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1.
采用二次液相外延技术研制了1.3μm InGaAsP/InP掩埋新月型激光器。测试结果表明,典型室温连续工作电流为20mA,最低10mA。在3～5倍阈值工作电流下仍能以稳定的基横模激射。 相似文献
2.
本文介绍了InP/InGaAsP双异质结激光器的制作及其特性。在通常的液相外延系统中用两相溶液法生长双异质结构晶片,适当的选择四元系外延层的组分及外延层的掺杂浓度,掌握Zn在外延片中的扩散规律,做好欧姆接触,结果制成了在室温下连续工作的条形激光器。室温最低脉冲阈值电流密度J_(th)=1800A/cm~2,室温直流阈值在200—300mA之间,激射波长1.35μm,主峰半宽5。 相似文献
3.
我们采用二次液相外延技术,研制出1.3微米低阈值,基横模掩埋新月型InGaAsP-IaP(BC)激光器。 器件的结构见图1.先用一次外延在n~+-InP衬底上生长n-p-nInP电流限制层,然后沿[011]方向开槽。器件有源区埋在从(111)p边壁V型槽底上长出的平滑的n-InP和p-InP层中,消除了通常BH激光器由于沿条型方向掩埋条边不规则造成的远场图参差 相似文献
4.
本文对p型In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)上依次蒸发Au、Zn、Au所形成的多层金属结构进行了研究。得到了较低的比接触电阻和较好的附着性,找到了比接触电阻与In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)波长(组份)的变化关系。用带溅射剥离的俄歇电子能谱仪测量了合金前后样品组份的深度分布;用“Shockley”方法测量了带隙近1.1 eV的p型In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)层的比接触电阻。 相似文献
5.
首次使用Be作限制层的P型杂质制作了低台形InGaAsP/InP激光器,器件的中心波长为1.3μm。通过测量得到了P型限制层掺Be和zn器件的材料参数。 相似文献
6.
本文叙述了电极条形InP-In_(1-x)Ga_xAs_(1-y)P_yDH激光器的特性。由于有源区的不均匀而导致灯丝状发光行为,在一定注入电流水平以下可得到稳定的横模工作。电流扩展效应可能是电极条形器件的T_0低于其他条形结构器件的原因之一,15μm条宽的器件在1.3倍阈值前是单纵模工作。随着注入电流的增加,波长向长波方向移动的变化率是0.8/mA。 相似文献
7.
本文报导了Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs双异质结激光器液相外延过程中,有关组份、浓度、生长速率控制的一些实验结果。主要内容是Ga_(1-x)Al_xAs层的组份、平均生长速率随溶液中Al含量的变化和杂质Te在GaAs、Ga_(1-x)Al_xAs层中的掺杂行为等。利用所得结果可方便地控制外延层的组份、厚度和掺杂浓度。 相似文献
8.
本文利用AES(俄歇电子能谱)测量了InGaAsP/InP异质界面的组分分布和界面宽度,提出了化学斜面法测量界面宽度的新方法.同时讨论了晶格失配对界面宽度的影响. 相似文献
9.
本文对氧化物隔离条形激光器的一些主要结构参数,特别对电流横向扩展效应进行了实验研究;并制得批量阈值低于100 mA的器件。 相似文献
10.
提出一种高频大功率选择性质子轰击掩埋新月型InGaAsP／InP激光器结构（SPB－BC）．用P－InP做衬底．500μm腔长,最大输出功率为80mW,调制带宽6．0GHz． 相似文献