肼还原法制备镍纳米粒子及其机理

在乙二醇中用肼作还原剂还原Ni2 制备镍纳米粒子。用X射线衍射仪测定出产物的相结构,用扫描电子显微镜观察产物的微观结构。根据反应现象和产物的相结构,研究温度、pH值调节剂种类和pH值对镍纳米粒子形成的影响,并推断其形成机理。研究结果表明,用肼作还原剂还原Ni2 制备纳米Ni的最佳反应温度为60℃,用NaOH作pH值调节剂调pH值到10～11得到的镍纳米粒子为体心立方结构,平均粒径为25nm。在Ni纳米粒子的形成过程中,NaOH不仅起到调节pH值的作用,还起催化作用。     

等离子增强型化学气相沉积氮化硅的淀积

等离子增强型化学气相淀积氮化硅是目前器件难一能在合金化之后低温生长的氮化硅。本文研究了各种淀积参数对薄膜性能的影响，提出了淀积优质氮化硅钝化膜的条件，对折射率随生长速率而变化给出了新的解释。     

金属／非晶硅势垒低频电容中等价的隙态密度分布

本文证明:在一定条件下,描述非晶硅隙态密度分布的三种基本函数,即均匀分布、指数分布和双曲分布,在计算金属/非晶硅势垒低频电容时也是等价的.并通过测量室温时低频势垒电容,得到了隙态密度分布函数模型等价的标准.     

ZC36微电流测试仪测量非晶硅有效隙态密度

首次报告了用国产的廉价的ＺＣ３６型微电流测试仪测量非晶硅有效隙密度的原理和结果，其结果与美国生产的昂贵的４０６１Ａ型半导综合测试仪测量结果相一致。     

等离子增强型化学气相淀积氮化硅的淀积

等离子增强型化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮化硅是目前器件唯一能在合金化之后低温生长的氮化硅．本文研究了各种波积参数对薄膜性能的影响，提出了淀积优质氮化硅钝化膜的条件，对折射率随生长速率而变化给出了新的解释．     

ZnS微米球的制备和光学性质的研究

用超声的方法在水和正庚烷的微乳液中成功地合成了ZnS的微米球,并用XRD,TEM对微米球进行了表征.合成的产物为纯的多晶ZnS,微米球的直径约为2μm,为规则的球形,粒径分布窄,分散均匀,表面光滑.荧光光谱上ZnS微米球在456 nm处有一个发射主峰,在492 nm处有一个小峰.这两个发光峰报道不多.它对应于ZnS的缺陷发光.     

室温稀磁半导体Zn_(0.9)Ni_(0.1)O纳米棒的制备与表征

利用溶胶-凝胶方法制备了Zn0.9Ni0.1O纳米棒.运用X射线衍射分析表明样品中不存在镍及镍的氧化物,镍进入晶格中取代了部分Zn原子的位置.SEM显示煅烧温度是影响其形貌的主要因素.随着温度的升高,样品形貌逐渐从棒状变为颗粒状.样品的磁学性能由振动样品磁强计测量,发现在室温下存在明显的铁磁性,并且通过M-T曲线得到Zn0.9Ni0.1O居里温度为575 K左右,表明其磁性来源于稀磁半导体.     

自蔓延高温合成SOFC阴极材料La0.7Sr0.3MnO3

设计了4类共9个化学反应，采用自蔓延高温合成的方法合成了固体氧化物燃料电池阴极材料La0．7Sr0．3MnO3?B8龇从μ逑捣直鹗牵篖a0．7Sr0．3MnO3?A3琈n粉与氧化剂NaClO4或Ba(ClO4)2在空气中的反应；La2O3，SrC03与Mn粉在氧气中的反应；LaCl3，SrCl2，MnCl2与氧化剂NaO2或Na2O2在空气中的反应；La(NO3)3，Sr(NO)2，Mn粉与C3N6H6在空气中的反应．XRD和I．C．P分析表明：采用SHS法成功合成了菱方晶系(R3C)钙钛矿结构的La0．7Sr0．3MnO3?B7勰渲写蟛糠址从μ逑岛铣刹镂ハ郘a0．7Sr0．3MnO3?A3梅椒芟灾档筒牧现票赋杀荆欣谕贫疭OFC的实用化和产业化进程．     

等价的非晶硅隙态密度分布

本文证明:在某些条件下,描述非晶硅隙态密度的三种基本分布模型,即均匀分布、指数分布和双曲分布,在计算非晶硅隙态过剩电子密度、解金属/非晶硅势垒区泊松方程和计算势垒区静态电容时是等价的。这就暗示不能从上述分析确定唯一的非晶硅隙态密度分布形式。     

溶剂热辅助法控制合成ZnO纳米结构及其光学性质研究

用溶剂热方法合成了znC2O4·2H2O纳米棒的中间体，在不同热处理条件下获得ZnO的玉米棒、颗粒片、链结构等不同形貌，从而实现对ZnO的形貌进行控制．室温下．ZnO在250nm的紫外光激发下，在400nm处出现一个近带发射峰．这种发光峰属于ZnO中的缺陷发光．对ZnO的形成机理做出了热重和红外分析，并对ZnO的形成机理提出了一种可能的解释．溶剂热方法获得的ZnC2O4·2H2O纳米棒在高温下分解成ZnO．在退火过程中，中间体会先形成空洞，然后形成带颗粒的纳米棒；但是这种纳米棒开始会粘接在一起形成片状，然后纳米片会卷曲成玉米棒结构，最终玉米棒散掉，形成纳米链．