杂糯间栽模式下水稻生长发育和产量效应研究

田间试验研究了杂糯间栽模式下不同行位杂交稻以及间作、净作杂交稻和糯稻在生长发育、穗部性状、产量和经济收益等方面的效应。结果表明：在间栽模式下,杂交稻的分蘖生长和产量性状会受到不利影响,稻谷产量有所降低;同一间作单元内,近糯行比远糯行受影响更大,糯稻行北侧的杂交稻受影响程度大于南侧;间栽糯稻的分蘖生长受到较大影响,但其产量构成因素和单株生产能力优于净作糯稻;杂糯间栽单位面积稻谷总产量和产值都明显高于净作杂交稻和净作糯稻。     

《微电子工艺》的理论教学与学生实践能力培养

就《微电子工艺》课程的理论与实验教学进行了探讨。结合笔者的教学实践,介绍了《微电子工艺》课程教学内容的选取、教学方式的改革与探索,强调了将教师的理论教学、实验教学与学生的自主学习相结合的教学方式,以激发学生的学习兴趣,培养动手能力,提高教学效果。     

4H-SiC MESFET表面陷阱效应研究

分析了表面陷阱对4H-SiC MESFET直流和瞬态特性的各种影响.在直流特性上,由表面陷阱引入的附加耗尽层使得饱和电流降低和夹断电压偏移;在瞬态特性上,引起栅延迟以及跨导和输出电导的频散.表面陷阱能级和密度的变化也会影响表面陷阱效应.该文还对栅延迟现象进行了分析,并给出了电子浓度分布随时间的变化.     

4H—SiC MESFET表面陷阱效应研究

分析了表面陷阱对4H—SiC MESFET直流和瞬态特性的各种影响。在直流特性上，由表面陷阱引入的附加耗尽层使得饱和电流降低和夹断电压偏移；在瞬态特性上，引起栅延迟以及跨导和输出电导的频散。表面陷阱能级和密度的变化也会影响表面陷阱效应。该文还对栅延迟现象进行了分析，并给出了电子浓度分布随时间的变化。     

p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性的研究

作者研究了p型Al/6H -SiC肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数 .采用电流 -电压法 (I～V) ,测试了肖特基二极管的理想因子n和肖特基势垒高度b.对其基本电学参数n和b 的温度特性进行了研究 .分析了串联电阻对I～V特性的影响 .     

宽带隙半导体器件仿真中收敛性问题的分析

针对宽带隙半导体器件仿真中常见的不收敛性问题,通过分析数值求解算法与宽带隙半导体材料的固有特性知道,其原因是少子浓度过低,从而提出3种引入平衡或非平衡少子的解决方案。ISE仿真结果表明,采用文中提出的方案在解决收敛性同时能保证求解结果正确性,并且对刚开始进行宽带隙半导体器件仿真设计的本科生有很大帮助。     

红台地区录井与测井技术综合识别致密气层浅析

针对红台地区低孔低渗性砂岩储层的特点,研究了将录井与测井技术综合起来对致密气层进行识别的方法,指出录井技术中气测录井对气层反应灵敏,而测井技术上可通过三孔隙度曲线叠合法及声波曲线与深电阻率曲线叠合法综合分析来识别气层,在实际应用中取得了很好的效果。     

SiO_2/6H-SiC界面的物理性质及其辐照特性的研究

在p型及n型 6H -SiC外延衬底上成功地制备了MOS电容 ,通过高频C～V测试 ,研究了SiO2 /SiC系统的物理性质和电学性质 .发现在SiO2 /p -SiC界面存在大量的施主型界面态 ,在p -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的正电荷中心 ,而在n -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的负电荷中心 .对n -SiC和SiMOS电容进行了γ辐照对比实验 ,证实了n -SiCMOS电容器具有优异的抗辐照性能 .