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主要通过低温和室温变功率光致发光(PL)谱的实验手段,研究了GaN纳米柱和对应薄膜(作为参考)的量子效率表现.实验中发现在室温,激发光功率为0.5mW时,GaN纳米柱的积分PL强度是薄膜的12.2倍,这表明GaN纳米柱具有比薄膜更高的内量子效率和光引出效率.另外,依据高低温积分PL强度比的方法计算得到激发光功率0.5mW时,GaN纳米柱的内量子效率低于薄膜,该计算结果违背由实验现象得到的结果,这表明该内量子效率的计算方法是不合适的,因而建立了一种新模型,得到GaN纳米柱和薄膜的内量子效率比随激发光功率的变化规律,结果表明GaN纳米柱的内量子效率表现显著优于薄膜. 相似文献
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锂-空气电池研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
锂-空气电池是通过金属锂与空气中的O2反应产生电能,它的理论比容量高达3828mAh/g,在电动汽车等领域展现出重要的应用前景。本文综述了近年来锂-空气电池领域的最新研究进展,对有机体系、有机-水混合体系与固态体系三类锂-空气电池的结构与原理进行了分析。总结了有机体系的多孔碳空气电极、催化剂、电解液等方面的研究工作。多孔碳的孔容是决定空气电极比容量最重要的结构参数,具有高孔容的多孔碳可以为放电过程中生成的氧化锂提供更多的储存空间,从而表现出高的比容量,多孔碳的比表面积与平均孔径对比容量也有重要的影响;合适的电催化剂可以有效的降低氧还原反应与析氧反应的过电压,从而提高能量效率;具有高极性、低黏度、低吸湿性、高溶解氧的电解液有利于改善电池的相关性能。总结了有机-水混合体系的隔膜、电解液等方面的研究工作。对有机相与水相电解液均具有良好抗化学腐蚀性的超级锂离子导通玻璃膜是目前有机-水混合体系研究的关键。总结了固态体系最新的研究进展。此外,展望了锂-空气电池领域今后的发展方向。 相似文献
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微晶硅薄膜的等离子增强化学气相沉积生长特征 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用27.12 MHz等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了氢化微晶硅薄膜材料,通过Raman散射谱、X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜和傅立叶变换红外谱等表征方法研究了生长条件参数对薄膜结构及生长速率的影响,对薄膜的生长机制进行了讨论,特别分析了孵化层形成和演化、以及对晶化率、柱状晶粒生长的作用特征.实验测量分析表明,在薄膜生长的初期阶段,形成一个嵌入大量小晶粒的非晶孵化层,并随着薄膜厚度的增加其非晶成份减少,晶化率不断提高,晶粒开始长大并结聚成团,形成大的晶粒,沿生长方向上形成横向尺寸为百纳米级的柱状晶粒.红外透射谱的结果证实2 100 cm-1附近吸收来源于位于晶界区或微孔内表面团簇化的SiH键的吸收.同时,适当的等离子能量在薄膜生长过程中有利于抑制氧的影响.目前的研究加深了对薄膜PECVD生长过程和生长机制的理解,有利于加强对太阳电池用的硅薄膜形态和质量的控制. 相似文献
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对自组装生长的Ge量子点超晶格样品进行了光荧光谱(PL谱)和拉曼散射谱(Raman谱)实验测量研究.对Si的TO发光峰和Ge的发光峰特征进行了深入讨论,通过对变温PL谱的拟合及分析提出了对Ge量子点尺寸和其电子有效质量一种新的测评方法;首次在非共振Raman模式下观测到低频声子模,研究了样品的结构组份、应变及声子限制效应问的关联性. 相似文献
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低温胁迫下加拿利海枣膜脂过氧化及保护酶活性的变化 总被引:20,自引:0,他引:20
在-5℃低温胁迫下,加拿利海枣(Phoenix canariensis Hort.ex Chab.)幼苗叶片的MDA含量逐渐增加,膜脂过氧化作用逐渐增强,含水量不断下降。细胞保护酶SOD、POD和CAT酶活性均逐渐升高,60h后呈现下降趋势。冷锻炼处理可以减缓膜脂过氧化作用的增强、电解质渗出率的增加及含水量的降低,促进SOD和CAT酶活性的提高,同时抑制POD酶活性的变化,相应提高了加拿利海枣幼苗的抗寒性。 相似文献
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柴达木盆地西部南翼山浅油藏储层特征 总被引:14,自引:0,他引:14
柴达木盆地西部南翼山浅油藏的主要储油层系为新近系上新统下油砂山组(N21)上部及上新统上油砂山组(N22)下部,为背斜构造控制的岩性层状油藏.南翼山浅油藏储层岩性主要包括:(含粉砂)藻灰岩、粉砂质(泥质)泥晶灰岩和灰质(泥质)粉砂岩.各油层一般都包括这3类储层岩性,其中以粉砂质(泥质)泥晶灰岩为主,其次为(含粉砂)藻灰岩和灰质(泥质)粉砂岩.南翼山浅油藏储集空间类型主要包括:溶孔、成岩缝、粒间孔、微孔隙.各油层一般都包括这四类储集空间类型,其中溶孔是最主要的储集空间类型.南翼山浅油藏储层物性最好的为(含粉砂)藻灰岩,其次为粉砂质(泥质)泥晶灰岩和灰质(泥质)粉砂岩.南翼山浅油藏储层的主要控制因素包括:沉积微相、断裂作用、晚期沿断裂带大气淡水的溶解作用、有机酸的溶解作用. 相似文献
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高灵敏度宽禁带半导体紫外探测器 总被引:1,自引:0,他引:1
以碳化硅(SiC)和Ⅲ族氮化物为代表的宽禁带半导体是近年来国内外重点研究和发展的新型第三代半导体材料,具有禁带宽度大、导热性能好、电子饱和漂移速度高以及化学稳定性优等特点,用于工作于紫外波段的光探测器件具有显著的材料性能优势.宽禁带半导体紫外探测器的主要应用包括:国防预警、环境监测、化工和生化反应的光谱分析和过程检测、以及天文研究等.本文主要回顾近年来南京大学在此方面开展的一些代表工作,所涉及到的典型器件有:具有极低暗电流的AlGaN基日盲MSM紫外探测器、高量子效率AlGaN基日盲雪崩光电探测器、以及SiC基可见光盲紫外单光子探测器. 相似文献