首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   20篇
  免费   0篇
  国内免费   36篇
丛书文集   5篇
教育与普及   3篇
综合类   48篇
  2008年   2篇
  2005年   1篇
  2002年   2篇
  2001年   1篇
  1999年   2篇
  1998年   1篇
  1997年   6篇
  1996年   4篇
  1995年   2篇
  1994年   4篇
  1993年   4篇
  1991年   2篇
  1990年   5篇
  1989年   5篇
  1988年   1篇
  1987年   4篇
  1986年   5篇
  1984年   1篇
  1983年   2篇
  1978年   1篇
  1965年   1篇
排序方式: 共有56条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
用五带 k· p模型计算 In As/ Ga As/ In P及 In As/ In P的室温 PL谱的能级分布 ,分析PL谱峰值 .发现 Ga As的张应变层影响 PL峰值位置 ,与 In As/ In P量子点相比 ,In As/Ga As/ In P量子点 PL谱峰值有明显红移 ,并从能带理论给出解释  相似文献   
2.
报道一个 M O C V D 全方位综合工艺模拟系统. 该系统包含反应室气流流体力学模拟、化学反应热力学模拟和沉积过程动力学模拟等 3 个子系统, 它们可以独立运行, 也可以联合运行.  相似文献   
3.
文应用WKB法导出了指数折射率平面光波导的模方程。实算结果表明,所给模方程具有很高的精度。  相似文献   
4.
本文利用二维热流模型,计算了适于单片集成正装结构GaAlAs/GaAs激光器的热阻,讨论了各种参数对热阻的影响。此外,还采用正向压降法测量了不同腔长激光器的热阻,并与理论曲线进行了比较。  相似文献   
5.
Poly-Si TFT有源驱动OLED单元像素电路的参数设计   总被引:2,自引:0,他引:2  
根据有机电致发光显示器件(OLED)的发光特性及多晶硅 薄膜晶体管 (Poly-Si TFT)的工作特性, 对Poly-Si TFT有源驱动OLED的源极跟随型双管 单元像素驱动电路进行了理论计算和模拟仿真, 确定了单元像素中的各种器件参数; 通过AI M-Spice的模拟仿真了整个像素电路工作状态, 对器件参数进行了优化.  相似文献   
6.
本文研究了用低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)技术,以三甲基镓(TMG)、三乙基铟(TEIn)和AsH_3为原,在(100)InP衬底上生长In_(1-x)Ga_xAs外延层的生长条件,并用X射线单晶衍射仪和光电子能谱(XPS)仪给出了不同TEIn与TMG摩尔流量比下外延层的测量结果.  相似文献   
7.
本文报导了具有内电流限制掩埋新月型GaAlAs/GaAs半导体激光器的液相外延过程。解决了在暴露于空气中的Ga_(1-y)Al_yAs(111)面上的生长问题,观察到了Ga_(1-y)A1_yAs对熔体生长具有抗回熔作用。根据扩散理论,建立了在非平面衬底上液相外延生长速率模型,给出了生长厚度与生长时间的关系,其实验结果和理论值相比较,两者符合得较好。  相似文献   
8.
本文用一种新方法分别对具有不同限制层的两种三维GaAs/AlGaAs/n~ GaAs矩形波导的特征方程进行计算机求解,得到其传输及损耗特性的理论结果。同时我们实测了上述两种波导样品的损耗系数,从而使理论结果得到了实验上的验证。  相似文献   
9.
本文报道了利用沉积-旋涂技术,在AlGaAs/Ga As激光器之间,进行波导互连的实验结果。  相似文献   
10.
本文研究了用低压金属有机化学气相外延(LP-MOVPE)技术,以三申基镓(TMGa)、三甲基铟(TMIn)为Ⅲ族源,AsH_3和PH_3为Ⅴ族源,在(100)方向掺S的n ̄+InP衬底上生长短波长In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料的生长条件,并用双晶X射线衍射(DCD)和光荧光(PL)对不同条件下生长的短波长In_xGa_(1-x)As_yP_(1-y)材料进行了表征。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号