|
|||||
|
|
| 锗中少數載流子壽命測量方法的比較 | |
| 作者单位： | 物理系半导体教研组寿命测量组 |
| 摘 要： | 引言我們在进行锗中少数载流子~*寿命的测量工作中,共采用了四种測量方法:“光电导衰退法”“双脉冲法”“曼納电桥法”“光磁效应法”。这些测量寿命的基本方法,不但适用于锗,也适用于其它半导体材料。利用光电导衰法”“双脉冲法”可以测量硅中少子的寿命。用“光磁效应”可以测量小于0.1微秒的短寿命,比較适用于 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||
|
||||||||||||
|
||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |