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利用真空蒸镀的方法制备了结构为:ITO/m-MTDATA(20 nm)/NPB(15 nm)/DPAVBi:Rub(x nm,2%)/Alq3(25 nm)/Li F(0.5 nm)/Al(100 nm)的器件.研究了掺杂层的不同厚度(x=15,25和30 nm)对器件性能的影响.结果是当掺杂层的厚度为25 nm时,器件的性能最好.当电流密度为524.22 m A/cm2时,获得最大电流效率,为4.37 cd/A;获得最大亮度,为22 890 cd/m2.器件的高亮度与高效率主要是因为主客体之间的能量转移很充分. 相似文献
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