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1.
介绍了一种EEPROM存储阵列单Block电路,可以降低RFID TAG存储阵列电路的漏电流.采用EEPROM嵌入式0.18 μm工艺,工作电压1.8V.改进后的电路每个存储单元可以降低最大8μA的漏电流. 相似文献
2.
设计了几种基于CMOS工艺的高频RFID整流器,包括:桥式整流器,栅压交叉连接桥式整流器,NMOS-PMOS栅压交叉连接桥式整流器.分析了NMOS栅压交叉连接桥式整流器和PMOS栅压交叉连接桥式整流器的结构和特点.所设计的这两种电路具有负载驱动能力强,漏电流低,电路能量转换效率高等特性,并且随着输入功率的变化有着很好的电路稳定性.另外对一种改进型NMOS-PMOS栅压交叉连接桥式整流器电路进行了讨论,在一定的输入功率下这种电路具有很高的能量转换效率.给出了几种电路的仿真结果,并对仿真数据进行了比较. 相似文献
3.
通过特性分析,提出非同型逆变器存在空载电压增益和等效输出阻抗的失配问题.推导阻性下垂控制下非同型逆变器并联的功率均分条件,进而提出一种引入空载电压增益补偿的改进下垂控制策略和虚拟阻抗法,提高非同型逆变器空载电压增益和等效输出阻抗的匹配程度.仿真结果表明:在非同型逆变器协同控制中,文中方法能够有效地提高系统的功率均分性能. 相似文献
4.
通过THERMOMASTER-Z型热／力模拟试验机对CSP生产线上冷轧冲压基板（SPHD）进行了热变形实验，建立了该钢种的临界应变模型以及流动应力-应变模型；分析了试验过程中工艺参数对临界应变、流动应力的影响。结果表明，变形温度、变形速率是影响临界应变的主要因素，当热变形达到临界应变时，将发生动态再结晶，同时造成变形抗力的波动。 相似文献
5.
使用CMSIS标准编写C验证代码,在Cortex-M0+内核支持下对UART外设模块进行了完整的功能验证,验证结果表明UART模块功能正常.同时,在芯片流片后的测试环节,用相同的C代码对搭载该芯片的PCB板进行了测试,测试结果表明UART模块工作正常.由于测试代码在芯片的设计验证阶段就已完成,一旦流片回来,就可以立刻对芯片进行测试,缩短了新产品的研发时间.同时,如果该外设用在其他的芯片中,C代码则可以完全照搬,简化了代码移植难度. 相似文献
6.
提出了一种用于电源管理系统的高电压、低功耗CMOS线性稳压器。通过使用所提出超级源极跟随器,位于功率管栅极的内部非主极点能够很容易地被推到单位增益带宽以外而不消耗大的静态电流,因此,有效减小了内部补偿电容;通过使用动态频率补偿技术,稳压器能在整个负载电流范围内稳定。提出的超级源极跟随器通过在功率管栅极处增加充电通道和放电通道改善了瞬态响应。该方法在降低功耗的同时,得到了快速且安全的上电瞬态响应和快速的负载变化瞬态响应.使用0.5μm高压n阱CMOS工艺,外接R_(ESR)为10 mΩ的0.47μF负载电容时,仿真发现,该稳压器表现出良好的稳定性和瞬态响应,而仅消耗10μA的静态电流. 相似文献
7.
多逆变器并联控制常在各逆变单元中添加虚拟阻抗提高功率均分精度,为简化各种工况下并联系统中各逆变单元的虚拟阻抗控制逻辑,提出一种统一虚拟阻抗控制方案.首先,对各逆变器所需的虚拟阻抗值统一进行自适应调节,提高并联系统的功率分配性能,增强供电可靠性;然后,在PLECS软件中搭建由两台逆变器组成的并联系统仿真模型,验证文中方案的有效性.研究结果表明:文中方案能够适应线路阻抗差异,有效提高并联系统稳态功率的均分精度,实现输出功率的灵活分配控制. 相似文献
8.
在原LVDS隔离通信驱动电路的基础上进行改进,加入了预加重技术,使得电平转换时间缩小,增强了信号质量,提高了传输速度,增加了传输距离.采用了0.18 μm BCD工艺对电路进行了仿真,仿真结果表明即使当电压需要达到稳定后电压的86.6%时,预加重改进后的电路电平转换时间(上升沿下降沿时间)改进比例达68%,效果显著. 相似文献
9.
对于SOC上应用十分普遍的AMBA总线而言,传统的验证方法已经远不能满足需求.使用UVM方法对AHB总线和UART模块之间的通信进行了统一的功能验证.验证结果覆盖了所有的测试点,并表明该验证平台具有很好的可重用性. 相似文献
10.
设计了用于高压电源管理芯片中的内部稳压器电路,为系统中低压模块提供稳定的电源电压输入.电路主要由基准和线性稳压器两个部分组成.不同于传统的线性稳压器结构,不采用稳压二极管反向击穿稳定电压给后级电路供电,引入预稳压的带隙基准电路,产生精确的基准电压,并给误差放大器提供电源.有效减小了芯片的面积,降低了设计对工艺的依赖.通过0.35 μm CMOS工艺模型仿真,稳压器各种性能参数良好. 相似文献