| 4H-SiC MESFET表面陷阱效应研究 |
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| 引用本文： | 陈壮梁,罗小蓉,邓小川,周春华,黄何.4H-SiC MESFET表面陷阱效应研究[J].实验科学与技术,2006,4(Z1):43-45. |
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| 作者姓名： | 陈壮梁 罗小蓉 邓小川 周春华 黄何 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,成都,610054 |
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| 摘 要： | 分析了表面陷阱对4H-SiC MESFET直流和瞬态特性的各种影响.在直流特性上,由表面陷阱引入的附加耗尽层使得饱和电流降低和夹断电压偏移;在瞬态特性上,引起栅延迟以及跨导和输出电导的频散.表面陷阱能级和密度的变化也会影响表面陷阱效应.该文还对栅延迟现象进行了分析,并给出了电子浓度分布随时间的变化.
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| 关 键 词： | 4H-SiC MESFET 表面陷阱 直流特性 瞬态特性 |
| 文章编号： | 1672-4550(2006)07-0043-04 |
| 修稿时间： | 2006年7月19日 |
Study of the Surface Trap Effect in 4H-SiC MESFET |
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| CHEN Zhuang-liang,LUO Xiao-rong,DENG Xiao-chuan,ZHOU Chun-hua,HE Huang.Study of the Surface Trap Effect in 4H-SiC MESFET[J].Experiment Science & Technology,2006,4(Z1):43-45. |
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| Authors: | CHEN Zhuang-liang LUO Xiao-rong DENG Xiao-chuan ZHOU Chun-hua HE Huang |
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