非晶态SiO2过渡层上高C轴取向LiNbO3薄膜及生长机制探讨

利用脉冲激光沉积(PLD)技术在单晶硅衬底的非晶态SiO2过渡层上外延生长了具有优良结晶品质和高度C轴取向性的LiNbO3光波导薄膜.利用X射线衍射、高分辨电子显微镜和原子力显微镜等手段对LiNbO3薄膜的结晶品质和C轴取向性等进行了系统的分析,基本确定了薄膜C轴外延生长的最佳沉积参数.非晶态SiO2过渡层上的LiNbO3薄膜由尺度约为150 nm×150nm的四方柱状C轴取向的单晶畴紧密排列而成,并且具有陡峭的界面结构.棱镜耦合技术测量表明,激光可以被耦合到LiNbO3薄膜中,形成TE和TM模式的光波导.此外,对于LiNbO3薄膜在非晶过渡层上择优取向生长的物理机制和薄膜基底效应进行了初步探讨,提出其生长机制很可能符合光滑晶面上三维岛状成核生长的Volmer模式.     

硅基高频器件与SiGe外延技术

本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延(MBE)、超高真空化学气相沉积(UHV／CVD)、常压化学气相沉积(APCVD)、快速热化学气相沉积(RTCVD)等几种工艺及这几种工艺中的常见问题，并介绍了近来这些SiGe外延技术的改进，最后从器件角度对以上几种工艺特性进行了比较。     

以创新为导向以人才为根本——以浙江大学近5年的发展为例试谈研究型大学科学发展之路

本文认为创新是个系统社会工程，它构成了完整的创新链；阐明了研究型大学的创新要以原始自主创新为主，系统集成创新并重，同时关注消化吸收创新的观点；提出了8个研究型大学人才使用观；最后对如何发展浙江大学提出了自己的一些思考。     

纳米ZnO阵列场发射性能研究

目的 为了进一步提高ZnO纳米阵列的场发射性能指标.方法 采用掺杂n型杂质元素Al和衬底预处理的方法生长ZnO纳米阵列,对相应样品的场发射性能进行比较分析.结果 和结论采用Al掺杂和衬底镀Au处理均提高了ZnO纳米阵列场发射的性能,降低了阈值场强.其中衬底镀Au并在此衬底上生长的Al掺杂ZnO纳米阵列开启电场小于0.5 V/μm、阈值电场为4.5 V/μm.     

透明导电GZO/Cu/GZO多层薄膜的室温生长及性能研究

研究Ga掺杂ZnO(GZO)和Cu薄膜形成的GZO/Cu/GZO多层薄膜体系,以期提高透明导电薄膜的综合性能。GZO/Cu/GZO多层薄膜由直流磁控溅射技术在室温下制备,研究Cu层厚度对多层薄膜结构、电学和光学性能的影响。结果表明GZO/Cu/GZO多层薄膜具有较好的结晶性能。随着Cu层厚度的增加,多层薄膜的可见光透射率有所降低,同时电学性能大幅度提升。在Cu层厚度为7.5 nm时,GZO/Cu/GZO多层薄膜获得最优的光电综合性能指标,且相对于单层GZO薄膜ΦTC因子从7.65×10-5Ω-1增加到1.48×10-3Ω-1。     

同质ZnO-LED室温电致发光研究取得突破性进展

中科院物理所北京凝聚态物理国家实验室（筹）高鸿钧研究组研究了针尖状态对STM成像的影响，他们通过控制针尖曲率半径得到了目前为止最高分辨的si（111）7×7表面STM图像，清晰地看到了该表面上所有的Ad原子和Rest原子[Physical Review B，2004，70，073312]。该研究组邓智滔等进一步研究了特殊的针尖状态对STM成像的可能贡献，得到了对二萘嵌苯（perylene）分子特定电子态的选择性成像。他们在研究perylene在Ag（110）上的吸附性质时，通过分析比较具有反衬度与正常衬度的perylene分子成像，提出了反衬度分子像是由于perylene分子吸附在钨针尖表面而成像的模型。     

国际氧化锌研究

第3届全国氧化锌学术研讨会暨国际氧化锌学术会议（3rd National Conference on ZnO and Related Materials ＆ International Forumson ZnO）于2007年10月22-25日在浙江大学召开。会议由浙江大学主办,学术负责人为叶志镇教授和吴惠桢（浙江大学物理系）教授。与会代表实到173人,其中国内代表158人,国外代表15人,主要来自美国、日本、新加坡等国家。     

从M-T曲线上“奇异峰”分析掺杂3d族ZnO基稀磁半导体的磁学本质

研究了用双束脉冲激光沉积法在蓝宝石衬底上制备的Zn_0.95Co_0.05O薄膜的结构和磁学性质. 晶体结构分析表明制备的薄膜是具有ZnO沿c轴择优取向的纤锌矿点阵结构的单晶膜. 当室温或低于室温时该薄膜具有磁性. Zn_0.95Co_0.05O薄膜的磁化强度随温度的变化曲线, 在55 K附近出现了一个小峰. 小峰出现的温度与文献中报道的“奇异峰”出现的温度相似, 虽然小峰凸起似乎并不如引文中的明显. 没有实验结果表明引文中的“奇异峰”与纳米材料的量子效应有相关性. Zn_0.95Co_0.05O薄膜的磁学行为并不能用稀磁半导体的铁磁性解释. 并对ZnO基稀磁半导体薄膜中的磁学本质进行了讨论.     

试论半导体产业发展状况及我国研究战略

知识经济是以知识为核心的经济,它直接依赖于知识创新、传播和应用。近年来美国经济的强劲发展势头,及日本经济的相对停滞,关键的原因是美国的知识经济迈入了更高的层次。其主要动力是信息技术革命和商业全球化浪潮。图１为信息技术产业在美国经济增长中的作用示意图。自１９９３年以来,信息技术产业在美国经济增长中所占比重呈现逐年增加的趋势,美国工业增长的４５％是由信息产业带动的。而信息产业的基础就是半导体工业的发展。相反,日本的经济则相对处于后工业时代,依然以汽车工业和电器产品等制造业为其支柱产业,未能顺应世界经…