4H—SiC MESFET表面陷阱效应研究

分析了表面陷阱对4H—SiC MESFET直流和瞬态特性的各种影响。在直流特性上，由表面陷阱引入的附加耗尽层使得饱和电流降低和夹断电压偏移；在瞬态特性上，引起栅延迟以及跨导和输出电导的频散。表面陷阱能级和密度的变化也会影响表面陷阱效应。该文还对栅延迟现象进行了分析，并给出了电子浓度分布随时间的变化。     

4H-SiC MESFET表面陷阱效应研究

分析了表面陷阱对4H-SiC MESFET直流和瞬态特性的各种影响.在直流特性上,由表面陷阱引入的附加耗尽层使得饱和电流降低和夹断电压偏移;在瞬态特性上,引起栅延迟以及跨导和输出电导的频散.表面陷阱能级和密度的变化也会影响表面陷阱效应.该文还对栅延迟现象进行了分析,并给出了电子浓度分布随时间的变化.     

宽带隙半导体器件仿真中收敛性问题的分析

针对宽带隙半导体器件仿真中常见的不收敛性问题,通过分析数值求解算法与宽带隙半导体材料的固有特性知道,其原因是少子浓度过低,从而提出3种引入平衡或非平衡少子的解决方案。ISE仿真结果表明,采用文中提出的方案在解决收敛性同时能保证求解结果正确性,并且对刚开始进行宽带隙半导体器件仿真设计的本科生有很大帮助。