)(1s)和类氦Ti~(20+)(1s~2)离子KLL双电子复合过程中所有共振双激发态的能级、辐射和Auger跃迁的几率,以及双电子伴线的强度、角分布和极化度.研究了Breit相互作用对Auger几率、双电子伴线强度和辐射X射线极化度的影响.计算结果与已有文献和EBIT实验测量结果符合较好.