陶瓷湿度传感器电路研究

提出了消除湿敏元件长导电线上的干扰和弱信号整流等有效方法     

关于测量硅单晶锭中少于寿命的计算公式

本文论述了用现有的光电导衰减法测硅单晶锭中少于寿命计算公式存在的问题。针对此问题,提出了与它相应的改进公式。用此改进公式算出的值与实验测得的数据基本一致。 一、引言 用光电导衰减法测锗、硅单晶锭中少数载流子寿命的计算公式早在1955年就被D.J.Steveson等人提出,其后,JP.Mckelvey又对圆柱形单晶锭进行过专门的计算,现在许多文献都在引用他们的结果,国内一些工厂和实验室测单晶锭中少子寿命时,也都采用这类公式。文献(2)中所提出的公式和文献(1)中是一致的,所以这里我们仅讨论文献(1)中的公式。     

太阳电池几个主要参数测试的研究

本文讨论了太阳电池的开路电压V_(oc),短路电流I_(sc),串联电阻R_s,饱和电流I_o和质量因子A的测试方法。     

硅薄膜太阳电池的研制

本文阐述了用真空蒸镀法制作微晶—非晶硅薄膜p—i—n结构太阳电池的工艺过程及原理,所制得的电池开路电压Voc已超过500mv。     

Gd-Ba-Cu-O,Y-Ba-Cu-O和Bi-Sr-Ca-Cu-O等高温超导材料的研制

自从瑞士的Bednorz和Mller于1986年发现La—Ba—Cu—O陶瓷的超导电性以来,在世界范围内,许多学者先继对高温超导材料进行了研制,这种研制工作目前集中在三个系列上:含稀土氧化物系列、铋锶钙铜氧化物系列和其它氧化物系列.我们已对含稀土氧化物系列和铋锶钙铜氧化物进行了研制.     

方形探针测锗、硅电阻率的部分修正因子的计算

本文计算了用方形探针测厚片、薄园片、薄方片的修正因子。计算表明:方形探针和直线形四探针的修正因子无本质差别。     

多重p-i-n a-Si太阳电池

一种新型的a-si太阳电池已被研制出。该种电池是由多重p-i-n单元电池组成,其开路电压V_oc几乎和p-i-n单元数成正比。