一种无需表面腐蚀的测量半导体少数载流子寿命的双脉冲法

已发表的双脉冲方法的理论分析,都假设样品的表面复合速度s为很小。本文对样品的表面复合速度s→∞时的双脉冲方法作了理论分析,得到的寿命的计算公式亦很简单,并从实验上对这方法进行了验证。对一组不同电阻率,不同导电类型的锗硅样品进行了寿命的测量。在同一块样品上,当样品表面的s→0及s→∞时,分别用双脉冲法进行了测量,得到的结果符合很好。将本方法与光电导衰退法进行比较,两者亦符合很好。最后对本方法的测准条件进行了详细分析,并列出本方法所要求的实验条件。     

双脉冲法测鍺硅半导体材料中非平衡载流子寿命

本文简述了双脉冲法测锗硅中非下衡少数载流子寿命的设备,测试结果的分析,注入公式的推导及误差产生的原因。     

高次模在半导体少数載流子光电导衰退中的作用

观察了样品几何尺寸、表面复合速度及光的贯穿程度,对半导体少数载流子光电导衰退中高次模的影响。在测量时使用贯穿光、大尺寸样品、及使样品表面复合速度较低时,高次模的作用可以减少,因而能准确测得体寿命。     

飞秒电脉冲光电导自相关探测

飞秒激光脉冲光电导取样技术在超短电脉冲的产生与测量及其在超高速光电子器件特性研究、光通信与光电信息处理等方面有着十分诱人的应用前景,已成为近年来超快光电子学研究的热点[1,2].本文介绍采用飞秒激光脉冲自相关方法在低温生长砷化镓(ＬＴＧａＡｓ)共面微带传输线?..     

基于FPGA的转速光电传感测量系统

利用光电式测量的抗干扰性好、反应快、灵敏度高、精度高、可测范围宽的优点,对高速转轴的转速进行更精准的测量。激光器将转轴的转速参数转换成周期性的光信号,然后高速硅光电二极管将接收的光信号转换为电流信号,经模拟电路处理得到数字电压脉冲信号,再利用基于FPGA数字移相技术的高精度脉宽测量方法对数字电压脉冲信号进行测量,处理后最终得到转速的精确结果并显示在液晶屏幕上。试验结果表明,测量结果准确度高,稳定性好,适用于一般的高速测量场合。     

关于测量硅单晶锭中少于寿命的计算公式

本文论述了用现有的光电导衰减法测硅单晶锭中少于寿命计算公式存在的问题。针对此问题,提出了与它相应的改进公式。用此改进公式算出的值与实验测得的数据基本一致。 一、引言 用光电导衰减法测锗、硅单晶锭中少数载流子寿命的计算公式早在1955年就被D.J.Steveson等人提出,其后,JP.Mckelvey又对圆柱形单晶锭进行过专门的计算,现在许多文献都在引用他们的结果,国内一些工厂和实验室测单晶锭中少子寿命时,也都采用这类公式。文献(2)中所提出的公式和文献(1)中是一致的,所以这里我们仅讨论文献(1)中的公式。     

全反射相干自相关法测量飞秒脉冲的特性分析

 全反射相干自相关法在测量紫外-X光波段的超短脉冲和宽频带脉冲方面具有优势。借助数值模拟,比较了全反射相干自相关和传统相干自相关方法测量不同相位结构脉冲时信号特征的异同。利用自建的组合式自相关装置测量了钛宝石激光器输出的飞秒脉冲及经由40 mm厚BK7玻璃块展宽而成的啁啾脉冲。理论分析和实验结果表明,同一脉冲的两种自相关曲线是基本相似的,因而在传统自相关方法不适用或操作不便的情况下,可以用全反射相干自相关法来替代。     

一个用于快速光电倍增管时间特性测试的装置

一、概述与原理闪烁计数器的时间特性包括时间分散性和时间延迟。时间分散性一般用测量“δ”光脉冲的时间谱峰的半高宽(FWHM)来表征,也叫闪烁计数器的时间分辩。在粒子物理和核物理实验中常遇到粒子飞行时间和粒子衰变寿命等测量,在一些亚毫微秒时间测量中,探测器的时间分散性成为影响实验精度的主要障碍。闪烁计数器的时间分散性主要由闪烁体(包括光导)、光电倍增管和电子仪器三方面贡献的。对于电子仪器的时     

二次谐波频率分辨光学开关法测量双脉冲的振幅和相位

介绍了二次谐波型（SHG）频率分辨光学开关法（FROG）测量双脉冲的实验系统．对实验系统中双脉冲的SHG-FROG光谱图，利用矩阵的方法进行了数值模拟，并用基于矩阵的主元素广义投影算法（PCGPA）从数值模拟的SHG—FROG光谱图中恢复了双脉冲的振幅和相位，误差达到收敛的标准（G〈10^-4）．     

局域表面等离子体增强锗的光电响应特性

局域表面等离子体共振(local surface plasmon resonance,LSPR)因其对光独特的响应特性而在纳米光电子领域成为研究的重点.作为重要的微电子材料,锗在近红外波段的光电响应较弱,而把局域表面等离子体应用在锗材料中,必然会改善锗的光电响应特性.利用时域有限差分(finite difference time domain,FDTD)法,详细研究了1,2,3个银纳米颗粒嵌入锗中的消光光谱.结果发现,在可见光以及近红外比较宽的波长范围内,这种复合结构可以有效增强锗的光电响应特性,且多个孤立的银纳米颗粒会表现出与1个银纳米颗粒不一样的光电响应特性.同时,LSPR导致的光响应特性与光源的偏振、颗粒尺寸、颗粒个数以及颗粒之间的距离有依赖关系.这一结果不仅对锗在光电子领域的应用有重要意义,也可以拓宽局域表面等离子体在纳米光电子领域的应用范围.     

非晶态硒化镉薄膜光电特性的研究

本文报道用真空热蒸发淀积非晶态硒化镉薄膜,研究淀积基底温度及退火处理对薄膜光电特性的影响。光谱实验表明吸收边有随基底温度降低而向长波方向移动的现象,发现淀积基底温度为150℃的样品其光电导与暗电导的比率最高。用超短序列光脉冲对薄膜的瞬态光电导特性进行研究,表明非晶态硒化镉薄膜对ps级超短光脉冲具有良好的瞬态响应,可用作快速光电探测器的光敏材料薄膜。     

微波光电导衰退测量少子寿命的新方法

少数载流子寿命是半导体材料的一个重要参数,它对各种半导体器件的电特性有很大影响.已有许多作者采用微波方法测量半导体材料的少子寿命.这种方法本质上是光电导衰退法.由于可做到无接触测试,它显示了较大的优越性.但是,为了把样品     

半绝缘GaAs光电导天线辐射THz电磁波展宽特性分析

介绍了自洽式多粒子蒙特卡罗方法模拟半绝缘GaAs光电导天线辐射THz电磁时域波形。模型中采用光能、脉宽可调飞秒激光器作为触发光源,模拟的THz电磁波形与实验基本吻合。通过载流子在光电导体内的动态输运特性,分析了辐射THz电磁波场比触发光脉冲展宽的物理机制在于:光生载流子在外电场作用下,从初始状态到速度达到稳态要经历一个动量和能量弛豫过程,而正是由于载流子动量和能量的弛豫过程导致光电导天线辐射的太赫兹波展宽。高光能、低偏置电场下,空间电荷电场是造成光电导天线辐射的THz波呈现双极性的主要原因。     

微微秒光电导采样技术及应用

本文介绍了微微秒光电导采样技术的原理，应用自己研制的微微秒光电导采样系统测量了自制的ｐｓ光电导开关、超高速光电探测器、同轴电缆线的色散展宽、锁模Ａｒ激光的脉冲宽度和ＧａＡｓ场效应晶体管的响应时间等。     

锗的双层纳米结构及其特性的检测分析方法

在高精度椭偏仪(HPE)系统中,采用激光照射硅锗合金衬底助氧化的新方法,在SiO2层中生成锗的双纳米面结构;并在样品生长过程中,用高精度椭偏仪(HPE)同步测量样品的纳米结构。采用XES分层对锗原子成份检测的结果与HPE的结果基本一致。用RAMAN光谱仪测量样品的横断面,发现很强的PL发光谱峰。用量子受限模型和改进的量子从头计算(UHFR)方法分析了PL光谱的结构。     

测量飞秒光参量产生器输出光脉冲脉宽的自相关仪的设计

设计出一台只用一块非线性晶体就能够测量宽波长范围的飞秒激光脉冲脉宽的单次脉冲自相关仪,适用于测量由光参量产生获得的可调谐飞秒激光脉冲的脉宽.     

BSO液晶光阀的设计与制作

介绍了基于紫外光敏材料硅酸铋(BSO)晶体光寻址液晶光阀(LCLV)的工作原理和设计要求。研究BSO的光电导特性,论述了BSO晶体产生光电导效应的机理,设计了BSO晶体电导特性的测试方案,测量BSO晶体的光电特性,表明BSO具有良好的紫外光电导特性,可作为光寻址LCLV的光敏层。通过实验测量得到了液晶的阻抗特性。最后制作BSO基LCLV,实验证明该光阀的可行性。     

基于少子寿命测量研究晶硅电子态缺陷

基于瞬态微波光电导少子寿命测试仪和MATLAB编程研究了确定硅片的复合中心浓度和陷阱中心浓度的方法。利用瞬态微波光电导少子寿命测试仪,我们测量了硅片的少子寿命及微波光电导瞬态电压信号随时间的变化特性。根据已知的注入水平和相关复合参数,建立少子寿命与复合中心浓度的关系,我们得到硅片中的复合中心浓度。利用瞬态电压信号的时间变化特性与非平衡载流子浓度的时间衰减特性的关系,我们得到非平衡载流子浓度随时间的衰减曲线。结合非平衡载流子时间衰减特性曲线和陷阱模型表达式,利用MATLAB软件进行数值拟合得到了硅片的陷阱中心浓度。     

光推动光电混合式电流互感器的研究

研究了一种用于测量高压电站中输电线电流的光电混合式电流互感器 .采用传统的电流互感器作探头 ,设计了一个微功耗测量电路 ,把被测信号转化为脉冲宽度的变化 ,用光纤把信号传输到单片机系统进行处理 .可以在常规环境中实现光推动     

热示踪法测量流体流量的研究

介绍了一种热示踪法测量流体流量的原理及热示踪流量法的设计方法：该方法利用脉冲状热流体通过固定距离所用时间来间接测量流体流量；首先由一个热激励器在周围流体中产生脉冲状热流团，热流团随流体运动过程中经过一个特殊的温度传感器阵列时，流体的温差将引起传感器的信号突变，形成标记脉冲，通过判断标记脉冲出现的时间可以确定流体平均流速，进而得到流体流量，针对引起流量测量误差的原因进行了分析并提出了相应的改进建议和实际应用要求，通过室内模拟实验表明，该方法适用于层流状流体，尤其适用于较高粘度流体的流量测量。