Electrical bistable characteristics of poly（phenylene sulfide） thin film deposited by thermal evaporation

Poly（phenylene sulfide） （PPS） is a well-known organic insulator. However, the PPS thin film, deposited by thermal evaporation in vacuum, showed electrical bistable characteristics. The structure of the PPS thin-film device was glass/ITOIPPS （300 nm）/Au. The thin film can be converted to a high conductance state by applying a pulse of 80 V （5 s）, and brought back to a low conductance state by applying a pulse of 100 V （5 s）. This kind of thin film is potential for active layer of a memory device. The critical voltage of the device is about 40 V, while the read-out voltage is 5 V. We tentatively ascribe the bistable phenomenon to the charge transfer from S to C atoms in the PPS molecule chains.     

OLED用三氧化钨缓冲层的研究

采用反应直流磁控溅射法在衬底温度为300℃玻璃基板上制备了掺钨氧化铟(IWO)作为OLED器件的阳极,然后室温条件下在IWO上制备了三氧化钨缓冲层.XRD分析表明三氧化钨为非晶结构.对比测试了有无WO3缓冲层的两种OLED器件,发现带有WO3缓冲层的OLED器件的亮度和功率均是无三氧化钨缓冲层的器件的两倍,而且发光效率最高可以达到对比器件的4倍.从器件能带排列的角度初步讨论分析了提高器件性能的原因.     

电阻式卟啉LB膜NH_3敏感元件

本文合成了一种新型的钴卟啉LB膜气敏材料(CoTDMAPP),并制成电阻式LB膜气敏元件.对其气敏性的测试表明,该元件只对NH_3敏感,灵敏度高、响应恢复较快、稳定性较好,实现了常温下工作,且功耗低,一致性好.     

等离子喷射CVD金刚石膜制备过程中的断弧保护

通过对等离子体喷射CVD金刚石设备的控制电路的改进,增加了沉积过程中在断弧情况下对已经沉积的膜的保护.该部分是在不影响开机点火的前提下,从主电流(电弧电流)取信号来控制冷却系统,使已生成的金刚石膜缓慢地冷却到室温,减小金刚石膜与衬底因温度瞬间下降而造成的相互作用力,金刚石内应力的释放相对减少.宏观裂纹明显减少,提高膜的完整性和产品的利用率和出材率.     

Luminescence Property of Phosphor Gd 3Ga 5O 12 :Ag

采取在不同的温度下烧结不同的时间方法制备了一种新型的兰色发学材料,用Ｘ光衍射对材料的结构进行了分析．并利用电子束蒸发的方法制备该材料的薄膜电臻发光器件．对该器件进行了光致发光,电致发光,亮度电压等发光性质进行了测试．得出器件亮度大约为２尼特     

磁控溅射氧化钛薄膜的光学性能

常温下,通过反应磁控溅射法在K9双面抛光玻璃基底上制备氧化钛薄膜．采用X线衍射（X—ray Diffraction,XRD）、光栅光谱仪和椭偏仪对氧化钛薄膜样品的结构和光学性能进行测试,并拟合分析得到薄膜的折射率和厚度等光学参数．结果表明：氧化钛纳米薄膜呈非晶态,其折射率和消光系数随波长的变化而变化,薄膜的透射率测量结果和理论计算结果在350—800nm光波范围内吻合良好．由于氧化钛薄膜的折射率高且在可见光波段吸收小、呈透明状,是用来构成一维光子晶体的理想组分,有关其光学性能的基础研究对光子晶体的结构设计及其器件的开发应用具有积极的意义．     

顺序离子束溅射沉积制备GdAlO3单一晶相薄膜技术

顺序沉积薄膜制备技术包括前驱薄膜制备和后期薄膜热处理技术，特别适合复杂组分的薄膜制备．采用IM100离子束材料芯片沉积仪在MgO(100)基片上顺序沉积Gd2O3和Al单层薄膜，经后续低温扩散和高温晶化两步热处理得到GdAlO3单一晶相薄膜．以X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等手段，分析所得GdAlO3薄膜的晶体结构和微观形貌，考察热处理过程对GdAlO3薄膜生长过程及微观结构的影响．实验结果表明顺序沉积薄膜制备技术具有化学计量比控制精确的优点，两步热处理可以得到结晶状况良好的单相结晶薄膜．     

纳米压印技术中模板表面的气相法抗粘连修饰

研究了采用全氟四氢辛基硅烷(F13-TCS)对纳米压印技术中所用SiO2模板进行表面修饰的情况,分析了用气相法在SiO2模板表面形成F13-TCS单分子膜的形成过程及化学机理,并用X射线光电子能谱仪(XPS)和视频光学接触角测试仪对模板修饰表面的元素成分、价态和表面能进行了测试表征,用原子力显微镜(AFM)对压印过程中的模板结构及模板复制结构进行了对比分析.结果表明,通过F13-TCS对SiO2模板的表面修饰,可以大大降低模板与压印聚合物层之间的相互作用力,在纳米压印过程中实现结构较好的转移、复制.     

聚苯胺膜生长的椭圆法研究

用椭圆法研究聚苯胺膜在HClO_4、H_2SO_4、HCl溶液中的生长,聚苯胺膜的生长速度和结构形貌与酸溶液的阴离子有关,在HClO_4溶液中形成致密膜,在H_2SO_4和HCl溶液中初期形成的是致密膜,以后是多孔膜。     

利用金刚石纳米粉引晶方法制备高硼掺杂金刚石薄膜

利用金刚石纳米粉引晶方法在SiO2衬底上合成了高硼掺杂金刚石薄膜,并利用范德堡法、扫描电镜、激光拉曼方法对不同掺杂量下生长的样品进行了表征.SEM和拉曼谱分析表明,少量掺杂时有利于提高金刚石薄膜的质量,但是随着掺杂量的增加,金刚石薄膜质量开始明显下降;并且拉曼谱峰在500 cm-1和1200 cm-1开始加强,呈现重掺杂金刚石薄膜的典型特征.其电导率随着温度升高而升高,表明导电性质为半导体导电.