1.3μm InGaAsP/InP高频大功率SPB-BC激光器

提出一种高频大功率选择性质子轰击掩埋新月型InGaAsP／InP激光器结构（SPB－BC）．用P－InP做衬底．500μm腔长,最大输出功率为80mW,调制带宽6．0GHz．     

C-Si/GD μC-Si:H异质结的一些性质

在单晶硅衬底上淀积掺硼(或磷)的μC—Si:H 薄膜可制成 C—Si/GDμC—Si:H 异质结。掺杂μC—Si:H 薄膜是由辉光放电制备,它的电导率约 1000S/m 光学带隙是1.6eV,淀积温度是280℃。该结具有好的 I—V 特性曲线,可以用整流扩散理论解释它。反向击穿电压取决于晶态衬底的电阻率。退火实验指出,在650℃以下,该结的 I—V 特性是稳定的。讨论了异质结的有关性质。     

碳化硅薄膜制备及其场发射特性

采用热丝化学气相沉积法在Si（111）、Ti（101）衬底上制备了SiC薄膜,并利用X射线衍射和傅里叶变换红外吸收光谱（FTIR）对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析．XRD结果表明,制备的SiC薄膜呈现3C-SiC结晶相,有很好的择优取向性．HIR谱显示,薄膜的吸收特性主要为Si-C键的吸收,其吸收峰为804．95cm^-1．从原子力显微镜对SiC薄膜表面形貌的测试分析可以看出,样品表面呈规则精细颗粒状结构且薄膜结构致密．此外,在高真空系统中（6．0×10^-4Pa）对生长的SiC薄膜进行场敛发射特性测试,结果表明生长的SiC薄膜具有场致发射特性：样品的开启电压为82．1V／μm,最大电流密度为631．5μA／cm^2．     

圆锥形图形化蓝宝石衬底对MOCVD生长GaN外延膜的位错密度和应力应变影响

通过金属氧化物化学气相沉积（MOCVD）方法在2．5μm×1．6μm×0．5μm圆锥形图形化蓝宝石衬底（CPSS）和没有图形化平面蓝宝石衬底（uss）上生长GaN外延膜．高分辨率X射线衍射仪（HRXRD）测试结果表明,生长在CPSS上GaN的刃位错的密度比生长在USS上GaN的刃位错密度低得多;从透射电子显微镜（TEM）观察,CPSS可有效地减小GaN外延膜中的线位错密度;拉曼散射谱显示通过CPSS可有效地减小GaN外延膜中的残余应力;比较两种外延膜中的光致发光谱（PL）,能从生长在CPSS上GaN外延膜中观察到强而尖的带边发射．以上结果表明：生长在CPSS上GaN外延膜的质量高于生长在USS上GaN外延膜的质量．     

偶圈的Tur(a)n数和Wenger图

设G是一个图，G的Turan数记作ex（n；G），是指阶数为n的不含G作为子图的图的最大边数．根据Erdos在1965年给出的偶圈C2m的Turan数ex（n；C2m）的上界10mn^1＋1/m和Wenger在1991年构造的偶图Hm（q），并由这种图得到的ex（n；C2m）（m=2，3，5）的下界cn^1＋1/m（其中c为一个与n无关的常数），可以知道，当n→＋∞时，ex（n；C2m）=O（n^1＋1/m）（m=2，3，5）．n^1＋1/m就是ex（n；C2m）的准确阶．给出了Wenger图Hm（q）的一些一般性质，并分别构造了Hm（q）中长为8的圈（m≥4）和Hm（q）中长为12的圈（m≥6），从而证明了不可能由图Hm（q）得到ex（n；C2m）的所有准确阶．     

In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构的LP-MOVPE生长

本文报导了在低温、低压下,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEI)为Ⅲ族源材料,100％砷烷(AsH_3)、100％磷烷(PH_3)为V族源材料,用金属有机化合物气相沉积技术在(100)InP衬底上生长出In_(1-x)Ga_xAs/InP多量子阱结构材料.X光摇摆曲线观测到由于周期性多量子阱结构而产生的多级卫星峰,光致发光测量给出了不同阱宽下由量子阱尺寸效应而导致的PL谱.     

P^＊混合序列的Chover型重对数律

设{Xa,n≥1}是同分布的P^＊混合序列,其分布属于特征指数为α（0〈α〈2）的非退化稳定分布正则吸引场．利用P^＊混合序列的矩不等式证明了依概率1有lim sup n→∞（（^n∑i=1Xi）/n^1/α）^1/（log log n）=e^1/α,并获得了一系列等价条件.     

热壁外延（HWE）制备PbTe／PbSnTe异质结和超晶格

本文于国内首次报导，利用简化的热壁外延（ＨＷＥ）装置在ＢａＦ＿２（１１１）衬底上生长了Ⅳ—Ⅵ族半导体单晶外延层，制备了ＰｂＴｅ／ＰｂＳｎＴｅ异质结和具有２０个周期的超晶格．测试结果表明，所制备的外延层的晶体结构完美，异质结具有良好的整流特性．通过Ｘ—光衍射求出了超晶格的周期．超晶格样品（２２２）衍射峰的卫星峰不对称，说明样品内有应变．     

V2O5薄膜的超声喷雾制备及其性能研究

采用超声喷雾法在玻璃衬底上制备了V2O5薄膜，研究了超声沉积参数对V2O5薄膜微结构以及薄膜晶化生长过程的影响．利用X射线衍射仪（XRD）扫描电子显微镜（SEM）分光光度计和电阻测量等手段对薄膜的晶相结构表面形貌和性能进行了分析．XRD结果表明：V2O5薄膜为斜方晶系结构，当衬底温度（Ts）小于215℃时，沉积的薄膜为非晶态；当Ts≥215℃时，V2O5薄膜开始形成微晶结构，而且随着衬底温度上升，薄膜的择优取向由（001）方向向（110）方向发生了转变．SEM图谱显示了V2O5薄膜的沉积生长过程．当V2O5薄膜温度从室温升高至380℃时，薄膜电阻变化了将近2个数量级；该方法制备的V2O5薄膜光学能隙Eg=2．25eV．     

无机含氧酸强度的估算

提出了三个元素键参数拓扑指数：N=1／[n＋n^1/2]^-1、DR=1／[Dr＋m]、He=1／[（1＋n/m）R^1/2ξ]^-1。将包括主族和过渡金属元素在内的34种单中心无机含氧酸的Pk1实验值与其N、DR、He相关联，应用最小二乘法进行线性回归，拟合得：pK1=4．837—3．33N＋30．922DR＋2．604He（R=0．985s=0．889F=323．8P=0．000 n=34），与其他的拓扑指数相比，元素键参数拓扑指数能用于预测过渡金属元素的含氧酸强度，计算精度高。     

双核配合物Cu2（μ-dppb）2（μ-I）2（dppb=1，4-双（二苯基膦）丁烷）的溶剂热合成和晶体结构

报道了由CuI和1,4-双（二苯基膦）丁烷（dppb）合成的双核配合物Cu2（μ—dppb）2（μ-I）2,并测定了其晶体结构．该晶体属正交晶系,空间群为pbca,a=1．8206（4）nm,b=1．5219（3）nm,c=1．8280（4）nm,V=5．0650（19）nm^3,Z=4,R=0．0443,wR=0．0832,S=1．086．该化合物是一个双核结构,对称中心位于两个铜原子连线的中点处．其结构特点为一个双环骨架：外环由Cu—dppb—Cu—dppb组成一个十四元环,内环由两个Cu^＋和两个I^-离子组成一个四元环,两环基本相互垂直．     

自催化脉冲激光沉积方法制备ZnO纳米棒阵列

采用脉冲激光沉积方法在ZnO作为缓冲层的InP（100）衬底上制备了高密度ZnO纳米棒阵列．扫描电子显微镜图像显示ZnO缓冲层形成较为均匀的岛状结构,ZnO纳米棒具有垂直于衬底的统一生长方向．X射线衍射测试在34．46°出现尖锐的衍射峰,说明ZnO纳米棒具有（002）择优取向．PL谱在380nm出现强的近带边发射峰,在495nm出现弱的深能级发射峰,表明ZnO纳米棒具有较好的光学性质．本实验制备的高质量ZnO纳米棒阵列有望在现在和未来的纳米器件制作中得到应用．     

铜胁迫对甜菜幼苗生长和光合特性的影响

以甜菜品种KWS3418为实验材料,研究了铜胁迫对甜菜幼苗生长及光合作用特性的影响．结果表明：当Cu2＋≤250μmol·L-1时,甜菜幼苗生长良好,与对照（0．3μmol·L-1）相比,各生长指标没有显著差异．但是,随着Cu2＋浓度的增加（Cu2＋〉250μmol·L-1）,甜菜幼苗生长受到显著抑制,其单株干、鲜重和叶面积均显著下降．Cu2＋为250μmol·L-1时,净光合速率（pn）、气孔导度（Gs）与叶绿索含量显著低于对照组,随着Cu2＋浓度的增加,净光合速率（Pn）、气孔导度（Gs）与叶绿素含量急剧下降．这些结果表明,甜菜有一定的耐铜性,但是高铜处理可能通过引起叶绿素含量和气孔导度下降来抑制光合作用进而抑制生长．     

均匀多角锥状纳米ZnO的制备及发光特性研究

采用热蒸发锌（Zn）粉方法制备出大量均匀的纳米ZnO多角锥状结构,用扫描电子显微镜（SEM）、拉曼光谱（Raman Spectra）和光致发光谱（PL）对样品进行形貌、结构和发光特性分析．结果表明：多角锥状纳米ZnO结晶质量好，角的直径约100—200nm，长度约2～3μm，在486nm处有很强的蓝光发射，在394nm，423nm处有较弱的紫外发射，呈现出优异的蓝光特性．针对其强蓝光发射特性并结合实验条件，对其生长机理和发光机制进行初步探讨．     

纳米硅（nc—Si：H）／晶体硅（c—Si）异质结太阳电池计算机模拟

文章运用美国宾州大学发展的AMPS程序模拟计算了n--型纳米硅(n^ --nc—Si：H)／p--型晶体硅(p--c—Si)异质结太阳电他的光伏特性。结果显示，界面缺陷态是决定电池性能的关键因素，显著影响电池的开路电压(Voc和填充因子(FF)。计算得到了这种电池理想情况下(无界面态、有背面场、正背面反射率分别为0和1)的理论极限效率ηmax＝31．17％(AM1．5100MW/cm^2 0.40--1.10μm波段）     

纳米ZnO阵列场发射性能研究

目的 为了进一步提高ZnO纳米阵列的场发射性能指标.方法 采用掺杂n型杂质元素Al和衬底预处理的方法生长ZnO纳米阵列,对相应样品的场发射性能进行比较分析.结果 和结论采用Al掺杂和衬底镀Au处理均提高了ZnO纳米阵列场发射的性能,降低了阈值场强.其中衬底镀Au并在此衬底上生长的Al掺杂ZnO纳米阵列开启电场小于0.5 V/μm、阈值电场为4.5 V/μm.     

新型圆柱结构的场发射碳纳米管发光管

设计了一种新型结构的场发射碳纳米管发光管，采用热解法直接生长在钨丝上的碳纳米管作为发光管阴极，获得了新的碳纳米管生长工艺．扫描电子显微镜的表面形貌分析表明，钨丝上碳纳米管的顶端有许多分叉．在常温且真空度为10-4Pa的条件下，测试了钨丝上碳纳米管的电流-电压发射特性，测得开启电场强度为1．25V／μm左右．当电场强度为2．0V／μm时，电流密度可迭320A／m^2．测试了发光管的发光特性，当电压为300V时，亮度可达1600cd／m^2．这种低成本、低耗能、高亮度的新结构碳纳米管发光管，有效地提高了场发射效率和发光亮度，可用于交通指示和大屏幕显示器．     

恰有一公共点的双圈图的邻接矩阵的奇异性

恰有一公共点的双圈图的邻接矩阵是奇异的当且仅当G满足：G有完美匹配，c1与c2中一个是4m圈，另一个是偶圈，4m圈上不挂出奇数阶树；G有完美匹配，G-V（c1）-V（c2）含完美匹配，G-V（c1）或G—V（c2）含完美匹配，且含有4m圈；G无完美匹配，G—V（c1）和G—V（c2）均含有完美匹配，且G中含有4k1＋3和4e1＋1（k1，e1∈N）阶图；G，G—V（c1）和G—V（c2）都不含完美匹配恰有一公共点的双圈图的邻接矩阵的行列式的最大值是4．     

关于独立数上界的讨论

在定义了简单图的特征矩阵和规范特征矩阵后，对特征矩阵进行分析，得到了简单图的独立数的一个上界：α（G）≤[（1＋√4n^2-4n-8m＋1）/2]，并且针对非连通图对上界定理进行了改进，得到了更优的上界：α（G）≤（s∑i=1）[（1＋√4n^2i-4ni-8mi＋1）/2]。     

亚微米SiCp/Al复合材料的磨损性能

以亚微米级（130nm）SiCp和100—200目（149—75μm）Al粉为原料，采用冷压烧结和热挤压方法制备出不同体积分数的微米SiCp增强Al基复合材料，并在油润滑条件下，对其滑动磨擦特性进行了研究．结果表明i在较高载荷下，体积分数为1．5％和5．0％的SiCp／Al基复合材料具有优异的滑动磨损抗力，且随SiCp含量增加，复合材料的耐磨性能提高，耐磨性可迭市售挤压态锡青铜QSn6．5—0．4的1．21和4．06倍、纯Al的1．10和3．66倍；其磨损表面和次表面在摩擦推挤形变的作用下形成了Al基体＋孔隙＋尺寸适中、近球状、弥散分布SiCp的理想耐磨减摩组织．