非晶快离子导体AgI-Ag_4P_2O_7中银沉积的电子探针研究

用电子探针显微分析法,研究了AgI-Ag_4P_2O_7非晶态快离子导体中的银沉积问题。给出了在电子束轰击下银计数率随时间变化曲线。开始时银沉积率随时间而增加较快,然后变得缓慢,最后趋于一个极限值。对于晶化后的样品,由于晶界的阻碍作用,向轰击区迁移的Ag~ 离子减少,离子源枯竭快,银计数率达到极限值比未晶化前快。文中同时给出了电子束轰击区的二次电子像、背射电子像。AgLαX-射线扫描像。在银沉积过程中,发现在电子束轰击区周围伴生有枝叶状的脉纹似的析出物,是由于电子束轰击样品产生温升而导致玻璃中银和银的化合物析晶所致。     

非晶NaI-Na_2O-B_2O_3离子导体中钠沉积的AES和功函数研究

借助俄歇电子能谱仪以及功函数跟踪测量系统,研究了非晶快离子导体NaI-Na_2O-B_2O_3系中钠沉积现象,给出了非晶钠快离子导体表面沉积过程中钠的峰-峰高和逸出功随时间变化曲线,同时,进行了理论拟合和金相显微摄影。实验结果表明,非晶钠快离子导体中钠沉积规律符合沉积动力学方程式。     

氧化锌超微粒子薄膜的表面性质研究

用直流气体放电活化反应沉积的方法,制备了氧化锌超微粒子薄膜,并经AES成分分析及XRD物相结构鉴定,随制备条件不同,结构将明显改变。扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明,粒子的粒径为88.5nm。用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)对超微柱子膜的表面成分此、表面电子态进行了研究,用Ar~+枪对样品表面进行了剥离,同时用AES作跟踪分析。结果表明,Zn/O比基本保持不变,C稍有减少。这和电子探针持续作用AES跟踪分析结果基本相同。样品表面的电子态是Zn2p_(1/2)、Zn2p_(3/2),Cls、Ols;粒径及基质对表面光电压谱有较大影响。     

黄铁矿-CuCl2盐溶液反应地球化学模拟实验及表面矿物学研究

参照安徽省铜陵冬瓜山铜矿床成矿阶段流体成分和物理化学条件，分别模拟了100MPa下450℃、350℃、250℃和150℃不同温度条件下黄铁矿——CuCl2盐水溶液反应过程，利用扫描电镜(SEM)、俄歇电子谱(AES)表面测试技术，观察测试了实验前后黄铁矿表面形貌特征和化学成分变化．分析结果显示，反应后的黄铁矿表面化学组成均发生显变化，普遍出现约50nm厚的富铜层，450℃、250℃和150℃反应温度下的黄铁矿表面出现多种含铜硫化物的新生物相．实验结果表明黄铁矿可以作为铜富集沉淀的地球化学障，这为研究沉积-热液叠加改造层状铜矿成矿规律提供了实验依据．     

沉积动力学方程对银快离子玻璃中银沉积的研究

借助电子探针显微分析法,用沉积动力学方程,研究了AgIAg_4P_2O_7、AgIAg_2OB_2O_2、AgIAg_2OP_1O_5B_1O_3银快离子玻璃系统中样品的银沉积问题。发现在电子束轰击下,银计数率随时间的变化实验曲线与理论拟台曲线一致,沉积动力学方程能较好地适合银快离子玻璃。对银快离子玻璃中银的沉积物理过程进行了探讨解释,在电子束注入电子的外电场和试样内离子浓差、局域极化内电场作用下,银离子不断迁移、沉积,达到极限值。     

PECVD SiO_2/InP结构的AES和XPS分析

本文介绍了经不同表面处理制成的PECVD Si为_2/InP 結构的俄歇电子能谱(AES)和X光电子能谱(XPS),分析了SiO_2/InP结构介质层、界面过渡区和体内区的化学组分和组志。并研究了表面处理对SiO_2/InP界面过渡区宽度及其化学物理结构的影响。     

Nd:YAG脉冲激光诱导化学沉积银

Nd:YAG脉冲激光扫描照射单晶Si基底表面AgNO3薄膜,薄膜热分解产生的Ag沉积在Si基底表面形成沉积线·在激光功率为28W,频率为35Hz时,最高扫描速度为9mm/s·SEM显示Ag颗粒均匀镶嵌在基底沉积线表面,AES研究沉积线表面元素随深度分布情况·以Ag颗粒为催化中心,在沉积线表面选区化学镀铜,超声振动显示镀铜膜与基底有良好的结合力·简单分析了沉积线表面Ag颗粒形状及表面凹坑出现的原因     

CoSi_2/Si异质结的形成及其电子结构的研究

利用离子束镀膜技术,在非超高真空(1.33×10~(-3)Pa)下,采用离子束清洗衬底表面和对衬底加热的辅助方法,在单晶Si衬底上淀积Co薄层,再在Co层上淀积Si保护层,然后在570—680℃下进行真空(6.67×10~(-3)Pa)退火,能形成有害杂质(O、C等)含量少且界面区域过渡陡峭的CoSi_2/Si异质结。本文利用俄歇电子能谱(AES),X射线光电子谱(XPS)和紫外光电子谱(UPS)对样品的组分、化学相和电子结构进行了分析。     

AgNi合金表面成分均匀性的研究

报导了AES对室温下AgNi两相合全表面成分均匀性的研究结果.发现无论是未经理的自然表面,或是经离子轰击后的清洁表面,或是轰击后仃放长时间的表面,都表现出较明显的成分不均匀性.并发现该系统Ag是择优溅射元素.     

利用射线束在TiO2纳米管上负载铜颗粒及其光电性能研究

采用阳极氧化法在钛金属表面制备出致密有序的TiO2纳米管阵列,利用紫外光和电子束辐照沉积技术分别在其上沉积铜纳米颗粒以提高其光电性能.利用场发射扫描电镜观察两种不同技术制备的TiO2纳米管阵列负载纳米铜结构的表面形貌.研究比较了不同制备方法得到的样品在紫外光和可见光照射下的光电效应,并讨论不同浸泡溶液浓度对其光电性能的影响.     

非晶铜快离子导体中的铜沉积研究

借助电子探针显微分析法,研究了非晶铜快离子导体CuI-Cu_2OP_2O_5-PbI_2系中的铜沉积,给出了铜计数率随时间的变化曲线,开始时铜沉积随着时间而增加,然后增加变得缓慢,最后趋于一极限值。实验发现,非晶铜快离子导体中的铜沉积规律与非晶银快离子导体中的银沉积规律相类似。文中同时给出了铜沉积区的显微成分像,X-射线面扫描像。样品中的铜离子可能以两种形式存在,一是与碘离子相结合,另一是以强的部分共价键与[PO_4]基团相结合,仅有前者对电导有贡献。     

Field Emission of SiCN Thin Films Bombarded by Ar~+ Ions

0　IntroductionInthefieldofvacuummicroelectronicdevices,coldcathodeelectronfieldemittersarepotentiallyusefulforfieldemissiondisplays (FED) .FEDareimportantelementsoftheflatpaneldisplays.Comparingwithliquidcrystaldisplays (LCD)andcath oderaytube (CRT)displays,ithasacompactsize ,alargeview ingangle ,excellentbrightnessandhighpicturequality[1 ] .Muchresearchhasbeenperformedtounderstandandimprovethefieldemissionpropertiesofthinfilmsandthinfilmstructures.Withthedevelopmentsofvacuummicroelectro…     

Field emission of SiCN thin films bombarded by Ar<Superscript>+</Superscript> ions

SiCN thin films were synthesized by a radio frequency chemical vapor deposition (RFCVD) system on P-type Si (1 0 0) wafers using C₂H₄, SiH₄ and N₂ as raw materials, In order to get rid of the oxygen absorbed on the surface and improve the characteristics of electron field emission, Ar⁺ ions of low energy were used to bombard the samples. The field emission characteristics of SiCN thin films before and after Ar⁺ bombardment were studied in the super vacuum environment of 10⁻⁶ Pa. It was showed that the turn-on field (defined as the point where the current-voltage curve shows a sharp increase in the current density) decreased from 38 V/μm before bombardment to 25 V/μm after bombardment. And the maximum emission current density increased from 159.2 to 267.4 μA/cm². The composition before and after Ar⁺ bombardment was compared using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Our results illustrated that the field emission characteristics were improved after the bombardment of Ar⁺. Foundation item: Supported by the National Natural Science Foundation of China (19975035) Biography: Ma You-peng (1978), male, Master candidate, research direction: novel functional materials film and ion beam modification of materials.     

离子镀氮化钛膜层综合剖析

本文应 X 用射线光电子能谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)、X 射线衍射(XRD)等技术,对用空心阴极离子镀法(HCD)生长的氮化钛膜层作了综合测试,对膜层的组分和结构作了分析,着重论述了外表面氧化膜及界面过渡层的产生和作用。由 XRD 分析得知,氮化钛晶粒中与衬底有良好共格关系的那些晶面平行于膜面生长。     

锂对工业纯铜导电性能的作用效应

用X光电子能谱仪及同步辐射装置分析了铜锂合金的表面电子结合能及费米面处的电子能态分布.研究表明:微量锂的加入影响了纯铜的价带,使纯铜费米面处的电子态密度下降,从而降低纯铜的导电率,但是由于锂具有良好的脱氧、除硫等净化作用,使纯铜中的其他杂质含量有所下降,因此两者相消后略微降低铜的导电率;随锂含量的增加,铜的导电率呈逐渐下降的趋势,这是因为尽管加入锂后脱气除杂效果显著,但残余的锂主要固溶于铜中,使铜的晶格产生畸变,同时提高了纯铜的表面电子结合能,从而使金属导电率有所下降.     

电沉积壳聚糖-镝复合涂层缓蚀性的研究

以壳聚糖和镝为原料,利用电沉积技术在铜片上形成新型的壳聚糖-镝复合涂层.涂层的耐腐蚀性采用电子扫描显微镜（SEM）、X射线能谱（EDS）、动电位极化测量（TAFEL曲线）和电化学交流阻抗（EIS）进行研究.试验结果表明,在电压为5V,沉积时间为5min,溶液pH=3.8的室温条件下可以在铜表面形成稳定、均匀的壳聚糖-镝复合涂层,该涂层能够显著提高铜片在酸性体系中的缓蚀性.     

离子束轰击对SnO2超微粒子薄膜性质的影响

采用直流气放电活化反应蒸发法，沉积成ＳｎＯ２超微粒子薄膜。以不同能量的离子束轰击薄膜表面，用扫描电子显微镜、俄歇电子能谱仪等，分析了离子束作用对ＳｎＯ２ＵＰＦ表面形貌和化学组成的影响，同时研究了离子束作用前后，ＳｎＯ２ＵＰＦ对乙醇的气敏性质的变化。     

铜膜制备过程中辉光等离子体的双探针诊断

采用Langmuir双探针技术对氩气环境下射频磁控溅射铜薄膜过程中产生的辉光等离子体进行了实时诊断.结果表明,在一定的射频功率下,电子温度随气压的增大呈指数衰减的趋势变化;在一定的反应气压下,电子温度和电子密度随射频功率的增大均呈线性增加的趋势.电子的运动速度数量级为106 m/s.比离子的运动速度大3个数量级.