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采用超声喷雾法在玻璃衬底上制备了V2O5薄膜,研究了超声沉积参数对V2O5薄膜微结构以及薄膜晶化生长过程的影响.利用X射线衍射仪(XRD)扫描电子显微镜(SEM)分光光度计和电阻测量等手段对薄膜的晶相结构表面形貌和性能进行了分析.XRD结果表明:V2O5薄膜为斜方晶系结构,当衬底温度(Ts)小于215℃时,沉积的薄膜为非晶态;当Ts≥215℃时,V2O5薄膜开始形成微晶结构,而且随着衬底温度上升,薄膜的择优取向由(001)方向向(110)方向发生了转变.SEM图谱显示了V2O5薄膜的沉积生长过程.当V2O5薄膜温度从室温升高至380℃时,薄膜电阻变化了将近2个数量级;该方法制备的V2O5薄膜光学能隙Eg=2.25eV. 相似文献
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本文以TiO2溶胶与硅粉混合采用印刷法制备了多晶硅薄膜,利用X射线衍射、I-V测试系统、扫描电镜以及分光光度计表征了样品结构与特性.研究了薄膜退火条件及TiO2晶相对多晶硅薄膜性能的影响.结果表明:在550℃退火1h,TiO2为锐钛矿相的条件下,所制多晶硅薄膜的电导性最好,其电导率与其他条件下的样品相比提高了约1个数量级. 相似文献
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