测量半导体少数载流子寿命的双脉冲方法的改进

本文的目的在于改进测量半导体少数载流子寿命的双脉冲方法,使其能准确地测量少数载流子的体复合寿命。文中分析了双脉冲方法存在的主要问题,指出为了准确地测量少数载流子的体复合寿命,必须消除表面复合效应的影响。我们提出用在样品阻挡层的通向上,附加一弱恒直流电场的方法,来消除在接触区域的表面复合的影响。并对这一方法进行了一定的讨论,得到了消除接触区域表面复合影响的条件。N和P型错样品的实验结果,有力地证实了这一方法的可靠性、有效性、以及方便性。     

真空蒸发非晶硅的退火及其局域态密度

1 引言真空蒸发法(VE法)制备的非晶硅(a—Si)其质量比射频辉光放电法、溅射法和化学汽相淀积法都差,但该法设备与工艺条件比较简单,淀积速率较快,材料使用率较高,易于实现大规模自动化生产,因此VE法的研究仍为人们所重视。 VE法制备a—Si质量较差的主要原因是局域态密度很高,达10~(20)cm~(-3)ev~(-1)。因此研究减少其局域态密度的有效退火方法成为利用VE法制备a—Si材料的前提。早期把VE法制备的     

氢化非晶硅多数子驼峰二极管

本文提出了类似单晶硅多数子驼峰二极管的氢化非晶硅多数子驼峰二极管结构。测定了 I-V 特性,二极管的理想因子 n=1.20,驼峰势垒φ_B=0.70ev,从正向电流1.4A/cm~2到稳定反向电流的开关速度150ns.     

水化层对氮化硅膜pH－ISFET输出特性的影响

对氮化硅膜ｐＨ－ＩＳＦＥＴ的输出特性与水化层的关系进行了一系列实验研究。若水化层的增长速率较大，器件的敏感灵敏度及其线性范围、响应速度都有明显的改善。水化层增长速率较高的敏感膜具有较大的时漂速率；时漂速率为一常数，与浸泡溶液无关。