首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

双脉冲法测鍺硅半导体材料中非平衡载流子寿命
引用本文:贺永久 ,杨文波 ,马盛友 ,邹广盛.双脉冲法测鍺硅半导体材料中非平衡载流子寿命[J].天津大学学报(自然科学与工程技术版),1964(2).
作者姓名:贺永久  杨文波  马盛友  邹广盛
摘    要:本文简述了双脉冲法测锗硅中非下衡少数载流子寿命的设备,测试结果的分析,注入公式的推导及误差产生的原因。

本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号