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1.
吴锦雷 《北京大学学报(自然科学版)》1989,25(3):281-288
当信噪比小于1的时候,俄歇电子信号完全被噪声所掩埋,利用计算机的多次存贮信号,可以把无规律的噪声去除,而有规律的信息被提取出来,再经过平滑处理,可以得到很好的俄歇电子能谱图。 相似文献
2.
本文主要介绍Ａｐｐｌｅ Ⅱ微机在俄歇电子能谱数据采集及数据处理中硬件和软件的设计．本 系统软件包括数据采集、数据快速显示和分段处理、数据平滑、扣本底、谱图微分与积分等．此 外还配有一个常用的数据库．本系统的最大特点是成本低、功能强、使用简单、方便． 相似文献
3.
在２００℃抛光的莫来石陶瓷衬底上用电子束蒸发２００ｎｍ的Ｔｉ膜,并在高真空中退火。首次利用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射分析（ＸＲＤ）,研究了从２００￣８５０℃Ｔｉ与莫来石的固相界面反应,并用热力学解释了实验结果。结果表明,在淀积过程中,最初淀积的Ｔｉ与衬底表现的氧形成Ｔｉ－Ｏ键,界面区很窄,４５０℃退火１ｈ后,有少量元素态Ａｌ、Ｓｉ原子析出,界面区有所展宽,但变化不大;６５０℃退火１ｈ后,界 相似文献
4.
孙汪典 《暨南大学学报(自然科学与医学版)》1998,(5)
对分子束外延（ＭＢＥ）生长的Ⅱ－Ⅵ族三元合金半导体碲硫锌ＺｎＳ１－ｘＴｅｘ（０≤ｘ≤１）单晶薄膜的特征俄歇电子能谱进行实验研究，发现其中各元素俄歇峰的化学位移随ｘ的增大而非线性减小的变化规律。 相似文献
5.
OCr18Ni12Mo2Ti合金钝化膜的俄歇能谱分析@程德斌@牛锐锋... 相似文献
6.
孙汪典 《暨南大学学报(自然科学与医学版)》1998,19(5):27-30
对分子束外延（ＭＢＥ）生长的Ⅱ－Ⅵ族三元合金半导体碲硫锌ＺｎＳ１－ｘＴｅｘ（０≤ｘ≤１）单晶薄膜的特征俄歇电子能谱进行实验研究，发现其中各元素俄歇峰的化学位移随ｘ的增大而非线性减小的变化规律。 相似文献
7.
应用俄歇电子能谱仪，对快速热氮化法制备的热氮化二氧化硅薄膜及快速热氮化后再氧化退火的二氧化硅薄膜，进行元素深度分布剖析。薄膜厚度约为６０ｎｍ。分析结果发现：１）氮原子在二氧化硅薄膜中的扩散范围受氧原子浓度的控制；２）热氮化二氧化硅薄膜经氧化退火处理后氮原子浓度降低，分布变得平缓，均匀。 相似文献
8.
本文给出了一种用Monte Carlo模拟进行俄歇定量分析的方法。这种方法是从模拟合金的俄歇电流相对强度比出发进行定量分析的。为能较为准确地求得俄歇电流相对强度比,本文在模拟中采用了统计权重因子进行计算。用这种计算方法进行Monte Carlo计算,收敛性及计算精度都较好,计算量也较小,便于实际应用。本文给出了用上述方法对Zr·Co和Zr·Ni两种合金进行定量分析的结果。结果是令人满意的。 相似文献
9.
龚彬 《西安交通大学学报》1992,26(1):39-45
本文讨论用快速付里叶变换法对俄歇直接谱进行反褶积和光顺处理,进而弥补常规仪器分辨率或信噪比的不够.在频域采用“慢截止”方式抑制高次谐波,有效地控制了反褶积结果的发散和寄生振荡的产生.此反褶积方法能明显地提高谱图的分辨率,并同时使曲线光顺.作为实例,对一系列部分氧化的铝试样进行了实验测试和数据处理. 相似文献
10.
采用Ａｕｇｅｒ线型分析方法－因子分析方法和已知组元强度的定量解谱技术，对电子束辅助Ｎ离子注入Ｓｉ和磁控溅射方法制备的ＴｉＮｘ薄膜的高分辨率俄歇电子能谱（ＡＥＳ），进行了定量分析。讨论了化学成分对ＡＥＳ线型的影响及线型分析技术的有效性和应用范围。 相似文献
11.
本文利用AES(俄歇电子能谱)测量了InGaAsP/InP异质界面的组分分布和界面宽度,提出了化学斜面法测量界面宽度的新方法.同时讨论了晶格失配对界面宽度的影响. 相似文献
12.
通过施加直流电压于P型SiOxNy薄膜，使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变。测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化，以研究薄膜的电子注入特性，探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系。结合俄歇电子能谱和红外光谱分析膜的微机结构，对薄膜的电子注入特性进行了理论分析与讨论。 相似文献
13.
通过对制备工艺的摸索 ,制备出用于软X光激光实验的In衰减膜 ;利用α能谱测厚仪对In衰减膜的质量厚度进行了测量 ;通过俄歇电子谱并结合Ar离子刻蚀对In膜表面氧化及氧元素质量分数的深度分布进行了分析 . 相似文献
14.
本文介绍了经不同表面处理制成的PECVD Si为_2/InP 結构的俄歇电子能谱(AES)和X光电子能谱(XPS),分析了SiO_2/InP结构介质层、界面过渡区和体内区的化学组分和组志。并研究了表面处理对SiO_2/InP界面过渡区宽度及其化学物理结构的影响。 相似文献
15.
离子镀氮化钛膜层综合剖析 总被引：2，自引：0，他引：2
本文应 X 用射线光电子能谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)、X 射线衍射(XRD)等技术,对用空心阴极离子镀法(HCD)生长的氮化钛膜层作了综合测试,对膜层的组分和结构作了分析,着重论述了外表面氧化膜及界面过渡层的产生和作用。由 XRD 分析得知,氮化钛晶粒中与衬底有良好共格关系的那些晶面平行于膜面生长。 相似文献
16.
介绍了一台用于表面分析的饿歇电子能谱仪(AES)系统。用该系统研究了铜快离子导体CuI-Cu_2O-MoO_3-P_2O_5在AES的探针电子诱导下铜沉积的规律;并发现在这种样品表面,部分氧在电子轰击过程中被蒸发而减少,总的二次电子发射电流由于铜沉积在样品表面上面随电子轰击时间迅速改变。 相似文献
17.
本文应用俄歇电子能谱(AES)等方法系统地研究了产自不同矿床、不同组成黑钨矿的浮选行为,Mn~(2+),Fe~(2+)离子的作用及MnO/FeO比与可浮性的关系,研究表明,经油酸钠处理过的黑钨矿表层MnO/FeO比增高。油酸锰(MnR_2)的生成量和生成速度大于油酸铁(FeR_2)的生成量和生成速度。Mn~(2+)是黑钨矿浮选的活性中心。黑钨矿类质同像系列的可浮性顺序为:钨锰矿大于钨锰铁矿大于钨铁矿。 相似文献
18.
采用极化曲线法、失重法及俄歇电子能谱分析等研究了一种新型油田污水缓蚀剂膦甲基酰胺在碳钢表面的电化学及吸附缓蚀作用机理。电化学实验表明此类缓蚀剂是一种混合型缓蚀剂,吸附热力学实验表明膦甲基酰胺是一种吸附膜型缓蚀剂,它在碳钢表面的吸附符合EL-Awady吸附等温式,在碳钢表面的吸附能力强于石油酸酰胺及石油酸咪唑啉胺。 相似文献
19.
对加氢反应器随炉运行试样在146.67MPa的作用应力下,分别进行125、200和400h的等温回火脆化试验,然后对试验后试样进行俄歇电子能谱分析试验(AES),得到有、无应力下杂质元素P原子的晶界偏聚量.结果表明:有应力作用下的P原子的晶界偏聚量要比无应力下的要低,且冲击试样的断口形貌与晶界P原子的偏聚结果相一致.导致加氢反应器材料2.25Cr-1Mo钢回火脆化主要原因是P原子在晶界偏聚所致,而作用应力对杂质P原子的偏聚有一定的影响,并且起到抑制作用,且随着保温时间的增加,这种作用不断加强. 相似文献
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