薄膜定量分析中的Auger线型分析方法

采用Ａｕｇｅｒ线型分析方法－因子分析方法和已知组元强度的定量解谱技术，对电子束辅助Ｎ离子注入Ｓｉ和磁控溅射方法制备的ＴｉＮｘ薄膜的高分辨率俄歇电子能谱（ＡＥＳ），进行了定量分析。讨论了化学成分对ＡＥＳ线型的影响及线型分析技术的有效性和应用范围。     

载能粒子沉积薄膜生长的微观机制研究

采用嵌入原子间相互作用势,利用分子动力学方法模拟了载能原子沉积Ａｕ／Ａｕ（１００）薄膜的生长过程,通过对薄膜生长的表面覆盖度曲线和Ｂｒａｇｇ衍射强度等随沉积原子能量变化的研究,发现随着沉积原子能量的增加,薄膜的生长模式从Ｓｔｒａｎｓｋｉ－Ｋｒａｓｔａｎｏｖ生长（Ｓ－Ｋ生长）转变为Ｆｒａｎｋｖａｎ ｄｅｒ Ｍｅｒｗｅ生长（Ｆ－Ｍ生长）。同时,通过对沉积原子能量、基体温度随是演化分析,探讨了载能原子在     

TaN膜的结构,成分及性能

研究了三极溅射法制备的ＴａＮ膜的结构、成分及其性能。实验发现：随着氮分压的增加，ＴａＮ膜的结构将从面心立方相转变为六方相；ＴａＮ膜的显微硬度在单一相结构时最大，而以双相共存时的显微硬度较低。     

恶性脑胶质瘤靶向治疗新技术研究与临床应用

本项目属于医疗卫生专业领域。恶性脑胶质瘤的治疗是世界上至今仍未解决的难题。项目组针对恶性脑胶质瘤当前治疗的基础研究薄弱、临床治疗理念陈旧、传统治疗方法单一的现状,进行了恶性脑胶质瘤靶向治疗新技术研究与临床应用。     

Au／Ni多层膜的原子学结构研究

利用嵌入原子势方法，完成了Ａｕ／Ｎｉ多层膜的分子动力学模拟计算。研究了Ａｕ／Ｎｉ多层膜中原子层数对多层膜界面的影响。探讨了原子层厚度和多层膜膜面取向对原子层间距、Ａｕ／Ｎｉ界面影响的变化规律。     

Ge2Sb2Te5薄膜相变行为及其对光存储特性影响

采用射频磁控溅射方法,在石英玻璃基片上制备了Ge2Sb2Te5相变薄膜.X射线衍射分析表明:室温沉积的薄膜为非晶态;170℃真空退火后,薄膜转变为晶粒尺度约为17 nm的面心立方结构;250 ℃退火导致晶粒尺度约为40 nm的密排六方相出现.研究了室温至450℃下薄膜相变的热力学性能.差热分析显示:薄膜的非晶相向fcc相转变的相变活化能为(2.03±0.15)eV;fcc相向hex相转变的相变活化能为(1.58±0.24)eV.薄膜反射率测量表明:面心相与非晶相的反射率对比度随着波长从400 nm增加到1 000 nm在15%～30%变化,六方相与非晶相的反射率对比度在30%～40%.不同脉冲宽度的激光对非晶态薄膜的烧蚀结果显示:激光的能量密度对薄膜的记录效果有显著影响,在5 mW、50 ns的脉冲激光作用下,Ge2Sb2Te5薄膜具有最好的光存储效果.