背面氩离子轰击改善MOS系统界面特性和击穿特性

在室温下用低能量Ａｒ＾＋轰击ＭＯＳ电容器肾面，能改善ｉＯ２－Ｓｉ系统的界面特性和击穿特性。结果表明，随着轰击时间的增加，固定电荷密度、界面态密度和漏电流减少，高场击穿的比率增大，然后这些参数变化平缓并开始呈恶化趋势。轰击能量为５５０ｅＶ和束流密度为０．５ｍＡ／ｃｍ＾２时的效果比在３５０ｅＶ和０．３ｍＡ／ｃｍ＾２时的好。     

BaO—PbO—Bi_2O_3－Nd_2O_3－TiO_2系陶瓷的物相和电性能

研究ＢａＯ－ＰｂＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｎｄ２Ｏ３－ＴｉＯ２五元系统在８００～１２００℃烧结中物相变化和电性能．ＸＲＤ测试数据：１０００℃时ＢａＴｉＯ３消失，主晶相为ＢａＴｉ４Ｏ９、Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２和Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７，ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４开始出现，１１００℃到１１５０℃，Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２在ＸＲＤ图上消失，ＢａＴｉ４Ｏ９和Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７含量逐渐减少，ＢａＮｄ２ＴｉＯ１４逐渐增加；１２００℃时，ＸＲＤ图谱全部为ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４，证明该系统的主晶相ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４是由Ｎｄ２Ｏ３、ＴｉＯ２对具有微波特性的ＢａＴｉ４Ｏ９改性而得：铅含量增加，主晶相的ａ、ｂ二晶轴缩短．调整各组分及玻璃的含量，获得ε＝９０±５、损耗ｔｇδ≤３×１０－４、绝缘电阻ρｖ≥１０１２Ωｃｍ、电容量温度系数αｃ＝０±１５×１０－６／℃、中温（１１５０℃）烧结的ＮＰＯＭＬＣ瓷料．     

臭氧发生器用（Sr,Ca）TiO3陶瓷电极材料的研制

研究了掺杂成分ＢａＴｉＯ３,ＣａＳｉＴｉＯ５,ＴｉＯ２,ＺｎＯ,Ｂｉ２Ｏ３对臭氧发生器用（Ｓｒ,Ｃａ）ＴｉＯ３陶瓷电极材料的介电常数、正切损耗、击穿电压、电阻率等电性能的影响．结果表明,Ｂｉ２Ｏ３的影响最大．最适合的掺杂配方是：Ｂｉ２Ｏ３１．４０％,ＴｉＯ２０．３０％,ＣａＳｉＴｉＯ５０．３１％,ＢａＴｉＯ３０．５０％和ＺｎＯ０．５２％．     

线性高频电容器瓷料的研究

研制一种以ＳｒＴｉＯ３－Ｂｉ２Ｏ３·ｎＴｉＯ２－ＣａＴｉＯ３为主晶相的Ｖ组线性电容器瓷料．以三、五族氧化物为改性剂，使容量温度特性线性化；加ＰｂＴｉＯ３，使介电常数提高．其介电常数ε＞３１０，电容温度系数αｃ＝（－１５００±２５０）×１０－６／℃，其余各项电气、物理、机械性能均符合国际ＧＢ５５９６－８５．     

Al—SiOxNy—Si系统有效功函数差和界面特性的研究

本文采用氩离子刻蚀法，将ＳｉＯｘＮｙ膜减薄成不同厚度的样片，并制成Ａｌ－ＳｉＯｘＮｙ－Ｓｉ系统的ＭＩＳ电容器。利用平带电压随膜厚度变化的关系和最小二乘法，测定有效功函数差和Ｓｉ－ＳｉＯｘＮｙ系统的固定电荷密度。结果表明，该系统的平带电压值明显高于Ａｌ－ＳｉＯ２－Ｓｉ系统的值，原因是固定电荷密度增大、有效功函数差减小和相对介电常数增大的综合结果。有效功函数差的减小与Ｓｉ－ＳｉＯｘＮｙ界面态密度的增大     

2F4特性瓷料中SrTiO3的改性作用

研究了２Ｆ４特性瓷料中加入少量ＳｒＴｉＯ３及ＳｒＴｉＯ３的加入方式对材料介电性能和窑业性能的影响．试验表明，在以ＢａＴｉＯ３－ＣａＳｎＯ３为主的２Ｆ４特性瓷料中加入少量的ＳｒＴｉＯ３有明显的改性作用．ＳｒＴｉＯ３的加入使瓷料居里峰展宽、负温度特性变好、介质损耗降低，耐电强度提高．ＳｒＴｉＯ３加入方式明显影响烧结性能．先将ＢａＣＯ３、Ｓｒ－ＣＯ３、ＴｉＯ２共同合成（Ｂａ１－ＸＳｒＸ）ＴｉＯ３固溶体再进行配料烧结的比用ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３进行配料烧结的有较宽的烧成范围和较好的耐潮性．     

Al－SiO_xN_y－Si系统有效功函数差和界面特性的研究

本文采用氩离子刻蚀法，将ＳｉＯｘＮｙ膜减薄成不同厚度的样片，并制成Ａｌ－ＳｉＯｘＮｙ－Ｓｉ系统的ＭＩＳ电容器。利用平带电压随膜厚度变化的关系和最小二乘法，测定有效功函数差和Ｓｉ－ＳｉＯｘＮｙ系统的固定电荷密度。结果表明，该系统的平带电压值明显高于Ａｌ－ＳｉＯ２－Ｓｉ系统的值，原因是固定电荷密度增大、有效功函数差减小和相对介电常数增大的综合结果。有效功函数差的减小与Ｓｉ－ＳｉＯｘＮｙ界面态密度的增大有关。     

Bi2O3/HZSM-5催化丙烯二聚与芳构化

采用连续微反装置研究了丙烯在Ｂｉ２Ｏ３／ＨＺＳＭ－５催化剂上的二聚与芳构化反应．在７７３Ｋ下，当Ｂｉ２Ｏ３负载量为３％时，获得了８３．８４％的ＢＴＸ选择性．氢气氛下反应可抑制催化剂失活，但同时也抑制了芳构化反应．ＴＰＤ结果表明Ｂｉ２Ｏ３的载入降低了总酸量，也降低了酸强，Ｂｉ２Ｏ３的作用很可能是提高了ＨＺＳＭ－５上氢的脱附能力     

BMN,BZN掺杂工业用BaTiO3基陶瓷的介电损耗

采用固相反应合成了Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（ＢＭＮ），Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（ＢＺＮ）复合钙钛矿型粉末，并用它来改善工业ＢａＴｉＯ３瓷的介电损耗特性，实验结果表明１３００－１４００℃烧结后，可获得至密度为９０％左右的瓷体。同时经频谱阻抗分析实验，表明这类材料随频率从１ＫＨｚ增加到１０００ｋＨｚ介电损耗显著降低，品质因数大幅度改善。     

聚合物／BaTiO3复合材料动态力学性能研究

采用动态力学分析仪（ＤＭＡ）对聚合物／ＢａＴｉＯ３复合材料的动态力学性能进行了研究，并用扫描电镜（ＳＥＭ）观察了复合材料的断面形貌。结果表明：聚合物的分子结构、结晶度和ＢａＴｉＯ３粒子的表面性质对复合材料的动态力学性能影响很大。ＬＬＤＰＥ／ＢａＴｉＯ３复合材料中存在网络结构，而ＢａＴｉＯ３粒子位于网络之中，这有利于动态模量的提高。     

广义Zakharov-Kuznetsov方程的动力学行为和解析解

研究了等离子体中用于描述低频静电离子-声波的广义Zakharov-Kuznetsov方程的动力学行为和解析解.分岔和相图分析结果表明,平衡点类型为鞍点和中心点,存在一系列周期轨线和同宿轨线,不同的非线性项、色散项系数会影响平衡点的类型和稳定性.此外,还得到了广义Zakharov-Kuznetsov方程的解析解,包括周期解、孤子解和冲击波解.     

关于迭代算子DkGk的局部与全局的Lp-加权积分不等式

基于已有的作用于Dirac-调和方程解的迭代算子D^kG^k的L^s-范数不等式,利用广义Hölder不等式及相关的积分技巧,首先在域Ω的子区域上证明了作用于微分形式的迭代算子的局部加权积分不等式,然后将此进一步推广得到Ω上全局的加权不等式。     

图wn*pk的优美性

提出图wn*pk的概念,并在n≡0(mod 2)且n≥4,k≡1(mod 2),k≡0(mod 2)和n≡1(mod 2)且n≥5,k≡1(mod 2),k≡0(mod 2)时,证明图wn*pk是优美的.     

荷花图Dn,4*2 pm* St的优美性和奇强协调性

给出荷花图Dn,4^2＊pm＊St的概念,并证明当m≡0,1（mod4且m≥4）时,荷花图是优美且奇强协调的.     

关于差分方程xn=(A+xn-1p)/(B+xn-kp)正解的有界性

证明差分方程x_n=(A x_(n-1)~p)/(B x_(n-k)~p),n=0,1,2,…,(其中k≥2,A,B,p∈(0, ∞))在p~(k-1)≥k~k/(k-1)~(k-1)时,有无界的解,并且当p~(k-1)相似文献   

广义商高数的纯指数Diophantine方程ax+by=cz的解

运用Gel’fond-Baker方法证明,在m≥105r3时,丢番图方程ax+by=cz仅有正整数解（x,y,z）=（2,2,r）.其中r和m为正偶数,（a,b,c）=（|V（m,r）|,|U（m,r）|,m2+1）,V（m,r）+U（m,r）（-1）^1/2=(m+（-1）^1/2)r.     

关于fPn[f(k)]-c的零点

讨论fP”[f(k)]的值分布问题,其中f为超越亚纯函数,证明了在适当条件下fPn[f(k)]取任意非零有穷复数无穷多次.     

PbxNayYzF2x+y+3z+3m∶Erm3+上转换发光粉的低温燃烧合成及表征

采用低温燃烧合成（LCS）法一步合成了Pb_xNa_yY_zF_2x+y+3z+3m:Er_m3+氟化物体系1 550 nm响应的红外上转换发光材料. 通过正交实验研究了4种阳离子影响发光性能的主次关系及最佳配比,研究了燃料用量对晶相形成及上转换发光性能的影响. 采用X射线粉末衍射仪、透射电镜、荧光分光光度计（耦合1 550 nm激光器）等手段对样品的物相、形貌及发光性能进行了测试与表征. 结果表明:阳离子含量对红光发射强度影响的主次关系为Y3+,Pb2+,Na+,Er3+,最佳配比为Pb_0.004Na_0.003 Y_0.003 F_0.032:Er3+_0.004. 燃料取2.5倍理论用量时样品的结晶度和发光强度最高.      

有限容量Geom/Geom/1/MWV离散时间排队

考虑有限容量Geom/Geom/1多重工作休假离散时间排队系统,系统容量为N.建立模型,给出状态转移概率阵,通过求解有限方程组,得出稳态下系统队长分布,并由此得到稳态下顾客消失概率、队长的PGF和平均队长、顾客等待时间的PGF.     

玻色型反氢原子结构及氘核PB+1nB0和PF+1nF0结构函数的矩

摘要：根据费米型质子PB^ 1、中子nF^0、电子e^-1的超对称性伴子玻色型PB^ 1nB^0、-↑Ue^-,1↑B粒子,讨论反氢原子的结构,计算费米型氘核PF^ 1nF^0和玻色型氘核PB^ 1nB^0结构函数的矩,结果发现反氢原子的结构与目前观测到费米型反氢原子不同,氘核PB^ 1nB^0结构函数的矩的理论值与实验数据较好相符,PB^ 1nB^0结构函数的矩的计算结果比PB^ 1nF^0要大,增大的值是由于费米型中性矢量反轻子-↑l0F,T结构函数的贡献所致。