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用五带 k· p模型计算 In As/ Ga As/ In P及 In As/ In P的室温 PL谱的能级分布 ,分析PL谱峰值 .发现 Ga As的张应变层影响 PL峰值位置 ,与 In As/ In P量子点相比 ,In As/Ga As/ In P量子点 PL谱峰值有明显红移 ,并从能带理论给出解释 相似文献
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报道一个 M O C V D 全方位综合工艺模拟系统. 该系统包含反应室气流流体力学模拟、化学反应热力学模拟和沉积过程动力学模拟等 3 个子系统, 它们可以独立运行, 也可以联合运行. 相似文献
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本文利用二维热流模型,计算了适于单片集成正装结构GaAlAs/GaAs激光器的热阻,讨论了各种参数对热阻的影响。此外,还采用正向压降法测量了不同腔长激光器的热阻,并与理论曲线进行了比较。 相似文献
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Poly-Si TFT有源驱动OLED单元像素电路的参数设计 总被引:2,自引:0,他引:2
根据有机电致发光显示器件(OLED)的发光特性及多晶硅
薄膜晶体管 (Poly-Si TFT)的工作特性, 对Poly-Si TFT有源驱动OLED的源极跟随型双管
单元像素驱动电路进行了理论计算和模拟仿真, 确定了单元像素中的各种器件参数; 通过AI
M-Spice的模拟仿真了整个像素电路工作状态, 对器件参数进行了优化. 相似文献
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本文报导了具有内电流限制掩埋新月型GaAlAs/GaAs半导体激光器的液相外延过程。解决了在暴露于空气中的Ga_(1-y)Al_yAs(111)面上的生长问题,观察到了Ga_(1-y)A1_yAs对熔体生长具有抗回熔作用。根据扩散理论,建立了在非平面衬底上液相外延生长速率模型,给出了生长厚度与生长时间的关系,其实验结果和理论值相比较,两者符合得较好。 相似文献
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本文用一种新方法分别对具有不同限制层的两种三维GaAs/AlGaAs/n~ GaAs矩形波导的特征方程进行计算机求解,得到其传输及损耗特性的理论结果。同时我们实测了上述两种波导样品的损耗系数,从而使理论结果得到了实验上的验证。 相似文献
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本文报道了利用沉积-旋涂技术,在AlGaAs/Ga As激光器之间,进行波导互连的实验结果。 相似文献
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本文研究了用低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)技术,以三申基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn)为Ⅲ族源,AsH_3和PH_3为Ⅴ族源,在(100)方向掺S的n ̄+InP衬底上生长短波长In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料的生长条件,并用双晶X射线衍射(DCD)和光荧光(PL)对不同条件下生长的短波长In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料进行了表征。 相似文献