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| InP/InGaAsP双异质结激光器 | |
| 引用本文： | 衣茂斌,苗忠礼,朱有才,王兢,高鼎三.InP/InGaAsP双异质结激光器[J].吉林大学学报(理学版),1981(4). |
| 作者姓名： | 衣茂斌 苗忠礼 朱有才 王兢 高鼎三 |
| 作者单位： | 吉林大学半导体系 (衣茂斌，苗忠礼，朱有才，王兢)，吉林大学半导体系(高鼎三) |
| 摘 要： | 本文介绍了InP/InGaAsP双异质结激光器的制作及其特性。在通常的液相外延系统中用两相溶液法生长双异质结构晶片,适当的选择四元系外延层的组分及外延层的掺杂浓度,掌握Zn在外延片中的扩散规律,做好欧姆接触,结果制成了在室温下连续工作的条形激光器。室温最低脉冲阈值电流密度J_(th)=1800A/cm~2,室温直流阈值在200—300mA之间,激射波长1.35μm,主峰半宽5。 |
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