| a-Si∶H薄膜的毫微秒脉冲激光退火 |
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| 引用本文： | 罗文秀,戴国才,王小林,高勘.a-Si∶H薄膜的毫微秒脉冲激光退火[J].山东大学学报(理学版),1986(4). |
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| 作者姓名： | 罗文秀 戴国才 王小林 高勘 |
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| 作者单位： | 山东大学化学系，山东大学物理系，山东大学物理系，山东大学物理系 |
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| 摘 要： | 本文报道用电子显微镜观察、X-射线衍射和红外吸收谱等方法研究 a-Si:H 薄膜的毫微秒(ns)脉冲激光退火的结果。从红外吸收谱发现了退火后薄膜中H相关振动吸收的增强现象;通过电子显微镜观察到了厚度≥3μm 的薄膜退火后具有多层结构。讨论了 H 在产生以上现象的机理中的作用。
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NANOSECOND PULSED LASER ANNEALING OF GD a-Si:H FILMS |
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| Abstract: | The nanosecond pulsed laser annealing of GDa-Si:H films has been studied by scanning electron microscope,X-ray diffraction and infrared absorption.After annealing,the number of Si-H bond is fo-und to be increased in the films by the infrared vibrational absorption spectra,and the layer-like crystallization structure of the films is observed by the electron micrographs.The reason why the phenomena above observed is discussed briefly. |
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| Keywords: | GDa-Si:H film laser anneal |
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