一种硅原子簇边界处理方法

近年来,用量子化学—原子簇方法研究固体的电子性质,例对固体表面、体内杂质和缺陷、无序体系的电子结构等的研究越来越引起人们的重视。原子簇模型的基本思想是以有限大的原子团模拟无限大的体系。共价固体硅原子簇边界悬挂键的处理,对计算结果影响很大。边界饱和原子的选取,是原子簇方法中一个十分重要的问题。Tong曾用氢原子饱和边界,发现所计算的电子态密度结果中禁带较宽;张开     

a-Si∶H薄膜的毫微秒脉冲激光退火

本文报道用电子显微镜观察、X-射线衍射和红外吸收谱等方法研究 a-Si:H 薄膜的毫微秒(ns)脉冲激光退火的结果。从红外吸收谱发现了退火后薄膜中H相关振动吸收的增强现象;通过电子显微镜观察到了厚度≥3μm 的薄膜退火后具有多层结构。讨论了 H 在产生以上现象的机理中的作用。     

锡薄膜的非金属导电特性

采用真空蒸发技术制备锡薄膜。随着薄膜生长速率的降低,锡膜由金属转变为半导体,呈现出非金属导电特性。     

低压CVD掺硼硅材料的特性研究

本文报道了在不同条件下,利用低压化学气相淀积(LPCVD)方法制备掺硼硅薄膜的实验结果。实验发现:(1)反应气体流量是影响掺硼硅薄膜电学特性的一个重要因素,有一最佳流量点存在。(2)硼掺杂硅薄膜的直流电导率与生长温度密切相关。X射线衍射和扫描电镜实验表明:在635℃左右生长的样品可能存在非晶和微晶的混合相,样品的室温直流电导率(σ_d)达10~2Ω~(-1)·cm~(-1)。     

半经验分子轨道理论方法(CNDO/2)在非晶硅基础研究中的应用

本文对半经验分子轨道理论方法(CNDO/2)做了简要介绍,对其用于非晶硅基础研究的优越性做了概要论述。在此基础上,通过原子簇模型化计算分别对Si体系下述几个基础性课题进行了探索性研究。     

非晶态硅氟合金光电导特性的研究

本文报道了对射频溅射α—Si:F薄膜光电导特性初步研究的结果。含氢和不含氢的样品是在Ar SiF_4和Ar SiF_4 H_2两种混合气体中分别制备的。对所有制得的样品测量了室温暗电导和在λ=6328及光照射样品表面功率密度为0.5mW/cm~2条件下测量了相应的光电导。实验结果表明(1)溅射α—Si:F薄膜有显著的光电响应;(2)光电导和暗电导的比值随气体的流量而接近成比例地变化。得到了最大σ_(ph)/σ_D比值为14000的薄膜样品;(3)溅射气氛中加入氢气对所得薄膜的光电导特性有一定影响。有关结果可用SiF_3、SiF_2H和SiFH_2键合组态的电子态不同解释。     

掺硼非晶态硅氟合金的电导特性

一、引言1975年Spear等人对用辉光放电技术制备的非晶态硅氢合金(a—Si:H)材料实现了掺杂效应。这不仅是对非晶态硅技术的一次重要突破,同时也为非晶态半导体理论的进一步发展提供了富有价值的实验依据。关于a—Si:H材科的研究是近几年来在非晶态半导体方面的一个重要内容,围绕着氢对a—Si:H材料物理性质的影响、氢在其中的结构状态和电子状态等方面已经完成了和正在进行着大量的研究工作。     

C-Si/GD μC-Si:H异质结的一些性质

在单晶硅衬底上淀积掺硼(或磷)的μC—Si:H 薄膜可制成 C—Si/GDμC—Si:H 异质结。掺杂μC—Si:H 薄膜是由辉光放电制备,它的电导率约 1000S/m 光学带隙是1.6eV,淀积温度是280℃。该结具有好的 I—V 特性曲线,可以用整流扩散理论解释它。反向击穿电压取决于晶态衬底的电阻率。退火实验指出,在650℃以下,该结的 I—V 特性是稳定的。讨论了异质结的有关性质。     

a-Si:H中无序对悬挂键电子状态的影响

实验测得的α-Si:H 中悬挂键能级相对于迁移边 E_C 的位置很不一致,分散于0.9—1.3eV 之间,本文用量子化学 EHT 方法对这一重要实验问题进行了计算。首先对 EHT 方法所用参数进行了优化选择处理,并对各种不同组态环境下的悬挂键能级进行了计算。结果表明,α-Si:H 中的悬挂键能级位置随环境原子排列的无序度不同而明显变化,由此推论:α-Si:H 中的悬挂键因能级位置相对于费米能级不同可以有三种荷电状态 T_3~+、T_3~-和 T_3~°,它们在空间上是相互分离的。据此,许多与悬挂键有关而长期存在的问题可以得到解释。     

具有一维和多维构型优化功能的CNDO/2程序

本文介绍了一个具有一维和多维分子几何构型优化功能的CNDO/2量子化学计算程序,给出了双原子和多原子分子的算例。改进后的计算程序能大大节省计算时间和提高计算精度。