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1.
热壁外延(HWE)制备PbTe/PbSnTe异质结和超晶格   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文于国内首次报导,利用简化的热壁外延(HWE)装置在BaF_2(111)衬底上生长了Ⅳ—Ⅵ族半导体单晶外延层,制备了PbTe/PbSnTe异质结和具有20个周期的超晶格.测试结果表明,所制备的外延层的晶体结构完美,异质结具有良好的整流特性.通过X—光衍射求出了超晶格的周期.超晶格样品(222)衍射峰的卫星峰不对称,说明样品内有应变.  相似文献   
2.
SBS品种对改性沥青技术性能影响的比较研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用YH-791、YH-792和道改2#三种SBS改性剂对镇海AH-70沥青进行改性,对三种SBS改性沥青的针入度、延度、软化点、针入度指教PI、当量软化点、当量脆点、弹性恢复等主要技术性能进行了试验和比较分析.并将SBS含量为5%的三种SBS改性沥青的主要技术性能指标与现行规范的指标进行了比较,为SBS改性沥青生产中改性剂品种的选择及改性沥青的生产质量控制提供依据.  相似文献   
3.
我们采用自行设计制造的热壁外延(HWE)装置在GaAs(100)衬底上生长了CdTe晶膜。分析测试表明,该膜为(100)单晶膜。HWE技术生长的CdTe/GaAs结构为外延生长HgCdTe提供了十分合适的衬底。 外延源是用99.999%的cd和Te,在10~(-4)Pa真空,800~1000℃温度下煅烧100h而获得的CdTe多晶。衬底采用(100)GaAs单晶片,解理成6×6 mm~2方块。清洁处理  相似文献   
4.
CdTe不仅是制作核辐射探测器的重要材料,而且还可用来制作太阳能电池,是外延Hg_(1-z)Cd_zTe的理想衬底。由于很难获得大块完美的单晶,为此,人们对CdTe单晶外延层的生长进行了广泛的研究。 热壁外延(Hot Wall Epitaxy,缩写为HWE)是一种真空沉积薄膜的方法。其主要特点是在蒸发源和衬底之间加了一个套筒,并加热,成为热壁。目的在于能生长出完美的单晶外延层,形成一个很接近热力学平衡的沉积系统,迫使从蒸发源出来的原子或分子指向衬底,从  相似文献   
5.
本文利用改进了的热壁外延装置,在GaAs衬底上外延生长了GdTe,ZnSe,ZnSSe,ZnS等半导体单晶薄膜,ZnSe/ZnS,ZnSSe/ZnSe异质结构和ZnS/ZnSe,ZnSSe/ZnSe超薄层、多层结构。SEM,EMPA,XRD及PL等分析测试结果表明,所生长的半导体薄膜材料具有良好的结晶学性质和光学性质。  相似文献   
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